全球存儲(chǔ)器龍頭大廠針對(duì)3D NAND Flash開始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測(cè)業(yè)者表示，估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價(jià)格漲勢(shì)回穩(wěn)，而進(jìn)入3D NAND時(shí)代后，存儲(chǔ)器封測(cè)業(yè)者中，又以力成最為受惠。

由于2017年存儲(chǔ)器大廠從2D NAND轉(zhuǎn)換到3D NAND，良率有所考驗(yàn)，2D NAND既有產(chǎn)能則被占據(jù)，加上市場(chǎng)上需求不墜，供給減少需求續(xù)增，造成整體NAND Flash價(jià)格上漲、供需緊張局面，不過半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)者已經(jīng)表示估計(jì)韓系業(yè)者在2017年下半陸續(xù)量產(chǎn)，三星以64層3D NAND、SK海力士更以72層3D NAND力求領(lǐng)先業(yè)界。

而與臺(tái)系存儲(chǔ)器相關(guān)供應(yīng)體系業(yè)者合作關(guān)系良好的美系美光，預(yù)計(jì)投入研發(fā)生產(chǎn)64層3D NAND，2017年第2季開始量產(chǎn)，2017年下半更可望放量生產(chǎn)，日系東芝也鎖定64層3D NAND Flash產(chǎn)品大力投入。

而觀察幾大存儲(chǔ)器原廠動(dòng)向，臺(tái)系大廠力成將成為后段封測(cè)代工的大贏家，2017年下半營(yíng)運(yùn)備受市場(chǎng)期待。主因系東芝持續(xù)擴(kuò)大3D NAND產(chǎn)能，力成獲認(rèn)證通過，第1季開始接單量產(chǎn)。美系大廠英特爾大連廠2016年底量產(chǎn)3D NAND，2017年下半會(huì)再量產(chǎn)新一代3D XPoint存儲(chǔ)器(NVM非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，效能大勝于NAND Flash，目前英特爾僅推出第一款采用3D Xpoint之固態(tài)硬碟)，力成仍有機(jī)會(huì)成為主要后段封測(cè)代工廠，加上美光的3D NAND訂單，力成2017年逐季成長(zhǎng)備受期待。董事長(zhǎng)蔡篤恭日前也直接表示，第2季優(yōu)于第1季，力成主力客戶都直接為半導(dǎo)體業(yè)者，也不會(huì)受到缺貨漲價(jià)等問題影響太多。

對(duì)于封測(cè)業(yè)者來說，高階產(chǎn)品測(cè)試時(shí)間拉長(zhǎng)，有利于封測(cè)業(yè)者營(yíng)運(yùn)，另外，影響封測(cè)業(yè)者營(yíng)運(yùn)增溫也必須端看訂單數(shù)量，3D NAND或是英特爾3D Xpoint產(chǎn)品，具有相當(dāng)難度，拉長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間對(duì)于力成等后段業(yè)者有利。

熟悉存儲(chǔ)器業(yè)者表示，估計(jì)2017年上半不管是DRAM、NAND Flash缺貨漲價(jià)態(tài)勢(shì)還會(huì)持續(xù)，但是缺貨也造成二線業(yè)者營(yíng)運(yùn)有壓力，預(yù)計(jì)市場(chǎng)到了第3季隨著國(guó)際大廠陸續(xù)放量生產(chǎn)3D NAND，整體NAND Flash漲價(jià)態(tài)勢(shì)稍微趨緩，產(chǎn)業(yè)供需緊張可望稍微調(diào)整腳步。