近年來(lái)，科技人才是各大公司的“香餑餑”，英特爾在業(yè)內(nèi)批量攬才，先后挖來(lái)了 Jim Keller、Raja Koduri 和 Murthy Renduchintala 等技術(shù)大牛，這讓英特爾的技術(shù)實(shí)力如虎添翼。近日英特爾(Intel)聘請(qǐng)了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前 IBM 微電子業(yè)務(wù)主管 Gary Patton 博士。

Gary Patton 博士在半導(dǎo)體工藝方面造詣深厚，早些年就在 IBM 挑大梁，2015 年 GF 收購(gòu)了 IBM 晶圓制造業(yè)務(wù)，他也隨即進(jìn)了 GF，擔(dān)任 CTO，一直負(fù)責(zé)尖端工藝的研發(fā)。但格芯去年宣布放棄 10nm 以下工藝研發(fā)，并專注于利潤(rùn)更高的 14/12nm 工藝和其他特色工藝，公司的戰(zhàn)略改變直接導(dǎo)致了一批傳統(tǒng)高層技術(shù)人員外流，Gary Patton 也是其中之一。

獲悉，此次 Gary Patton 在英特爾將擔(dān)任企業(yè)副總裁、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)總經(jīng)理，負(fù)責(zé)建設(shè)生態(tài)系統(tǒng)、部署特定工藝，以及處理器設(shè)計(jì)套件開(kāi)發(fā)(PDK)、IP、工具等，促成新工藝滿足預(yù)設(shè)的性能、成本、上市時(shí)間需求。

目前來(lái)說(shuō)，在晶圓廠之戰(zhàn)已變?yōu)?ldquo;三分天下”的格局，這三家分別是英特爾、臺(tái)積電、三星。

英特爾方面，日前報(bào)道中爆料的 2 年一更新的制程之路來(lái)說(shuō)，雖然這是一個(gè)烏龍事件，但這是第一個(gè)被 ASML 爆料出的 1.4nm 工藝。當(dāng)然，英特爾還強(qiáng)調(diào)了在每個(gè)流程節(jié)點(diǎn)之間，將會(huì)有迭代的+和++版本，以便從每個(gè)流程節(jié)點(diǎn)提取性能。但在 EUV 方面，仍然需要至 2021 年才會(huì)上 EUV 設(shè)備。

臺(tái)積電方面，眾所周知在 EUV 工藝上屬于“熟練掌握”的玩家，誠(chéng)然晶圓廠在標(biāo)注制程方面通常也會(huì)使用一些技巧導(dǎo)致臺(tái)積電 7nm 工藝與英特爾 10nm 工藝性能并無(wú)二異。但單純從數(shù)字上面來(lái)看，目前臺(tái)積電已在 5nm 方面進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，3nm 與 2nm 已提上了日程并且遠(yuǎn)比英特爾要早。不過(guò)有了之前的經(jīng)驗(yàn)，或許性能方面仍然不會(huì)有差別。

三星方面，則穩(wěn)扎穩(wěn)打，從 14nm、10nm、7nm、3nm 四個(gè)主要節(jié)點(diǎn)進(jìn)行規(guī)劃，而在 3nm 節(jié)點(diǎn)以后，三星要放棄 FinFET 轉(zhuǎn)向 GAA 晶體管，3GAE 工藝和 3GAP 工藝的優(yōu)化改良之路還遠(yuǎn)矣。

半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)頂尖人才的要求非常高，往往是一個(gè)領(lǐng)頭人帶著一個(gè)大團(tuán)隊(duì)披襟斬棘最終取得成功。正是因?yàn)槿绱耍⑻貭枌?duì)于頂尖人才的追求才會(huì)如此積極。而且摩爾定律的 2 年一更新仍然在持續(xù)之中，而如若走在在 1nm 制程以下，摩爾定律該如何繼續(xù)延續(xù)，這將成為一個(gè)嚴(yán)肅的問(wèn)題。