意法半導體（ST）發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術平臺的細節(jié)。新的技術平臺將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿足不斷升級的能效標準的要求，延長電池驅(qū)動設備的工作時間。滿足這些日益提高的標準需要全方位考慮微控制器的設計和制程技術，進行全面的最大限度的改進。

新平臺采用130nm制程，意法半導體對這個平臺進行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器、新的低壓低功耗標準外設和創(chuàng)新的電源管理架構。這些改進技術合在一起可大幅降低動態(tài)和靜態(tài)功耗，讓未來的微控制器比目前市場上低功耗產(chǎn)品的性能功率比更大幅進步。

意法半導體將在2009年推出首批基于這個超低功耗平臺的全新微控制器系列STM8L和STM32L，這兩款產(chǎn)品將開啟8位的STM8S和32位的STM32F兩個超低功耗產(chǎn)品線，閃存動態(tài)功耗降至150µA/MHz，停止模式功耗最低300nA，且可以同時保存SRAM和寄存器的內(nèi)容。STM8L產(chǎn)品的首批樣品已經(jīng)開始交付主要OEM客戶測試。

在這個新的技術平臺內(nèi)，優(yōu)化的130nm數(shù)字晶體管的漏電流很小，可降低微控制器在正常工作模式以及節(jié)能模式下的電流消耗。此外，創(chuàng)新的低功耗嵌入式非易失性存儲器可降低應用數(shù)據(jù)處理所需的功耗。改進的模擬晶體管的工作電壓降至1.65V，使片上模擬電路能夠在低壓電源下工作。通過采用低工作電壓內(nèi)核和4µs超高速低功耗狀態(tài)喚醒等方法，電源管理架構可在全部模式下節(jié)省電能。最后，專用數(shù)字庫和低功耗系統(tǒng)芯片(SoC)的新設計流程將有助于意法半導體擴大超低功耗微控制器的產(chǎn)品范圍，為市場快速推出新器件。

“基于這個平臺的全新微控制器STM8L和STM32L將擴大STM8S和STM32F產(chǎn)品系列，這兩個系列已包括好幾條以高訪問性、高性能和高連接靈活性為特色的產(chǎn)品線，”意法半導體微控制器產(chǎn)品部總經(jīng)理Jim Nicholas表示，“這些新器件將讓產(chǎn)品開發(fā)人員在高速增長市場（如便攜醫(yī)療設備和電子度量表）上，以及需要更長的電池使用壽命、更小的電池尺寸或無電池操作的新商機中，發(fā)揮今天的最先進的最高效的處理器架構的優(yōu)勢?！?/p>

其它更多的產(chǎn)品也將受益于新的8位和32位微控制器，包括報警系統(tǒng)、無線傳感器、觸感模塊和便攜設備，如個人保健設備、手持游戲機、遙控器、GPS設備、個人運動設備和手機配件。

STM8S和STM32F系列產(chǎn)品可解決開發(fā)人員對高效處理器架構的需求，具有低成本、低功耗和高設計靈活性的優(yōu)點。這兩個系列產(chǎn)品均使用先進的處理器內(nèi)核，如STM32F系列的32-位ARM Cortex-M3處理器。為提高設計靈活性和軟件再用性，兩個系列產(chǎn)品共用標準的外設功能。每個系列中的現(xiàn)有產(chǎn)品的引腳相互兼容，這個優(yōu)點讓設計人員根據(jù)每一款設計，更加自由地優(yōu)化引腳數(shù)量和外設。兩個系列產(chǎn)品都充分利用了現(xiàn)有的節(jié)能技術，包括可節(jié)省電能的睡眠模式和待機模式、可降低時鐘周期浪費的快速喚醒時間以及低電壓工作。