芯片一直是各界關(guān)注的重點，隨著5G來臨愈發(fā)顯得重要起來，中國半導(dǎo)體的發(fā)展也廣受關(guān)注，筆者以存儲為例來探討如果中國半導(dǎo)體市場û有外來者，將會是什ô樣的局面?

美光在中國的布局其實在很早以前就已經(jīng)開始，早在1997年，美光科技就在臺北建廠，目前，在桃園和臺中，美光科技都有晶圓制造廠，其中2006年在西安注冊的美光半導(dǎo)體注冊資金就達到了2.6億美元，2013年7月，美光以2000億日元，完成了100%收購日本爾必達公司，以及爾必達持有的臺灣瑞晶電子65%的股份。

在此之前，美光已經(jīng)跟力晶電子(Power Chip)達成協(xié)議收購24%的瑞晶股份，這樣美光合計控股了瑞晶電子89%的股份。2015年12月，美光以32億美元收購其尚δ持有的臺灣華亞科技剩余67%股份。至此，華亞科技成為美光全資子公司。

至此，美光ÿ年在中國大½市場的營收約為700億，大約占其總營收的50%左右。

假如中國半導(dǎo)體市場û有外來者

中國半導(dǎo)體一直是在ð著敵人的炮火匍匐前進，如今，敵人的炮火越來越兇猛，那假設(shè)中國市場û有外來者，我們能否實現(xiàn)自給自足?

目前DRAM產(chǎn)能主要掌握在三星、海力士、美光等幾家手中，隨著合肥長鑫、福建晉華等廠商 DRAM 項目穩(wěn)步推進，將有利于打破¢斷，使得產(chǎn)業(yè)走向良性循環(huán)，根據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)振興院預(yù)測，4Gb DARM 價格到 2019 將大幅下降至 3.53 美元;估計韓國 5 年后減少的 DRAM 收入為 67 億美元。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)取得重大進展，基本覆蓋了各種關(guān)鍵設(shè)備種類，整體水平達到 28nm，并在 14nm 和 7nm 實現(xiàn)了部分設(shè)備的突破。中電科電子裝備生產(chǎn)的 8 英寸 CMP 設(shè)備已在客戶端進行驗證，上海微電子也已經(jīng)實現(xiàn) 90nm 光刻機的國產(chǎn)化。

2014年，我國成立了國家集成電·產(chǎn)業(yè)投資基金，自設(shè)立以來，實施項目覆蓋了集成電·設(shè)計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態(tài)建設(shè)等各環(huán)節(jié)，實現(xiàn)了在產(chǎn)業(yè)鏈上的完整布局。

事實上，中國在芯片的設(shè)計、制造、封裝三大環(huán)節(jié)之中，差距最大是制造。2016年中國的集成電·進口為2271億美元，也就是說約90%的芯片需要進口，預(yù)計到2020年芯片國產(chǎn)化率預(yù)計將提升至15%。中芯國際2016年的營收為29.21億美元，全球市場占有率6%，排名世界第四，28nm制程的營收到2017年就已經(jīng)已經(jīng)占到了10%左右。

長江存儲已于2017年成功研發(fā)32層NAND FLASH產(chǎn)品，并且預(yù)計將于今年年底量產(chǎn)64層3D NAND，同時將導(dǎo)入Xtacking™架構(gòu)應(yīng)用，并規(guī)劃在2020年跳過96層3D NAND技術(shù)進入128層3D NAND階段，這將大幅度縮短與國際大廠在技術(shù)上的差距。

合肥長鑫項目專注于DRAM的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，而最初技術(shù)來源是奇夢達，之后通過與國際大廠合作，持續(xù)投入研發(fā)超過25億美元，并不斷完善自身研發(fā)技術(shù)，目前已累積有1萬6千個專利申請，已持續(xù)投入晶圓量超過15000片，之前規(guī)劃是2019年底實現(xiàn)2萬片/月產(chǎn)能，加速中國存儲芯片國產(chǎn)化目標(biāo)實現(xiàn)的進程。

芯片國產(chǎn)化就是為了不斷帶動國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備商的進步，最終實現(xiàn)上游核心供應(yīng)、下游集成封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈完備。

小編認(rèn)為作為追趕者，閉門造車顯然是行不通的，三星半導(dǎo)體也是韜光養(yǎng)晦幾十載才有如今的氣候，追趕的·從來都不好走，但值得樂觀的是目前我們已經(jīng)走上正軌，內(nèi)在方面，扶持政策和資本都開始了更大幅度的介入，人才培養(yǎng)的力度也不斷加大;外在方面面對著巨頭不斷加大的封鎖與追殺，但是這也正給了國產(chǎn)廠商一個加速走向市場絕佳機會，黑暗之后才有光明，況且隨著摩爾定律在工藝上逐漸接近極限，也給了我們彎道超車的好機會。