到去年為止，臺(tái)灣已經(jīng)連續(xù)5年成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場，但根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的預(yù)估，臺(tái)灣今年將把最大設(shè)備市場的寶座拱手讓給韓國，明年還會(huì)被大陸超越。而講白一點(diǎn)，臺(tái)灣的半導(dǎo)體設(shè)備投資，幾乎只靠臺(tái)積電撐著，一旦臺(tái)積電投資動(dòng)作放緩下來，自然沒辦法繼續(xù)穩(wěn)坐最大市場寶座。

臺(tái)積電未來幾年的年度資本支出預(yù)算將維持在100億美元以上，除了持續(xù)擴(kuò)充7奈米產(chǎn)能，也開始規(guī)畫興建支援最新極紫外光(EUV)微影技術(shù)的先進(jìn)制程產(chǎn)能，并且規(guī)畫興建支援5奈米的晶圓廠。只不過，臺(tái)積電現(xiàn)在的技術(shù)能力，同一套設(shè)備投資可以應(yīng)用在2個(gè)制程世代，如臺(tái)積電中科廠的新投資，就可同時(shí)支援10nm及7nm，但這也代表臺(tái)積電的資本支出成長趨緩。

至于其它半導(dǎo)體廠的投資部份，聯(lián)電的資本支出每年都維持在20億美元左右，日月光及硅品的資本支出加起來不超過10億美元，記憶體廠的資本支出就更有限。

反觀韓國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展近況，三星及SK海力士是全球兩大記憶體廠，今年以來DRAM及NAND Flash價(jià)格大漲，產(chǎn)能嚴(yán)重吃緊，兩家大廠自然會(huì)全力擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)需求。尤其是三星及SK海力士正全力擴(kuò)大3D NAND的產(chǎn)能，全新的晶圓廠投資規(guī)模龐大，所以韓國今年才會(huì)擠下臺(tái)灣成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場，明年也可望繼續(xù)蟬連最大市場寶座。

大陸近年來積極投資興建12寸晶圓廠，不僅臺(tái)積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、力晶合肥廠已卡位，包括中芯國際、武漢新芯等大陸業(yè)者也陸續(xù)宣布投資興建新廠，英特爾、格羅方德、三星、SK海力士等國際大廠亦有投資案在進(jìn)行。隨著各地新晶圓廠建廠在明年完成并開始采購設(shè)備，設(shè)備支出規(guī)模當(dāng)然可以超過臺(tái)灣。

總體來看，臺(tái)灣痛失最大半導(dǎo)體設(shè)備市場寶座，就是因?yàn)槌伺_(tái)積電外，其它半導(dǎo)體廠都沒有太大的投資。對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，投資是追求成長的必要條件，一旦投資緩了下來，營運(yùn)成長動(dòng)能自然也會(huì)緩下來，成為一種惡性循環(huán)，這對(duì)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)也將會(huì)是一大傷害。