據(jù)報道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。

Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。

三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的20%，且現(xiàn)有設(shè)備的產(chǎn)量已達(dá)理論最大值。設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，三星西安廠啟動3年后的現(xiàn)在，以投入晶圓為基準(zhǔn)計算，其3D NAND Flash晶圓月產(chǎn)能為12萬片。

專家推測，西安廠與韓國華城廠L12、L16并列三星NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點，平澤廠將于2017年第1季正式稼動，加上西安廠第二期稼動后，三星勢必需調(diào)整其產(chǎn)能分配。

半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士認(rèn)為，三星3D NAND Flash未來生產(chǎn)很可能以大陸西安廠及韓國平澤廠為主，并將其目前最大NAND Flash工廠L12部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)系統(tǒng)LSI或DRAM等產(chǎn)品，逐漸降低NAND Flash產(chǎn)量。

DRAMeXchange分析三星產(chǎn)能移轉(zhuǎn)狀況，指出L12于2016年第4季晶圓月均產(chǎn)能達(dá)19萬片高峰后，2017年第1季預(yù)估為17萬片，第3季以后將減至12萬片;三星NAND Flash生產(chǎn)基地將階段性轉(zhuǎn)移至平澤廠及西安廠。

專家指出，存儲器市場2017年起進(jìn)入前所未有的超級周期(Super Cycle)是促使三星增加設(shè)備投資的主因。存儲器市場一般以3~4年為周期，交替出現(xiàn)熱況與萎縮，超級周期指出現(xiàn)長期熱絡(luò)的狀況。

韓國存儲器業(yè)者表示，過去存儲器應(yīng)用主要限于電腦、智能手機等裝置，可直接掌握市場需求變化，隨近來包括服務(wù)器、汽車、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)與人工智能(AI)等領(lǐng)域市場擴大，對NAND Flash需求也進(jìn)一步提升。

預(yù)估，2017年存儲器市場規(guī)模將達(dá)853億美元，較2016年773億美元成長10.3%，至2021年可望擴大至1099億美元的規(guī)模，年均成長率將達(dá)7.3%。

為了不讓三星在3D NAND Flash技術(shù)世代搶占先機，英特爾已擬定2017年3D NAND Flash戰(zhàn)略，在制程技術(shù)與產(chǎn)能持續(xù)推進(jìn)下，預(yù)計自2017年2月起針對資料中心、專業(yè)、消費性與嵌入式市場，將發(fā)布多款3D NAND TLC新品。

3D DAND Flash相比DRAM更有助于中國存儲器戰(zhàn)略實現(xiàn)超越，DRAM生態(tài)走向寡占市場，主要被三星、海力士、美光等韓美廠占據(jù)，中國在國際市場上可以合作的技術(shù)授權(quán)方很少，另外相比NAND領(lǐng)域，DRAM存在更高的技術(shù)壁壘和大廠折舊優(yōu)勢，不利于中國實現(xiàn)彎道超車。

不同于基于微縮技術(shù)的2D NAND Flash，3D NAND Flash的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且除了三星，其他企業(yè)在3D NAND Flash布局方面走的并不遠(yuǎn)。

基于此， 中國企業(yè)通過技術(shù)合作，專利授權(quán)許可，快速切入該領(lǐng)域，避免了國際企業(yè)在傳統(tǒng)技術(shù)研發(fā)中的設(shè)備折舊優(yōu)勢，并且在這個技術(shù)變革過程中我們又有望實現(xiàn)彎道超車。