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[導(dǎo)讀]根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示,在1978年至2012年的34年間,DRAM每位元(bit)價(jià)格平均每年下跌33%。然而,從2012年到2017年,DRAM平均每位元價(jià)格下跌僅為每年3%。此外,2017年全年DRAM價(jià)格漲幅達(dá)到47%,是自1978年以來最大的年度漲幅,超過了1988年30年前的45%漲幅。

根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示,在1978年至2012年的34年間,DRAM每位元(bit)價(jià)格平均每年下跌33%。然而,從2012年到2017年,DRAM平均每位元價(jià)格下跌僅為每年3%。此外,2017年全年DRAM價(jià)格漲幅達(dá)到47%,是自1978年以來最大的年度漲幅,超過了1988年30年前的45%漲幅。

 

在2017年,DRAM位元成長率為20%,2018年,三大DRAM制造商(如三星、SK海力士和美光)均表示他們預(yù)計(jì)DRAM位元數(shù)成長再次達(dá)到20%左右。但是,如圖所示,2017年5月至2018年1月的9個(gè)月期間,DRAM每月的同比成長率僅為13%。

另外,從2017年1月到2018年1月的DRAM每月每千顆價(jià)格。DRAM每Gb價(jià)格一直在急劇上升,2017年1月與2018年1月相較,價(jià)格上漲47%。毫無疑問,電子系統(tǒng)制造商目前正在爭先恐后地調(diào)整和適應(yīng)DRAM價(jià)格的飛漲。

雖然難以精確衡量,但I(xiàn)C Insights認(rèn)為,DRAM位元數(shù)的使用量也受到價(jià)格上漲的影響,增加的成本抑制了需求,降低成本擴(kuò)大了使用范圍并開辟了新的應(yīng)用。從2017年1月到2018年1月,DRAM每位元價(jià)格與同期相較成長量之間的相關(guān)系數(shù)為-0.88,這兩個(gè)因素完全相反:將是-1.0。因此,雖然系統(tǒng)制造商并未縮減目前出貨的系統(tǒng)中的DRAM使用量,但有傳言稱,一些智慧手機(jī)廠商在接下來推出的新產(chǎn)品中將降低DRAM的容量。

與之相對應(yīng)的產(chǎn)量方面,增長卻十分緩慢。觀察人士稱,主要是DRAM也進(jìn)入10nm級別的制程,良率的提高不像以前那么快了。

 

誰是漲價(jià)潮大贏家?

若單就DRAM 來看,從記憶體調(diào)研DRAMeXchange 數(shù)據(jù)觀察,三星單計(jì)DRAM 營收約76 億美元,季增20.7%,SK 海力士DRAM 營收金額則在45 億美元,季成長幅度約11.2% ,若以營收占比來換算的話,DRAM 三星、SK 海力士兩大韓廠就囊括了73.5% 的市占。美光第二季營收36 億美元,季增20.2%,市占21.6%,三大廠加起來市占就高達(dá)95.1%,基本上觀察三大廠商就能看出整體DRAM 產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢。

 

調(diào)研最新預(yù)測,預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%,維持在近年來的低點(diǎn),然而從需求端來看,智慧型手機(jī)記憶體容量持續(xù)升級,以及伺服器/資料中心的強(qiáng)勁需求,預(yù)估2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%,吃緊態(tài)勢將延續(xù)。接下來這幾大記憶體廠商能否賺得缽滿盆滿,除了視記憶體供需外,各家先進(jìn)制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度、良率以及產(chǎn)能利用率也是重點(diǎn)。從筆者搜集到的資訊來看:

三星仍是技術(shù)力最強(qiáng)的公司,目前主力制程為18納米其良率早已超過85%,預(yù)計(jì)今年在三星內(nèi)部占比將接近五成,明年往七成的比重邁進(jìn)。從三星以往一個(gè)制程進(jìn)入成熟階段后,會(huì)在一年內(nèi)將其比重拉到八成的往例來看,三星在18納米制程刻意放慢腳步,除了競爭對手跟三星相比依舊有段差距外,借此減緩資本支出,也是維持獲利的一種手段。三星每月平均投片量約390K,目前產(chǎn)能增加的空間已相當(dāng)有限,僅有Line17以及部分Line15空間可以增加產(chǎn)能,最多多出約50K~70K的空間供DRAM生產(chǎn)之用。在新廠計(jì)劃方面,三星屬意于平澤興建第二座12吋廠,此工廠將會(huì)以DRAM為主力產(chǎn)品,不過廠房興建及量產(chǎn)時(shí)程仍在研擬階段。

SK 海力士目前的制程以21納米制程為主,預(yù)計(jì)今年年底占比約七成,其余都是25納米制程,今年受限于工廠空間不足的關(guān)系,21納米制程已無再提升比重的計(jì)劃,今年年底SK海力士將首度邁進(jìn)20納米制程以下的領(lǐng)域,18納米制程將進(jìn)入量產(chǎn)階段,也預(yù)計(jì)2018年將會(huì)用18納米制程擴(kuò)大產(chǎn)出量與占比。然而像M10廠由于工廠較舊,轉(zhuǎn)進(jìn)18納米制程將產(chǎn)生較大的晶圓損失(Wafer Lost),也因此部分產(chǎn)能已經(jīng)轉(zhuǎn)去代工領(lǐng)域會(huì)比較符合經(jīng)濟(jì)效益,整體而言,最多M14廠還有20K DRAM產(chǎn)能可供利用,SK海力士也決議在無錫興建第二座12吋廠,但預(yù)計(jì)最快開出產(chǎn)能時(shí)間將落在2019年。

而美光集團(tuán),今年致力于17納米制程的轉(zhuǎn)進(jìn),但從晶圓的產(chǎn)出顆粒來看,其17納米制程僅等同于三星20納米制程,故技術(shù)力來看算是目前三大DRAM廠較為落后的公司,根據(jù)目前的規(guī)畫,臺(tái)灣美光記憶體(原瑞晶)至今年年底將有90%投片都是17納米制程,而臺(tái)灣美光晶圓科技(原華亞科)在明年也會(huì)有50%的投片都是17納米制程。

在產(chǎn)能上基本上也都已滿載,唯一還有剩余空間可以利用的只有臺(tái)灣美光記憶體(原瑞晶)的A2廠區(qū),此場區(qū)雖然因?yàn)?7納米制程的轉(zhuǎn)進(jìn),已經(jīng)有部分機(jī)臺(tái)進(jìn)駐,但評估仍有60%~70%的空間可供利用,可提升產(chǎn)能預(yù)估約在30K~40K,而美光看來還未有興建新工廠的計(jì)劃。

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