8月19日訊，美光宣布1z nm制程存儲芯片量開始產(chǎn)，器件功耗降低40%。

前兩天，美光公司宣布該公司以開始量產(chǎn)基于第三代 10nm 制程(又稱 1z nm)制程的存儲芯片，首批到來的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件，這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。隨著時間的推移，該公司還將進一步擴大其產(chǎn)品組合。與第二代 10nm 工藝相比， 新工藝使得美光能夠提升 DRAM 芯片密度，在增強性能的同時、降低產(chǎn)品的功耗。

在內(nèi)存工藝進入20nm之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。

根據(jù)美光之前公布的路線圖，實際上1Znm之后還會有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm級別就有六種制造工藝了，現(xiàn)在正好演進到到了第三代。

美光表示，與上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不過美光并沒有給出具體的數(shù)據(jù)，性能提升多少、成本降低多少尚無確切數(shù)據(jù)，唯一比較確切的就是說1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗，但這個比較也太過寬泛。

此外，美光還宣布批量出貨基于UFS多芯片封裝uMCP的、業(yè)界容量最高的16Gb LPDDR4X內(nèi)存，滿足了業(yè)界對低功耗及更小封裝的的要求。

值得一提的是，第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗，較同頻的兩個 8Gb DDR4 DRAM 還要低 40% 。

至于 16 Gb LPDDR4X IC，美光稱其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工藝較第二代 1Y nm 的比特密度更高，該公司可產(chǎn)出性價比更高的存儲芯片。

鑒于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔，我們只能預計其符合 JEDEC 的官方指定范圍內(nèi)。

預計首批 16 Gb DDR4 DRAM 產(chǎn)品將用于臺式機、筆記本、工作站上的高容量(32GB 或更高)內(nèi)存模組。

移動存儲器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的傳輸速率可達 4266 MT/s 。

除了為高端智能機提供高達 16 GB(8x16Gb)的 LPDDR4X DRAM 封裝，美光還將提供基于 UFS 的多芯片封裝(uMCP4)，將 NAND 用于存儲和 DRAM 。

該公司針對主流手機的 uMCP4 系列產(chǎn)品，將包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等產(chǎn)品。

最后，美光沒有透露其生產(chǎn) 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工廠。不出意外的話，應(yīng)該會在日本廣島工廠內(nèi)生產(chǎn)。

與此同時，分析師猜測該公司會在臺中附近的 Micron Memory Taiwan(前 Rexchip Semiconductor)晶圓廠啟用 1Z nm 制程生產(chǎn)線。