以“創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，智慧賦能未來”為主題的第七屆中國電子信息博覽會(CITE2019)將于2019年4月9日至11日在深圳會展中心舉行，展會將、針對數(shù)字家庭、智能終端、新型顯示、IC、人工智能、汽車電子、5G和物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等技術(shù)進行集中展示，預(yù)打造一場國內(nèi)、行業(yè)內(nèi)頂尖的“科技盛宴”。華虹集團旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)攜最新研發(fā)成果和技術(shù)方案再次亮相展會現(xiàn)場，在這場科技盛宴中展示半導(dǎo)體制造主力廠商的風(fēng)采。

作為全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)，華虹宏力面對充分市場化、高度國際化的半導(dǎo)體行業(yè)，堅持走好差異化創(chuàng)新之路，深耕細分領(lǐng)域，做精、做深、做強，在嵌入式非易失性存儲器(eNVM)、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等特色工藝平臺的競爭力持續(xù)提升。

華虹宏力是嵌入式非易失性存儲器領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)跑者，從0.13微米、0.11微米到95/90納米一路升級創(chuàng)新，多年來為實現(xiàn)智能卡等安全芯片的制造國產(chǎn)化作出了積極貢獻，在2018年舉行的國家金卡工程廿五年成果報告會上，華虹宏力榮膺“國家金卡工程(廿五年)信息化開拓獎”;同期，“95納米SONOS嵌入式非易失性存儲器工藝”項目還當(dāng)選“國家金卡工程金螞蟻獎——最佳產(chǎn)品配套獎”。憑借嵌入式非易失性存儲器技術(shù)超強實力，華虹宏力現(xiàn)已成為世界第一大智能卡IC制造企業(yè)。2018年，華虹宏力的智能卡芯片出貨量高達約30億顆，其中，SIM卡芯片出貨約19億顆，約占全球1/3的市場份額。

隨著微控制器(MCU)市場的發(fā)展迅猛，華虹宏力針對物聯(lián)網(wǎng)(IoT)領(lǐng)域打造的0.11 微米超低漏電(ULL)嵌入式閃存及eEEPROM技術(shù)平臺，實現(xiàn)了超低功耗數(shù)字模擬混合信號技術(shù)、嵌入式閃存技術(shù)與低成本射頻CMOS技術(shù)的完美結(jié)合;低功耗、高性價比的95納米eNVM工藝平臺，是8位MCU的理想選擇。在第十屆“中國MCU優(yōu)秀企業(yè)評選”中，華虹宏力憑借“95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器工藝平臺(95納米5V SG eNVM)”蟬聯(lián)“優(yōu)秀MCU制造工藝平臺”獎，凸顯華虹宏力在MCU市場的卓越競爭力。此外，華虹宏力還自主研發(fā)了一系列面向MCU的超低功耗模擬IP，可靈活匹配8位及32位MCU需求，并以其高質(zhì)量和高可靠性，有效助力客戶在物聯(lián)網(wǎng)、信息安全、可穿戴產(chǎn)品以及工業(yè)控制和汽車電子市場中提升競爭力。

近年來，功率器件技術(shù)在汽車電子市場的應(yīng)用場景越來越廣泛，作為全球最大的功率器件8英寸純晶圓代工廠，華虹宏力在生產(chǎn)功率器件方面擁有超過15年的良好往績，更是業(yè)內(nèi)首個擁有深溝槽超級結(jié)(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型IGBT(Field Stop，F(xiàn)S IGBT)工藝平臺的8英寸代工廠。華虹宏力以深厚的功率器件技術(shù)底蘊支持并推動綠色能源、新能源汽車、工業(yè)自動化等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。已推出的第三代DT-SJ工藝平臺，以600V器件為例，單位面積導(dǎo)通電阻Rsp實測值為1.2ohm.mm2，技術(shù)參數(shù)達業(yè)界一流水平，可為客戶提供導(dǎo)通電阻更低、芯片面積更小、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。IGBT被譽為“功率半導(dǎo)體皇冠”，華虹宏力在FS IGBT背面晶圓加工能力上尤為突出，是國內(nèi)唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業(yè)。目前，公司正全力研發(fā)新能源車用技術(shù)。未來，將向更高電壓和更大電流等級、新能源汽車領(lǐng)域及超高壓電力電子市場進發(fā)，在全球競爭中穩(wěn)占一席。

隨著人們對綠色、節(jié)能和效率方面的需求日益增加，高能效的電源管理IC(PMIC)技術(shù)越來越受重視。華虹宏力作為中國出貨量最大的LED驅(qū)動IC代工廠，引入全面的電源管理IC制造解決方案，可提供久經(jīng)驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平臺。其技術(shù)涵蓋1微米到0.13微米，電壓范圍覆蓋1.8V到700V，廣泛應(yīng)用于智能電表、PMIC、手機/平板電腦PMU以及快速充電(Fast Charge)等產(chǎn)品領(lǐng)域。2018年，華虹宏力第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺實現(xiàn)量產(chǎn)，因其具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。此外，華虹宏力還將推出適用于諸如電機驅(qū)動等更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域的high-side驅(qū)動600V BCD技術(shù)。

總投資100億美元的華虹集成電路研發(fā)和制造基地項目是華虹集團在上海市域以外的第一個制造項目，一期項目(華虹七廠)投資25億美元，在建一條月產(chǎn)能4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，實現(xiàn)當(dāng)年開工，當(dāng)年主廠房結(jié)構(gòu)封頂，具有標(biāo)志性意義。

2019年，華虹宏力將繼續(xù)深耕特色工藝，持續(xù)挖掘物聯(lián)網(wǎng)、智能卡、MCU和汽車電子等重點領(lǐng)域，保持嵌入式非易失性存儲器、功率器件、電源管理及射頻等工藝技術(shù)的核心競爭力。公司將盡早、盡快、盡善、盡美地完成華虹無錫項目，預(yù)計于2019下半年通線，以滿足5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域日益增長的產(chǎn)品需求。期待華虹宏力在CITE 2019的精彩表現(xiàn)!