近期，價(jià)格“跌跌不休”的NAND Flash(閃存芯片)市場(chǎng)，突然遇到了產(chǎn)業(yè)變動(dòng)。7月初，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，自7月4日起，包括“氟聚酰亞胺”、“光刻膠”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。

其中，光刻膠與NAND Flash等存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)制造相關(guān)。有手機(jī)從業(yè)者曾告訴記者，存儲(chǔ)已經(jīng)超過屏幕、CPU，成為手機(jī)最大的成本，存儲(chǔ)在手機(jī)中的成本達(dá)到25%-35%，可見其重要性。

另一方面，6月底，東芝的NAND Flash的工廠突然斷電13分鐘，至今還未恢復(fù)正常運(yùn)營(yíng)。這些因素都對(duì)接下來NAND Flash的產(chǎn)能以及價(jià)格造成影響，因此也有傳聞稱接下來NAND Flash會(huì)漲價(jià)。

但是在業(yè)內(nèi)看來，雖然降幅可能收窄，價(jià)格下跌的趨勢(shì)卻很難改變。集邦咨詢(TrendForce)研究協(xié)理陳玠瑋告訴記者：“預(yù)估NAND ASP 2019年將會(huì)下跌40%。”

閃存市場(chǎng)的兩起突發(fā)

具體來看，一方面日本對(duì)出口韓國的半導(dǎo)體管制變得嚴(yán)厲，自7月4日起，韓國的最惠國待遇就被取消了，對(duì)于氟聚酰亞胺等三種半導(dǎo)體材料的出口限制上，從原先的免申請(qǐng)出口許可，改為逐案審核，相關(guān)審查流程最長(zhǎng)將達(dá)90個(gè)工作日。

據(jù)了解，光刻技術(shù)是芯片制造中重要的工藝，而光刻膠則是光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵材料，是涂覆在半導(dǎo)體基板上的感光劑，占芯片制造成本約為7%。在光刻膠這一上游領(lǐng)域，日本企業(yè)占據(jù)壟斷地位。

在NAND Flash市場(chǎng)上，主要玩家有三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士、英特爾，其中三星陣營(yíng)和東芝陣營(yíng)占據(jù)了半壁江山。而日本的斷供，也將影響韓國三星和SK海力士的NAND Flash芯片制造，導(dǎo)致減產(chǎn)。

為了應(yīng)對(duì)這一局面，業(yè)內(nèi)也傳出消息稱，海力士正在和Intel談判，或收購大連工廠及3D NAND業(yè)務(wù)，從而補(bǔ)充產(chǎn)能。此外，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部提出了“復(fù)興戰(zhàn)略”，加強(qiáng)韓國國內(nèi)的供應(yīng)鏈，預(yù)計(jì)從2021年起，將對(duì)半導(dǎo)體材料、零組件、設(shè)備研發(fā)投入6兆韓元(約51億美元)的預(yù)算。

另一方面，東芝在6月遭遇斷電事故，5個(gè)工廠未能幸免，至今還未完全恢復(fù)，這也影響了NAND Flash的產(chǎn)能。而受傷的廠區(qū)也包括東芝和西部數(shù)據(jù)的合資廠，西部數(shù)據(jù)公開表示，約6ExaByte (EB)的產(chǎn)能受到影響。

陳玠瑋向記者表示：“對(duì)東芝NAND Flash產(chǎn)能影響至少達(dá)30%，但預(yù)計(jì)七月中旬就會(huì)恢復(fù)生產(chǎn)。”

除了以上的突發(fā)事故，另一巨頭美光的營(yíng)收和產(chǎn)能也不理想。受到供大于求的環(huán)境背景、以及貿(mào)易摩擦的影響，美光2019財(cái)年Q3季度中，NAND營(yíng)收大約占總營(yíng)收的31%，營(yíng)收環(huán)比下降18%，同比下降25%。為了進(jìn)一步改善市場(chǎng)供需，美光決定將NAND Flash產(chǎn)出減少比例從原來的5%提高到了10%，還將削減2020年資本支出。

那么，面對(duì)今年NAND Flash產(chǎn)能減少的情況，三季度開始產(chǎn)品價(jià)格會(huì)上漲嗎?

下跌趨勢(shì)難反轉(zhuǎn)

有觀點(diǎn)認(rèn)為，以上這兩個(gè)事件會(huì)對(duì)NAND Flash價(jià)格產(chǎn)生影響，甚至預(yù)計(jì)NAND Flash將漲價(jià)10%到15%。但是陳玠瑋告訴記者：“七月通路Wafer(晶圓)價(jià)格報(bào)價(jià)預(yù)計(jì)上漲至少10%，但成交價(jià)格可能不會(huì)上漲這么多，集邦咨詢預(yù)估NAND ASP 2019年將會(huì)下跌40%。”

另一方面，中國國內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在擴(kuò)張產(chǎn)能，據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在2019年底前在武漢存儲(chǔ)基地大規(guī)模生產(chǎn)64層3DNAND，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在武漢建設(shè)一座240億美元的半導(dǎo)體工廠。雖然與國際大廠相比，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND仍落后，產(chǎn)能不算大，但是差距在迅速縮小，也將對(duì)NAND Flash市場(chǎng)的價(jià)格產(chǎn)生沖擊。

在2017年時(shí)，由于閃存等存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，一度引發(fā)了包括手機(jī)、固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等產(chǎn)品的陸續(xù)漲價(jià)。直到2018年，供需關(guān)系發(fā)生變化，閃存價(jià)格一直下跌，2019年跌勢(shì)繼續(xù)。