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[導(dǎo)讀]晶圓代工廠商的先進(jìn)制程競賽如火如荼來到7nm,但也有晶圓代工廠商就此打住,聯(lián)電將止于12nm制程研發(fā),GlobalFoundries宣告無限期停止7nm及以下先進(jìn)制程發(fā)展。一直以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為延續(xù)摩爾定律每隔18~24個月集成電路便為晶體管數(shù)目和性能將翻倍提升而努力,10nm及以下先進(jìn)制程成本有多高?讓晶圓代工老二、老三的GlobalFoundries和聯(lián)電紛紛打消發(fā)展念頭。

晶圓代工廠商的先進(jìn)制程競賽如火如荼來到7nm,但也有晶圓代工廠商就此打住,聯(lián)電將止于12nm制程研發(fā),GlobalFoundries宣告無限期停止7nm及以下先進(jìn)制程發(fā)展。一直以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為延續(xù)摩爾定律每隔18~24個月集成電路便為晶體管數(shù)目和性能將翻倍提升而努力,10nm及以下先進(jìn)制程成本有多高?讓晶圓代工老二、老三的GlobalFoundries和聯(lián)電紛紛打消發(fā)展念頭。

一直以來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奉摩爾定律為圭臬,努力將線寬縮小,以便在芯片上塞入更多晶體管,雖然晶圓代工價格也因制程微縮而隨之上升,但越精細(xì)的制程技術(shù)除了能切割出更多芯片外,也能提升產(chǎn)品效能和降低功耗,在良率控制得宜下,往往還是能獲得追求極致產(chǎn)品表現(xiàn)的客戶采用,且隨著經(jīng)驗(yàn)累積和設(shè)備攤提,將會讓現(xiàn)下先進(jìn)制程技術(shù)成本持續(xù)下探,進(jìn)而吸引更多新產(chǎn)品和新應(yīng)用導(dǎo)入。

但在物理極限下,先進(jìn)制程微縮變得越來越困難,技術(shù)難度提高讓晶圓代工廠的資本支出跟著增加,關(guān)鍵的微影制程為持續(xù)微縮瓶頸所在,相關(guān)設(shè)備成本也最為高昂,使得投入的晶圓代工廠商與客戶減少。

晶圓代工廠商的最大難關(guān)-微影技術(shù)

微影技術(shù)透過紫外光當(dāng)光源,將繪制在光罩上的電路圖形微縮投影至涂布光阻的晶圓上,再經(jīng)過曝光顯影蝕刻去除光阻等過程,在晶圓產(chǎn)生集成電路。隨著制程微縮線寬縮小,光罩也變得更為精細(xì),光源波長也需變短,以避免繞射效應(yīng)產(chǎn)生。

過去紫外光波長一路從365nm進(jìn)展到目前以ArF氣體雷射達(dá)到193nm,ArF 193nm曝光機(jī)原理上可制作的最小線寬為48nm,加上浸潤式微影與多重曝光的搭配,眾晶圓代工廠的制程辛苦走到7nm節(jié)點(diǎn),采用多重曝光技術(shù)僅能做單一方向微縮,無法做2個方向的微縮,影響單位面積下所能容納的晶體管數(shù)量,加以所需光罩?jǐn)?shù)與制程數(shù)大幅增加,以往隨著制程微縮,每芯片成本隨之下降情況已不復(fù)見。

當(dāng)制程微縮圖形變得復(fù)雜,曝光次數(shù)需增加,光罩成本也就跟著飆高;根據(jù)eBeam Initiative調(diào)查,廠商到7~10nm節(jié)點(diǎn)光罩層數(shù)平均來到76層,甚至有廠商來到逾100層,這也代表光罩成本激增,到7nm制程節(jié)點(diǎn)已非一般中小型IC設(shè)計廠商所能負(fù)擔(dān)。

波長更短的極紫外光(EUV)成為7nm以下制程的另一解方,以Samsung已導(dǎo)入EUV 的7nm LPP制程為例,光罩模塊總數(shù)減少約20%。

昂貴的解方EUV

EUV雖能減少光罩,并能降低生產(chǎn)周期(Cycle Time)和晶圓缺陷問題,但EUV設(shè)備所費(fèi)不貲,ArF浸潤式曝光機(jī)價格已要價約5,600~6,200萬美元,EUV曝光機(jī)價格1臺更是上看1.2億美元,大幅墊高晶圓代工廠商資本支出,而EUV波長極短,能量很容易被材料吸收,光罩須重新設(shè)計為反射式,成本也較為昂貴,EUV光源要達(dá)到250W和每小時單位產(chǎn)出125片(WPH),才能達(dá)到半導(dǎo)體廠商量產(chǎn)最低要求,目前ASML已突破此要求,但相較目前浸潤式曝光機(jī)可達(dá)每小時250片(WPH)的產(chǎn)出而言,仍有很大努力空間。

EUV本身也還有光罩薄膜和光阻劑等挑戰(zhàn)待突破,因此臺積電目前7nm制程仍使用193i進(jìn)行四重曝光(4P4E),預(yù)估第二代7nm制程才會在部分Layer使用EUV。

IC設(shè)計與品牌商同樣面對的成本高墻

除了光罩,IP授權(quán)與人事研發(fā)成本隨著最先進(jìn)制程導(dǎo)入,成本更是節(jié)節(jié)升高,綜合EETAsia與Semico估計,一般SoC IP授權(quán)與人事費(fèi)用約1.5億美元,而7nm將較10nm多出23%來到1.84億美元,5nm節(jié)點(diǎn)更將來到2~2.5億美元。

對IC制造與IC設(shè)計商而言,7nm以下制程越來越少有廠商玩得起。

從終端芯片來看,可能對芯片成本的提升更有感,以每年搭載最先進(jìn)制程芯片的Apple iPhone為例,2018年新機(jī)iPhone XS Max搭載7nm制程A12 Bionic處理器,成本來到72美元,較2017年搭載10nm制程的A11 Bionic再貴上8%;而光芯片成本已直逼中階智能型手機(jī)80~120美元整體BOM Cost。

智能型手機(jī)的行動運(yùn)算、服務(wù)器、繪圖與資料中心等領(lǐng)域,仍受益于芯片微縮計算機(jī)運(yùn)算效能提升與耗電降低的好處,但當(dāng)成本也節(jié)節(jié)升高,并不是所有廠商都奮不顧身投入.

目前宣告產(chǎn)品采用7nm的廠商Apple、Samsung、華為、NVIDIA與AMD等廠商若非前幾大智能型手機(jī)品牌就是CPU/GPU重要大廠,為了產(chǎn)業(yè)上的領(lǐng)先地位,價格敏感度也較低,也有較大生產(chǎn)量,才能分?jǐn)偣庹?、設(shè)計與制造等成本;當(dāng)客戶群集中在少數(shù),對非前幾大晶圓代工廠商而言,持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)制程的投資,后續(xù)產(chǎn)能若無法填補(bǔ),將面臨極大的財務(wù)風(fēng)險,這也是為何聯(lián)電和GlobalFoundries紛紛在這場奈米競賽停止腳步,以獲利為優(yōu)先。

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