隨著半導(dǎo)體芯片的不斷發(fā)展，運算速度越來越快，芯片發(fā)熱問題愈發(fā)成為制約芯片技術(shù)發(fā)展的瓶頸，熱管理對于開發(fā)高性能電子芯片至關(guān)重要。近日，復(fù)旦大學(xué)高分子科學(xué)系、聚合物分子工程國家重點實驗室研究員κ大程團隊經(jīng)過三年努力，在場效應(yīng)晶體管介電基底的界面修飾領(lǐng)域取得重要進展。該項工作將有望為解決芯片散熱問題提供一種介電基底修飾的新技術(shù)。

為解決芯片發(fā)熱問題，κ大程團隊開發(fā)了一種共形六方氮化硼(h-BN)修飾技術(shù)(即準平衡PECVD)。據(jù)κ大程介紹，芯片散熱很大程度上受到各種界面的限制，其中導(dǎo)電溝道附近的半導(dǎo)體和介電基底界面尤其重要。六方氮化硼是一種理想的介電基底修飾材料，能夠改善半導(dǎo)體和介電基底界面。大量研究表明，六方氮化硼修飾能夠降低基底表面粗糙度和雜質(zhì)對載流子輸運的影響，提高器件載流子遷移率。然而，六方氮化硼在界面熱耗散領(lǐng)域的潛在應(yīng)用則往往被忽視。

“載流子遷移率涉及器件的發(fā)熱問題，遷移率越高，那ô同等電壓下發(fā)熱就越少;而熱耗散則關(guān)系到如何將這些熱量釋放掉?！?kappa;大程解釋道，“普通的六方氮化硼，我們將它比喻成一張紙，一張紙覆蓋在材料表面難免有縫隙，現(xiàn)有六方氮化硼制備方法中的轉(zhuǎn)移過程會產(chǎn)生更多縫隙，同時引入雜質(zhì)、缺陷，對研究帶來不利影響。而共形六方氮化硼是完全貼合在材料表面的，中間無縫隙，û有雜質(zhì)混入，更有利于取得好的結(jié)果。”

“在我們團隊研發(fā)的這項技術(shù)中，共形六方氮化硼是直接在材料表面生長的，不僅完全貼合、不留縫隙，還無需轉(zhuǎn)移?！?據(jù)κ大程介紹，共形六方氮化硼修飾后，二硒化鎢場效應(yīng)晶體管器件遷移率顯著提高;界面熱阻降低;器件工作的最大功率密度提高了2～4倍，高于現(xiàn)有電腦CPU工作的功率密度。這項技術(shù)不僅為解決芯片散熱問題提供了嶄新的思·，同時具有高普適性，可應(yīng)用于基于二硒化鎢材料的晶體管器件，還可以推廣到其他材料和更多器件應(yīng)用中。此外，該研究中所采用的PECVD技術(shù)是一種芯片制造業(yè)中常用的制造工藝，使得這種共形六方氮化硼具有規(guī)?；a(chǎn)和應(yīng)用的巨大潛力。

研究團隊δ來將繼續(xù)致力于開發(fā)場效應(yīng)晶體管電學(xué)材料，包括共軛有機分子、大分子、低維納米材料，研究場效應(yīng)晶體管器件的設(shè)計原理以及在光電、化學(xué)傳感、生物傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用。