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[導讀]中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進入AI芯片領域。

中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進入AI芯片領域。

梁孟松表示,28nm工藝在整個2018年將占據(jù)中芯國際出貨量的5-10%,其中新的28nm HKC占比將基本接近28nm Poly-SiON。

2017年第四季度,中芯國際深圳200毫米晶圓廠的產(chǎn)能為442750塊晶圓,2018年第一季度提升至447750塊,平均產(chǎn)能利用率也提高到88.3%。

同時,來自電源管理IC的需求也越來越高,200毫米晶圓廠正全力生產(chǎn),高壓BCD工藝則轉向其300毫米晶圓廠。

2017年,中芯國際收入31.01億美元,同比增長6.4%,毛利率23.9%,同比下降5.3個百分點,凈利潤10.81億美元,同比增長10.6%。

其中,28nm工藝貢獻的收入增長4.4倍創(chuàng)造新高,總體占比為8.0%,

中芯國際聯(lián)系CEO趙海軍透露,2018年第一季度中芯國際收入8.31億美元,毛利率26.5%,研發(fā)投入1.23億美元,預計第二季度收入環(huán)比增長7-9%,毛利率23-25%。

趙海軍表示,中芯國際40%的收入都來自中國內(nèi)地。

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