最近華為P10閃存縮水一事可謂鬧得滿城風雨，一部好端端的旗艦硬是塞進了UFS 2.1、UFS2.0、eMMC5.1三種閃存芯片，后者的閃存順序讀取速度僅有前者的三分之一，這讓不少花了大價錢卻買到低端芯片的用戶深感不滿，華為也面臨著一個前所未有的公關危機。

不過這到底是怎么一回事呢?其實很簡單，華為在P10里同時使用了UFS2.1、UFS2.0和eMMC5.1三種閃存芯片，而三種儲存芯片在連續(xù)讀取有著明顯的區(qū)別(分別為750MB/s、550MB/s、250MB/s三檔)，雖然官方規(guī)格參數(shù)沒有明說，但當消費者拿到手機進行測試后，這個問題就暴露出來了。

華為后來的聲明里證實 P10 系列的閃存芯片供應商確實不止一家，但卻強調體驗流暢與否“不是單純由某個單一部件性能決定”。雖然這公關救火來得還算及時，但華為能否挽回因閃存門而下滑的聲譽就消費者買不買帳了。

雖然華為表示“某些跑分軟件”在測試閃存相關性能時，并不能準確反映出整個手機的系統(tǒng)性能和體驗。但跑分軟件本來就是讓消費者直觀地評判性能的工具，就好在電腦裝了SSD固態(tài)硬盤之后也要跑個分看看讀寫性能，不然總覺得缺了點什么。

手機廠商出于控制成本和風險從多個供應商采購元件是慣常的做法，例如iPhone 6s的A9處理器就有分三星代工和臺積電代工，雖說兩者在耗電和續(xù)航上有一定差異。但兩者性能之間的差距也不至于不在同一檔次，但華為這次顯然是玩過頭砸到自己腳了。

因此我們把最近半年華為推出的高端手機全部拉出來比一比，從左到右分別是Mate 9 PRO、P10 Plus、榮耀V9和Mate 9，看看能不能從中找到一些有趣的事實。

首先是P10 Plus，順序讀取768.33MB/s、順序寫入186.06MB/s，隨機讀取169.47MB/s、隨機寫入148.63MB/s，都是挺理想的成績。根據(jù)網(wǎng)上的性能分級，這部有著歐洲血統(tǒng)的P10 Plus基本確定是采用了最高端的UFS2.1儲存芯片了。

其次是榮耀V9，順序讀取748.11MB/s、順序寫入172.03MB/s，隨機讀取171.92MB/s、隨機寫入139.38MB/s。三項數(shù)據(jù)略遜于P10 Plus，但也屬于是UFS2.1應有的表現(xiàn)。

隨后是Mate 9，升級B186前隨機寫入僅有可憐的18.77MB/s，升級之后一下子提升至145.42MB/s，其余項目則有一定的波動，最亮眼的就是升級后的順序讀取，足足跑到了821.3MB/s。

最后是Mate 9 PRO，升級B186前隨機寫入比Mate 9更慘只有8.52MB/s，升級之后提升至47.97MB/s。綜合550MB/s左右的順序讀取性能，這部售價比Mate 9更貴的Mate 9 PRO應該用的就是UFS2.0儲存芯片了，PRO?呵呵……

從Mate 9和Mate 9 PRO的表現(xiàn)可以看出，即便是用著好芯片，遇著系統(tǒng)負優(yōu)化手機也得跪。但不同規(guī)格的芯片所體現(xiàn)的性能差距也是很明顯的，即便系統(tǒng)優(yōu)化得再好，也很難彌補先天不足帶來的劣勢。

買到UFS2.1的自然歡天喜地，拿到UFS2.0的還能湊合一下，但買到eMMC5.1的就慘了，明明花了一樣的錢，非洲人卻只能享受到歐洲人三分之一的速度，這叫人如何繼續(xù)信任華為這個品牌。

孔子曰：“不患寡而患不均”，當中的道理讀過書的都知道。雖然資深電腦玩家到知道連續(xù)讀寫性能并不能證明閃存芯片的優(yōu)劣，在日常使用中更重要的是隨機讀寫性能。但發(fā)布會上用頂級芯片做宣傳，市售版卻混用不同檔次的元件，華為夠膽這樣做，是覺得消費者不會關心這些細節(jié)嗎?