2016 年因?yàn)槠炫炐褪謾C(jī) Galaxy Note 7 搞出全面召回，進(jìn)而停產(chǎn)的事件，讓韓國(guó)科技大廠三星原本陷入虧損數(shù)十億美元的情況。所幸，在半導(dǎo)體市場(chǎng)大好的浪頭上，讓三星不但逃過(guò)虧損危機(jī)，甚至還呈現(xiàn)大舉獲利的局面。因此，三星為乘勝追擊，決定在半導(dǎo)體事業(yè)上增加投資力道。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)的報(bào)告指出，三星 2017 年在半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備上的投資金額將比 2016 年成長(zhǎng) 11%，達(dá)到 125 億美元的規(guī)模，而 2016 年的設(shè)備投資金額為 113 億美元。

報(bào)告指出，2017 年三星的投資項(xiàng)目，存儲(chǔ)器和系統(tǒng) LSI 的投資比重為 8：2 左右。目前，三星正在韓國(guó)京畿道平澤市附近，興建世界最大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在 2017 年中完工后，投入 V nand Flash 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)。業(yè)界認(rèn)為，隨著物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的擴(kuò)大和高端數(shù)位設(shè)備的陸續(xù)問(wèn)世，存儲(chǔ)器的需求將大幅增加。因此，三星也對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)的未來(lái)發(fā)展看好，擴(kuò)大了投資的規(guī)模。

另外，韓國(guó)的另一家半導(dǎo)體大廠 SK 海力士，2017 年將在設(shè)備上投資 60 億美元。這筆金額是全球第四大規(guī)模的投資，相較 2016 年的 51.8 億美元，增加約 14%。市場(chǎng)分析認(rèn)為，繼 2016年 下半年開(kāi)始，包括 DRAM 與 Flash 市場(chǎng)恢復(fù)成長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)之后，該公司就積極投入 3D Nand Flash 存儲(chǔ)器的市場(chǎng)，并將將繼續(xù)擴(kuò)大投資規(guī)模。預(yù)計(jì)，2017 年 SK 海力士首先在京畿道利川的下一代 DRAM M14 生產(chǎn)線中，建立無(wú)塵室相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施上投入資金。

至于，半導(dǎo)體龍頭的英特爾 (intel)，2017 年則將在設(shè)備投資方面投入比 2016 年成長(zhǎng) 25% 的金額，來(lái)到 120 億美元。英特爾 2016 年在設(shè)備上的投資金額也比 2015 年成長(zhǎng) 31%。事實(shí)上，英特爾從 2016 年開(kāi)始，實(shí)施了高強(qiáng)度的體質(zhì)改善工程，并專注于服務(wù)器領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。英特爾 2016 年總計(jì)在半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)投入了 127.5 億美元的資金，規(guī)模是三星的四倍還要多，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資金額的龍頭。