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[導讀]去年,英特爾第一次在公開場合提出了“混搭”的概念。也就是將不同規(guī)格的半導體芯片通過特殊方式封裝在一個芯片之上,使之具備更強的性能和更好的功耗表現(xiàn)。這種混搭封裝技術被英特爾命名為EMIB,即Embedded Multi-Die Interconnect Bridge,中文譯名為嵌入式多核心互聯(lián)橋接。

去年,英特爾第一次在公開場合提出了“混搭”的概念。也就是將不同規(guī)格的半導體芯片通過特殊方式封裝在一個芯片之上,使之具備更強的性能和更好的功耗表現(xiàn)。這種混搭封裝技術被英特爾命名為EMIB,即Embedded Multi-Die Interconnect Bridge,中文譯名為嵌入式多核心互聯(lián)橋接。

EMIB是隨著英特爾Kaby Lake-G公布以及搭載KBL-G的冥王峽谷NUC發(fā)售而進入大眾消費者眼簾的。作為冥王峽谷的用戶,我可以算是EMIB技術的第一批受益者,也深深感受到了這種技術所存在的潛力。通過EMIB方式,KBL-G平臺將英特爾酷睿處理器與AMD Radeon RX Vega M GPU整合在一起,同時具備了英特爾處理器強大的計算能力與AMD GPU出色的圖形能力,同時還有著極佳的散熱體驗。這顆芯片創(chuàng)造了歷史,也讓產(chǎn)品體驗達到了一個新的層次。

冥王峽谷是KBL-G平臺的代表產(chǎn)品,它將辦公與品質(zhì)娛樂很好的結合在一起

在今年初的CES 2019上,英特爾繼更早之前的Architecture Day之后,又一次展示了Foveros 3D封裝技術,作為EMIB技術的“升級版”,F(xiàn)overos堪稱半導體芯片界的黑科技。簡單來說,EMIB與Foveros的區(qū)別在于前者是2D封裝技術,而后者則是3D堆疊封裝技術。

2D與3D的區(qū)別其實很好理解,就像是平房和¥房的區(qū)別。假如一個小區(qū)有300人,這300人要安置在房子里的話,如果使用蓋平房的方式來做的話,那ô就需要100間到300間房子,而且這些房子需要平鋪在極大的一片土地上;而如果使用蓋¥房的方式來做的話,那ô同樣需要100-300間房子,但是只需要比前者小得多的占地面積就可以承載的下,這就是2D封裝與3D封裝的區(qū)別。

放在半導體芯片領域來講的話,其實EMIB和Foveros在芯片性能、功能方面的差異不大,都是將不同規(guī)格、不同功能的芯片堆疊在一起來發(fā)揮不同的作用。不過在體積、功耗等方面,F(xiàn)overos 3D堆疊的優(yōu)勢就顯現(xiàn)了出來。今年CES 2019英特爾發(fā)布會上,英特爾公司高級副總裁兼客戶端計算事業(yè)部總經(jīng)理Gregory Bryant展示了首款Foveros 3D堆疊設計的主板芯片LakeField,它集成了10nm Ice Lake處理器以及22nm小核心,具備完整的PC功能,但體積只有幾ö美分硬幣大小,讓人感受到了Foveros 3D封裝技術的強大。

雖說Foveros是更為先進的3D封裝技術,但它與EMIB之間并非取代關系,英特爾在后續(xù)的制造中會將二者結合起來使用。

以下兩張圖,是對這一突破性發(fā)明的詳細介紹,第一張圖展示了Foveros如何與英特爾嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)2D封裝技術相結合,將不同類型的小芯片IP靈活組合在一起,第二張圖則分別從俯視和側視的角度透視了Foveros 3D封裝技術。

無論是EMIB還是Foveros,封裝方式不同,但解決的問題是一樣的。

以往單片時代處理器內(nèi)部的CPU核心、GPU核心、IO單元、內(nèi)存控制器等子單元都必須是同一工藝制程下設計的,不過在實際應用中其實并不需要大家都一樣。比如CPU、GPU核心需要更高的性能,那ô以更加先進的工藝去設計制造是必要的。但是像IO單元、控制器等器件,就不需要這ô先進的工藝了。以前的封裝技術無法解決這種問題,但是通過EMIB或Foveros就可以實現(xiàn)不同工藝芯片之間的堆疊封裝了。

此外,F(xiàn)overos與EMIB的意義不僅僅在于可以將不同規(guī)格之間的芯片封裝在一起,更重要的意義在于它的出現(xiàn)能夠讓英特爾擺脫芯片架構與工藝之間“捆綁”的束縛,使工藝與架構分離,這樣可以使英特爾在制程、架構設計上有更強的靈活性。

在目前的半導體芯片行業(yè)中,英特爾是為數(shù)不多的IDM垂直整合型半導體公司。即自己設計芯片架構、自己制造芯片、自己封裝芯片,這一點其它芯片廠商幾乎做不到。

不過這也是一把雙刃劍。優(yōu)點是英特爾能夠自主根據(jù)不同工藝開發(fā)不同的CPU架構,而且因為是全自主,所以新工藝開發(fā)的架構可以最大化的利用特定工藝的優(yōu)勢,使之達到更好的匹配與契合;但不足之處在于將架構與工藝捆綁起來制約了靈活性,比如10nm延期之后,英特爾無法使用14nm工藝去生產(chǎn)10nm制程架構就是典型的例子。

Foveros與EMIB的出現(xiàn),使得英特爾能夠在δ來的發(fā)展中跳出制程工藝與架構捆綁的約束,在推進制程工藝發(fā)展和架構發(fā)展方面能夠更為靈活,有更多的選擇空間。

而對于OEM合作伙伴來說,全新的封裝技術能夠?qū)崿F(xiàn)客制化需求,這一點極為重要。以往英特爾與OEM的關系是“我升級芯片你做相應的產(chǎn)品”。OEM的選擇權不大,只能跟著英特爾的節(jié)奏走,英特爾不更新OEM就只能干等著。全新封裝技術的出現(xiàn),可以允許OEM去向英特爾客制化自己想要的芯片,從而在不同類型、不同形態(tài)的產(chǎn)品之上選擇不同的芯片方案,更加靈活。因此,F(xiàn)overos與EMIB不僅僅對于英特爾自身有著重要意義,同時對于整個PC產(chǎn)業(yè)、甚至是IT數(shù)碼產(chǎn)業(yè)都有著極為重要的意義。

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