近年來，科技人才是各大公司的“香餑餑”，英特爾在業(yè)內(nèi)批量攬才，先后挖來了 Jim Keller、Raja Koduri 和 Murthy Renduchintala 等技術大牛，這讓英特爾的技術實力如虎添翼。近日英特爾(Intel)聘請了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前 IBM 微電子業(yè)務主管 Gary Patton 博士。

Gary Patton 博士在半導體工藝方面造詣深厚，早些年就在 IBM 挑大梁，2015 年 GF 收購了 IBM 晶圓制造業(yè)務，他也隨即進了 GF，擔任 CTO，一直負責尖端工藝的研發(fā)。但格芯去年宣布放棄 10nm 以下工藝研發(fā)，并專注于利潤更高的 14/12nm 工藝和其他特色工藝，公司的戰(zhàn)略改變直接導致了一批傳統(tǒng)高層技術人員外流，Gary Patton 也是其中之一。

獲悉，此次 Gary Patton 在英特爾將擔任企業(yè)副總裁、設計實現(xiàn)總經(jīng)理，負責建設生態(tài)系統(tǒng)、部署特定工藝，以及處理器設計套件開發(fā)(PDK)、IP、工具等，促成新工藝滿足預設的性能、成本、上市時間需求。

目前來說，在晶圓廠之戰(zhàn)已變?yōu)?ldquo;三分天下”的格局，這三家分別是英特爾、臺積電、三星。

英特爾方面，日前報道中爆料的 2 年一更新的制程之路來說，雖然這是一個烏龍事件，但這是第一個被 ASML 爆料出的 1.4nm 工藝。當然，英特爾還強調(diào)了在每個流程節(jié)點之間，將會有迭代的+和++版本，以便從每個流程節(jié)點提取性能。但在 EUV 方面，仍然需要至 2021 年才會上 EUV 設備。

臺積電方面，眾所周知在 EUV 工藝上屬于“熟練掌握”的玩家，誠然晶圓廠在標注制程方面通常也會使用一些技巧導致臺積電 7nm 工藝與英特爾 10nm 工藝性能并無二異。但單純從數(shù)字上面來看，目前臺積電已在 5nm 方面進入量產(chǎn)倒計時，3nm 與 2nm 已提上了日程并且遠比英特爾要早。不過有了之前的經(jīng)驗，或許性能方面仍然不會有差別。

三星方面，則穩(wěn)扎穩(wěn)打，從 14nm、10nm、7nm、3nm 四個主要節(jié)點進行規(guī)劃，而在 3nm 節(jié)點以后，三星要放棄 FinFET 轉(zhuǎn)向 GAA 晶體管，3GAE 工藝和 3GAP 工藝的優(yōu)化改良之路還遠矣。

半導體行業(yè)對頂尖人才的要求非常高，往往是一個領頭人帶著一個大團隊披襟斬棘最終取得成功。正是因為如此，英特爾對于頂尖人才的追求才會如此積極。而且摩爾定律的 2 年一更新仍然在持續(xù)之中，而如若走在在 1nm 制程以下，摩爾定律該如何繼續(xù)延續(xù)，這將成為一個嚴肅的問題。