IP供應(yīng)商力旺電子極力布局車用電子市場(chǎng)，提出可編寫次數(shù)超過(guò)50萬(wàn)次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可復(fù)寫唯讀存儲(chǔ)器)矽智財(cái)(Silicon IP)，來(lái)因應(yīng)車用市場(chǎng)的需求，且不需要額外加光罩即可應(yīng)用于現(xiàn)有平臺(tái)上，不單是車用電子，也可用于指紋識(shí)別、電源管理IC、NFC、RFIC等。

力旺這次提出可編寫次數(shù)超過(guò)50萬(wàn)次的嵌入式EEPROM，是強(qiáng)化版IP，也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新產(chǎn)品，而這個(gè)新版IP的編寫次數(shù)是原版的數(shù)十倍，同時(shí)編寫/抹除(Program/Erase)時(shí)間減少將近50%，資料保存期限在150°C高溫操作下，更可以高達(dá)10年之久。

力旺分析，新版的NeoEE與現(xiàn)有邏輯制程和車規(guī)常用的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程完全相容，不需要加光罩即可整合至不同類型的制程平臺(tái)，且該IP已經(jīng)通過(guò)晶圓廠0.18微米5V制程平臺(tái)的驗(yàn)證，目前正在著手布建將這項(xiàng)技術(shù)轉(zhuǎn)至其他5V平臺(tái)。 在應(yīng)用方面，力旺指出，強(qiáng)化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應(yīng)用，包括指紋識(shí)別芯片、智能卡、NFC、RFID，電源管理IC和微處理器(MCU)等。值得注意的是，這項(xiàng)IP的耐受度(endurance)、高溫操作、生命周期都是依照AEC-Q100的車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，未來(lái)也會(huì)主打車用市場(chǎng)。 NeoEE 矽智財(cái)以標(biāo)準(zhǔn)5V MOS制程平臺(tái)為開發(fā)基礎(chǔ)，容易整合至車用電子常使用的高壓(HV)及BCD等制程平臺(tái)，從成本和安全的角度來(lái)看，NeoEE最適合取代傳統(tǒng)外掛式EEPROM。

一般可編寫存儲(chǔ)器在經(jīng)過(guò)重復(fù)編寫后，穩(wěn)定度會(huì)遞減，主要是因?yàn)橹貜?fù)編寫會(huì)改變存儲(chǔ)器的電子分布，導(dǎo)致編寫和抹除位元間的信號(hào)差異愈來(lái)愈不明顯，最后會(huì)無(wú)法分辨。

力旺這次將新IP可以達(dá)到重復(fù)編寫次數(shù)提升至50萬(wàn)次以上的水準(zhǔn)，主要是透過(guò)優(yōu)化存儲(chǔ)器單元架構(gòu)及采用新的編寫/抹除運(yùn)算法，來(lái)減輕重復(fù)編寫造成的存儲(chǔ)器損耗。

經(jīng)過(guò)測(cè)試，強(qiáng)化版NeoEE經(jīng)歷長(zhǎng)達(dá)2,500個(gè)小時(shí)150°C的高溫后，編寫和抹除位元狀態(tài)穩(wěn)定，并無(wú)電流(壓)增加或流失的現(xiàn)象。

再者，NeoEE結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，抹寫次數(shù)可高達(dá)1,000至50萬(wàn)次以上，最高容量達(dá)16K bits，可操作溫度區(qū)間為-40~150°C，資料保存期限長(zhǎng)達(dá)10年。 由于與現(xiàn)有邏輯制程完全相容，NeoEE無(wú)需外加任何光罩即可整合至不同類型之制程平臺(tái)，可以降低半導(dǎo)體廠導(dǎo)入的成本，并且節(jié)省產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間。