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[導(dǎo)讀]東芝存儲(chǔ)憑借在其XG5-P系列中推出的高端型號增強(qiáng)了其客戶端SSD的陣容。新的NVM Express(NVMe)客戶端固態(tài)硬盤可以改善當(dāng)前XG5系列機(jī)型的性能,并將最大容量提高一倍,達(dá)到2TB。

東芝存儲(chǔ)憑借在其XG5-P系列中推出的高端型號增強(qiáng)了其客戶端SSD的陣容。新的NVM Express(NVMe)客戶端固態(tài)硬盤可以改善當(dāng)前XG5系列機(jī)型的性能,并將最大容量提高一倍,達(dá)到2TB。

該公司表示,向原始設(shè)備制造商(OEM)客戶發(fā)貨的樣品數(shù)量有限,而東芝內(nèi)存(Toshiba Memory)將從2018年第一個(gè)季度逐步增加出貨量。

XG5-P系列還采用PCI Express(PCIe)Gen3 x 4通道和NVM Express Revision 1.2.1接口,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)3000 MB /s的順序讀取和2200 MB /s的順序?qū)懭?,最高可達(dá)32萬IOPS隨機(jī)讀取和265,000次IOPS隨機(jī)寫入。其全讀取范圍內(nèi)的隨機(jī)讀寫性能比標(biāo)準(zhǔn)XG5系列產(chǎn)品高約55%。同時(shí),低功耗在運(yùn)行過程中保持在60mW以下。

新的XG5-P系列采用標(biāo)準(zhǔn)的M.2 2280外形尺寸,可提供兩種容量,1TB和2TB。采用該公司內(nèi)部開發(fā)的64層3D閃存BiCS FLASH 1TB封裝,2TB型號在同樣的2.23mm,輕型單面M.2 2280模塊上提供了兩倍于標(biāo)準(zhǔn)XG5系列的最大存儲(chǔ)容量。通過在XG5-P和XG5產(chǎn)品系列中保持所有容量的單一外形尺寸,東芝內(nèi)存可以更輕松地設(shè)計(jì)需要靈活存儲(chǔ)的平臺(tái)。

XG5-P SSD還將支持TCG Opal 2.01版本的自加密驅(qū)動(dòng)(SED)型號,有助于廣泛的應(yīng)用,包括工作站,游戲PC和讀取密集型企業(yè)應(yīng)用。

東芝存儲(chǔ)(Toshiba Memory)在另一份聲明中宣布,已經(jīng)開始使用該公司的64層BiCS FLASH 3D閃存對通用閃存(UFS)設(shè)備進(jìn)行采樣。新的UFS器件滿足了對需要高速讀/寫性能和低功耗的應(yīng)用的性能要求,包括智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備以及增強(qiáng)型和虛擬現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)。

東芝存儲(chǔ)的新UFS設(shè)備陣容將有四種容量: 32GB,64GB,128GB和256GB。所有這些器件都將閃存和控制器集成在一個(gè)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的11.5x13mm封裝中。控制器執(zhí)行糾錯(cuò),損耗均衡,邏輯到物理地址轉(zhuǎn)換和壞塊管理,允許用戶簡化系統(tǒng)開發(fā)。

所有這四款器件均符合JEDEC UFS Ver2.1標(biāo)準(zhǔn),包括HS-GEAR3,其理論接口速度高達(dá)每通道5.8Gbps,同時(shí)也抑制了功耗的增加。64GB設(shè)備的連續(xù)讀寫性能分別為900MB /s和180MB /s,隨機(jī)讀寫性能分別比上一代產(chǎn)品高出200%和185%。由于其串行接口,UFS支持全雙工,使主處理器和UFS設(shè)備之間能夠同時(shí)讀寫。

 

東芝內(nèi)存NVMe客戶端SSD高級型號XG5-P系列

照片: 公司

 

東芝存儲(chǔ)UFS設(shè)備利用64層,3D閃存

照片: 公司

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