以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。GaN基光電器件中，藍色發(fā)光二極管LED率先實現(xiàn)商品化生產(chǎn) 成功開發(fā)藍光LED和LD之后，科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應(yīng)用市場。氮化鎵半導(dǎo)體開關(guān)被譽為半導(dǎo)體芯片設(shè)計上一個新的里程碑。

除了可摻雜性之外，半導(dǎo)體還具有熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流等幾個特性，因此半導(dǎo)體材料除了用于制造大規(guī)模集成電路之外，還可以用于功率器件、光電器件、壓力傳感器、熱電制冷等用途;利用微電子的超微細加工技術(shù)，還可以制成MEMS(微機械電子系統(tǒng))，應(yīng)用在電子、醫(yī)療領(lǐng)域。

所以前兩年中國在全球掀起的半導(dǎo)體購并行動曾經(jīng)呼風喚雨，但現(xiàn)在似乎要喊卡，由于外國監(jiān)管單位與企業(yè)對所有權(quán)管制愈來愈嚴格，使得中國購并國外半導(dǎo)體公司壯大勢力的策略頻頻受阻，使得中國國內(nèi)業(yè)者開始反思購并策略，認為中國應(yīng)該把注意力放在研發(fā)與人才培養(yǎng)。

日經(jīng)新聞報導(dǎo)，中芯國際旗下投資基金中芯聚源資本執(zhí)行長在上海一場半導(dǎo)體論壇上表示，未來只會看到愈來愈多失敗的海外購并案例，認為中國購買優(yōu)秀的晶片公司時機已過，現(xiàn)在美國、日本與南韓都對中國企業(yè)購并策略提高警覺，主要是因為晶片產(chǎn)業(yè)被視為是國家安全與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。

且他認為接下來只會剩下低技術(shù)含量且低價值的企業(yè)獲得出售批準，對中國而言，與其專注全球收購標的，不如把時間花在研發(fā)自己的技術(shù)與吸引全球人才。去年有中國政府撐腰的紫光集團購并美光、威騰電子，以及3 家臺灣封測廠力成、南茂、矽品都遇到阻礙，當時紫光集團董事長趙偉國還稱主要問題出在臺灣，認為臺灣太排斥中國資金。

美國前總統(tǒng)歐巴馬還阻止另一個中國基金購買德國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商愛思強(Aixtron)，理由也是國家安全風險。即使正在替賺錢的記憶體業(yè)務(wù)選擇潛在買家的日本大廠東芝，也已經(jīng)強調(diào)不會考慮賣給與日本有政治爭端國家的企業(yè)，這個聲明被看做是一個尖銳的評論，旨在勸阻中國人。

中國集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金會主席也認為，中國需要將加強自己的技術(shù)，但不必要放棄發(fā)展國際伙伴關(guān)系。展訊創(chuàng)始人武平則認為日本和南韓在國內(nèi)市場飽和時拒絕中國購并不符合國家利益，展訊旗下武岳峰資本在2015 年以6.4 億美元收購美國動態(tài)隨機存取記憶體制造商矽成(ISSI )。

中國為了要擺脫對英特爾、高通、三星、SK海力士、臺積電與東芝等公司的依賴，決定建立國內(nèi)自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但許多中國企業(yè)家與專家都認為中國應(yīng)避免過度投資引發(fā)供給過剩的問題。

根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料國際組織(Semiconductor Equipment and Materials InternaTIonal)的數(shù)據(jù)，從現(xiàn)在到2020 年，全球60 家以上計畫或正在興建的12 寸晶片廠中，有26 家會在中國，比例超過60 %。研究公司IC Insights 數(shù)據(jù)指出，2016 年底全球約有100 個12 寸晶片制造廠，中國廠商如中芯國際和華立微電子擁有的廠不到5 個。

中國清華大學(xué)微電子學(xué)研究所教授兼主任魏少軍認為，中國市場非常大，因此不需擔心產(chǎn)能過剩的問題，需要擔心的是有些企業(yè)只投資無競爭力的工廠，隨后可能導(dǎo)致供應(yīng)過剩，他也認為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段最重要的還是專注做研發(fā)，以及培養(yǎng)更多產(chǎn)業(yè)人才。