臺(tái)積電決定不參與對(duì)東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競(jìng)購(gòu)
臺(tái)積電證實(shí),它決定不參與對(duì)東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競(jìng)購(gòu)。臺(tái)積電認(rèn)為,標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存芯片領(lǐng)域的業(yè)務(wù)模式,不同于邏輯芯片領(lǐng)域。臺(tái)積電稱,促使它不參與對(duì)東芝閃存芯片業(yè)務(wù)競(jìng)購(gòu)的其他原因是,兩者之間不存在協(xié)同效應(yīng)。臺(tái)積電一直在開發(fā)自己的嵌入式內(nèi)存技術(shù)平臺(tái),但它對(duì)DRAM和NAND閃存等標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存類型芯片沒有興趣。
臺(tái)積電
在回應(yīng)是否考慮在美國(guó)建立先進(jìn)的3納米工藝芯片制造工廠時(shí),臺(tái)積電表示它將繼續(xù)考慮各種選項(xiàng)。臺(tái)積電聯(lián)合首席執(zhí)行官魏哲家在4月13日的投資者會(huì)議上說,“鑒于多種因素,在美國(guó)建立芯片廠并非是最理想的,雖然對(duì)我們來說這是一個(gè)可以考慮的選項(xiàng)。”