根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元(bit)價(jià)格平均每年下跌33%。然而，從2012年到2017年，DRAM平均每位元價(jià)格下跌僅為每年3%。此外，2017年全年DRAM價(jià)格漲幅達(dá)到47%，是自1978年以來(lái)最大的年度漲幅，超過(guò)了1988年30年前的45%漲幅。

在2017年，DRAM位元成長(zhǎng)率為20%，2018年，三大DRAM制造商(如三星、SK海力士和美光)均表示他們預(yù)計(jì)DRAM位元數(shù)成長(zhǎng)再次達(dá)到20%左右。但是，如圖所示，2017年5月至2018年1月的9個(gè)月期間，DRAM每月的同比成長(zhǎng)率僅為13%。

另外，從2017年1月到2018年1月的DRAM每月每千顆價(jià)格。DRAM每Gb價(jià)格一直在急劇上升，2017年1月與2018年1月相較，價(jià)格上漲47%。毫無(wú)疑問(wèn)，電子系統(tǒng)制造商目前正在爭(zhēng)先恐后地調(diào)整和適應(yīng)DRAM價(jià)格的飛漲。

雖然難以精確衡量，但I(xiàn)C Insights認(rèn)為，DRAM位元數(shù)的使用量也受到價(jià)格上漲的影響，增加的成本抑制了需求，降低成本擴(kuò)大了使用范圍并開(kāi)辟了新的應(yīng)用。從2017年1月到2018年1月，DRAM每位元價(jià)格與同期相較成長(zhǎng)量之間的相關(guān)系數(shù)為-0.88，這兩個(gè)因素完全相反：將是-1.0。因此，雖然系統(tǒng)制造商并未縮減目前出貨的系統(tǒng)中的DRAM使用量，但有傳言稱(chēng)，一些智慧手機(jī)廠商在接下來(lái)推出的新產(chǎn)品中將降低DRAM的容量。

與之相對(duì)應(yīng)的產(chǎn)量方面，增長(zhǎng)卻十分緩慢。觀察人士稱(chēng)，主要是DRAM也進(jìn)入10nm級(jí)別的制程，良率的提高不像以前那么快了。

誰(shuí)是漲價(jià)潮大贏家?

若單就DRAM 來(lái)看，從記憶體調(diào)研DRAMeXchange 數(shù)據(jù)觀察，三星單計(jì)DRAM 營(yíng)收約76 億美元，季增20.7%，SK 海力士DRAM 營(yíng)收金額則在45 億美元，季成長(zhǎng)幅度約11.2% ，若以營(yíng)收占比來(lái)?yè)Q算的話，DRAM 三星、SK 海力士?jī)纱箜n廠就囊括了73.5% 的市占。美光第二季營(yíng)收36 億美元，季增20.2%，市占21.6%，三大廠加起來(lái)市占就高達(dá)95.1%，基本上觀察三大廠商就能看出整體DRAM 產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)。

調(diào)研最新預(yù)測(cè)，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(zhǎng)率為19.6%，維持在近年來(lái)的低點(diǎn)，然而從需求端來(lái)看，智慧型手機(jī)記憶體容量持續(xù)升級(jí)，以及伺服器/資料中心的強(qiáng)勁需求，預(yù)估2018年整體DRAM需求端年成長(zhǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%，吃緊態(tài)勢(shì)將延續(xù)。接下來(lái)這幾大記憶體廠商能否賺得缽滿盆滿，除了視記憶體供需外，各家先進(jìn)制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度、良率以及產(chǎn)能利用率也是重點(diǎn)。從筆者搜集到的資訊來(lái)看：

三星仍是技術(shù)力最強(qiáng)的公司，目前主力制程為18納米其良率早已超過(guò)85%，預(yù)計(jì)今年在三星內(nèi)部占比將接近五成，明年往七成的比重邁進(jìn)。從三星以往一個(gè)制程進(jìn)入成熟階段后，會(huì)在一年內(nèi)將其比重拉到八成的往例來(lái)看，三星在18納米制程刻意放慢腳步，除了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手跟三星相比依舊有段差距外，借此減緩資本支出，也是維持獲利的一種手段。三星每月平均投片量約390K，目前產(chǎn)能增加的空間已相當(dāng)有限，僅有Line17以及部分Line15空間可以增加產(chǎn)能，最多多出約50K~70K的空間供DRAM生產(chǎn)之用。在新廠計(jì)劃方面，三星屬意于平澤興建第二座12吋廠，此工廠將會(huì)以DRAM為主力產(chǎn)品，不過(guò)廠房興建及量產(chǎn)時(shí)程仍在研擬階段。

SK 海力士目前的制程以21納米制程為主，預(yù)計(jì)今年年底占比約七成，其余都是25納米制程，今年受限于工廠空間不足的關(guān)系，21納米制程已無(wú)再提升比重的計(jì)劃，今年年底SK海力士將首度邁進(jìn)20納米制程以下的領(lǐng)域，18納米制程將進(jìn)入量產(chǎn)階段，也預(yù)計(jì)2018年將會(huì)用18納米制程擴(kuò)大產(chǎn)出量與占比。然而像M10廠由于工廠較舊，轉(zhuǎn)進(jìn)18納米制程將產(chǎn)生較大的晶圓損失(Wafer Lost)，也因此部分產(chǎn)能已經(jīng)轉(zhuǎn)去代工領(lǐng)域會(huì)比較符合經(jīng)濟(jì)效益，整體而言，最多M14廠還有20K DRAM產(chǎn)能可供利用，SK海力士也決議在無(wú)錫興建第二座12吋廠，但預(yù)計(jì)最快開(kāi)出產(chǎn)能時(shí)間將落在2019年。

而美光集團(tuán)，今年致力于17納米制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，但從晶圓的產(chǎn)出顆粒來(lái)看，其17納米制程僅等同于三星20納米制程，故技術(shù)力來(lái)看算是目前三大DRAM廠較為落后的公司，根據(jù)目前的規(guī)畫(huà)，臺(tái)灣美光記憶體(原瑞晶)至今年年底將有90%投片都是17納米制程，而臺(tái)灣美光晶圓科技(原華亞科)在明年也會(huì)有50%的投片都是17納米制程。

在產(chǎn)能上基本上也都已滿載，唯一還有剩余空間可以利用的只有臺(tái)灣美光記憶體(原瑞晶)的A2廠區(qū)，此場(chǎng)區(qū)雖然因?yàn)?7納米制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，已經(jīng)有部分機(jī)臺(tái)進(jìn)駐，但評(píng)估仍有60%~70%的空間可供利用，可提升產(chǎn)能預(yù)估約在30K~40K，而美光看來(lái)還未有興建新工廠的計(jì)劃。