今日，據(jù)悉，中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn)，項目達產(chǎn)后，預計形成產(chǎn)值 100 億元。該項目將有吸引上游企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)聚集的作用。打造電子裝備制造、第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應基地，積極推動山西經(jīng)濟的轉(zhuǎn)型升級。

該項目投資 50 億元，建設(shè)用地約 1000 畝，計劃用 5 年時間，建成“一中心三基地”，即中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國電科(山西)光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)了解，由于大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率，碳化硅材料在眾多戰(zhàn)略行業(yè)具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

但是碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的長晶工藝技術(shù)是其核心。在中國，碳化硅單晶襯底材料長期依賴進口，其高昂的售價和不穩(wěn)定的供貨情況大大限制了國內(nèi)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展。

據(jù)悉，自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。

目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內(nèi)最早實現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。