2016 年因為旗艦型手機 Galaxy Note 7 搞出全面召回，進而停產(chǎn)的事件，讓韓國科技大廠三星原本陷入虧損數(shù)十億美元的情況。所幸，在半導(dǎo)體市場大好的浪頭上，讓三星不但逃過虧損危機，甚至還呈現(xiàn)大舉獲利的局面。因此，三星為乘勝追擊，決定在半導(dǎo)體事業(yè)上增加投資力道。根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)的報告指出，三星 2017 年在半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備上的投資金額將比 2016 年成長 11%，達到 125 億美元的規(guī)模，而 2016 年的設(shè)備投資金額為 113 億美元。

報告指出，2017 年三星的投資項目，存儲器和系統(tǒng) LSI 的投資比重為 8：2 左右。目前，三星正在韓國京畿道平澤市附近，興建世界最大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，預(yù)計在 2017 年中完工后，投入 V nand Flash 存儲器的量產(chǎn)。業(yè)界認為，隨著物聯(lián)網(wǎng)市場的擴大和高端數(shù)位設(shè)備的陸續(xù)問世，存儲器的需求將大幅增加。因此，三星也對半導(dǎo)體市場的未來發(fā)展看好，擴大了投資的規(guī)模。

另外，韓國的另一家半導(dǎo)體大廠 SK 海力士，2017 年將在設(shè)備上投資 60 億美元。這筆金額是全球第四大規(guī)模的投資，相較 2016 年的 51.8 億美元，增加約 14%。市場分析認為，繼 2016年 下半年開始，包括 DRAM 與 Flash 市場恢復(fù)成長的態(tài)勢之后，該公司就積極投入 3D Nand Flash 存儲器的市場，并將將繼續(xù)擴大投資規(guī)模。預(yù)計，2017 年 SK 海力士首先在京畿道利川的下一代 DRAM M14 生產(chǎn)線中，建立無塵室相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施上投入資金。

至于，半導(dǎo)體龍頭的英特爾 (intel)，2017 年則將在設(shè)備投資方面投入比 2016 年成長 25% 的金額，來到 120 億美元。英特爾 2016 年在設(shè)備上的投資金額也比 2015 年成長 31%。事實上，英特爾從 2016 年開始，實施了高強度的體質(zhì)改善工程，并專注于服務(wù)器領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品開發(fā)。英特爾 2016 年總計在半導(dǎo)體研發(fā)部門投入了 127.5 億美元的資金，規(guī)模是三星的四倍還要多，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資金額的龍頭。