英特爾為招攬人才,不惜挖格芯的墻腳
近年來(lái),科技人才是各大公司的“香餑餑”,英特爾在業(yè)內(nèi)批量攬才,先后挖來(lái)了 Jim Keller、Raja Koduri 和 Murthy Renduchintala 等技術(shù)大牛,這讓英特爾的技術(shù)實(shí)力如虎添翼。近日英特爾(Intel)聘請(qǐng)了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前 IBM 微電子業(yè)務(wù)主管 Gary Patton 博士。
Gary Patton 博士在半導(dǎo)體工藝方面造詣深厚,早些年就在 IBM 挑大梁,2015 年 GF 收購(gòu)了 IBM 晶圓制造業(yè)務(wù),他也隨即進(jìn)了 GF,擔(dān)任 CTO,一直負(fù)責(zé)尖端工藝的研發(fā)。但格芯去年宣布放棄 10nm 以下工藝研發(fā),并專注于利潤(rùn)更高的 14/12nm 工藝和其他特色工藝,公司的戰(zhàn)略改變直接導(dǎo)致了一批傳統(tǒng)高層技術(shù)人員外流,Gary Patton 也是其中之一。
獲悉,此次 Gary Patton 在英特爾將擔(dān)任企業(yè)副總裁、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)總經(jīng)理,負(fù)責(zé)建設(shè)生態(tài)系統(tǒng)、部署特定工藝,以及處理器設(shè)計(jì)套件開發(fā)(PDK)、IP、工具等,促成新工藝滿足預(yù)設(shè)的性能、成本、上市時(shí)間需求。
目前來(lái)說(shuō),在晶圓廠之戰(zhàn)已變?yōu)?ldquo;三分天下”的格局,這三家分別是英特爾、臺(tái)積電、三星。
英特爾方面,日前報(bào)道中爆料的 2 年一更新的制程之路來(lái)說(shuō),雖然這是一個(gè)烏龍事件,但這是第一個(gè)被 ASML 爆料出的 1.4nm 工藝。當(dāng)然,英特爾還強(qiáng)調(diào)了在每個(gè)流程節(jié)點(diǎn)之間,將會(huì)有迭代的+和++版本,以便從每個(gè)流程節(jié)點(diǎn)提取性能。但在 EUV 方面,仍然需要至 2021 年才會(huì)上 EUV 設(shè)備。
臺(tái)積電方面,眾所周知在 EUV 工藝上屬于“熟練掌握”的玩家,誠(chéng)然晶圓廠在標(biāo)注制程方面通常也會(huì)使用一些技巧導(dǎo)致臺(tái)積電 7nm 工藝與英特爾 10nm 工藝性能并無(wú)二異。但單純從數(shù)字上面來(lái)看,目前臺(tái)積電已在 5nm 方面進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí),3nm 與 2nm 已提上了日程并且遠(yuǎn)比英特爾要早。不過(guò)有了之前的經(jīng)驗(yàn),或許性能方面仍然不會(huì)有差別。
三星方面,則穩(wěn)扎穩(wěn)打,從 14nm、10nm、7nm、3nm 四個(gè)主要節(jié)點(diǎn)進(jìn)行規(guī)劃,而在 3nm 節(jié)點(diǎn)以后,三星要放棄 FinFET 轉(zhuǎn)向 GAA 晶體管,3GAE 工藝和 3GAP 工藝的優(yōu)化改良之路還遠(yuǎn)矣。
半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)頂尖人才的要求非常高,往往是一個(gè)領(lǐng)頭人帶著一個(gè)大團(tuán)隊(duì)披襟斬棘最終取得成功。正是因?yàn)槿绱?,英特爾?duì)于頂尖人才的追求才會(huì)如此積極。而且摩爾定律的 2 年一更新仍然在持續(xù)之中,而如若走在在 1nm 制程以下,摩爾定律該如何繼續(xù)延續(xù),這將成為一個(gè)嚴(yán)肅的問(wèn)題。