目前，現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過程。

從功能上講，MOSFET驅(qū)動(dòng)器將邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)變成較高的電壓和電流，以很短的響應(yīng)時(shí)間驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的開和關(guān)。例如，使用MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以將一個(gè)5V、低電流的單片機(jī)輸出信號(hào)轉(zhuǎn)變成一個(gè)18V、幾安培的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來作為功率MOSFET的輸入。針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，需要對與MOSFET柵極電荷和工作頻率相關(guān)的功耗有透徹的理解。例如，不管柵極電壓的轉(zhuǎn)變快或慢，MOSFET柵極充電或放電時(shí)所需的能量是相同的。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗性能由以下三個(gè)關(guān)鍵因素決定：

1 MOSFET柵極電容的充電和放電引起的功耗；

2 MOSFET驅(qū)動(dòng)器靜態(tài)電流引起的功耗；

3 MOSFET驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的交越導(dǎo)通（直通）電流引起的功耗。

其中，由MOSFET柵極電容的充電和放電引起的功耗是最重要的，特別是當(dāng)開關(guān)頻率較低時(shí)。功耗由式(1)計(jì)算得出。

Pc=Cg×Vdd2×F              (1)

其中，Cg是MOSFET的柵極電容；Vdd是MOSFET驅(qū)動(dòng)器的工作電壓（V）；F是開關(guān)頻率。

峰值驅(qū)動(dòng)電流的重要性
除了功耗，設(shè)計(jì)人員必須理解MOSFET驅(qū)動(dòng)器要求的峰值驅(qū)動(dòng)電流和相關(guān)的開關(guān)時(shí)間。在某一應(yīng)用中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的匹配由該應(yīng)用要求的功率MOSFET的開關(guān)速度決定。在任何應(yīng)用中，最理想的上升或下降時(shí)間基于多方面的要求，如電磁干擾（EMI）、開關(guān)損耗、引線/電路感應(yīng)系數(shù)和開關(guān)頻率。柵極電容、轉(zhuǎn)變時(shí)間和MOSFET驅(qū)動(dòng)器的額定電流之間的關(guān)系由式(2)表示：

dT=[dV×C]/I               (2)

其中，dT是開／關(guān)時(shí)間；dV是柵極電壓；C是柵極電容；I是MOSFET峰值驅(qū)動(dòng)電流。

MOSFET柵極總電容完全可以由柵極總電荷（QG）決定。柵極電荷QG由式(3)得出：

QG=C×V                   (3)

最后得出I=QG/dT。在這種方法中，假定電流是恒定的。有一個(gè)不錯(cuò)的經(jīng)驗(yàn)是：電流的平均值等于MOSFET驅(qū)動(dòng)器額定峰值電流的二分之一。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功率由驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流驅(qū)動(dòng)能力決定。額定峰值電流通常是相對最大偏壓而言的。這就是說，如果使用的MOSFET驅(qū)動(dòng)器的偏壓較低，那么它的峰值電流驅(qū)動(dòng)能力也將被削弱。

例如，所需的MOSFET峰值驅(qū)動(dòng)電流可通過以下供應(yīng)商數(shù)據(jù)手冊中的設(shè)計(jì)參數(shù)計(jì)算得出。MOSFET柵極電荷為20nC（Q），MOSFET柵極電壓為12V（dV），開/關(guān)時(shí)間為40ns（dT），可得I=0.5A。

設(shè)計(jì)人員還可采用另外一種方法來選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，即時(shí)間恒定法。在這種方法中，用到了MOSFET驅(qū)動(dòng)器電阻、任何一個(gè)外部柵極電阻和集中電容。

Tcharge=((Rdriver+Rgate)×Ctotal)×TC  (4)

[!--empirenews.page--]這里，Rdriver是輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)的導(dǎo)通電阻（RDS-ON）；Rgate是驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵極間任何一個(gè)外部柵極電阻；Ctotal是柵極總電容；TC是時(shí)間常數(shù)的值。例如，Qtotal=68nC，Vgate=10V，Tcharge=50nsec，TC=3，Rgate=0Ω，Rdriver=(Tcharge/TC×Ctotal)-Rgate，可得Rdriver=2.45Ω。

當(dāng)式(4)表示一個(gè)R-C時(shí)間常數(shù)時(shí)，采用TC為3意味著充電后，電容充電量達(dá)到充電電壓的95%。在柵極電壓達(dá)到6V時(shí)，大多數(shù)的MOSFET完全處于“開”的狀態(tài)?；诖?，TC值為1時(shí)（即充電量達(dá)到充電電壓的63%時(shí)）可能就滿足應(yīng)用需求了，并且允許使用額定電流更低的驅(qū)動(dòng)器IC。
　　
電機(jī)控制應(yīng)用中的MOSFET驅(qū)動(dòng)器選擇
讓我們來設(shè)計(jì)一個(gè)示例，即為電機(jī)控制應(yīng)用選擇一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器，在電機(jī)控制應(yīng)用中，電機(jī)的速度和旋轉(zhuǎn)方向是變化的。該應(yīng)用要求用于電機(jī)的電壓是可調(diào)的。通常，電機(jī)類型、功率開關(guān)拓?fù)浜凸β书_關(guān)元件將指定必需的柵極驅(qū)動(dòng)電路以實(shí)現(xiàn)這種要求。

第一步是為該應(yīng)用選擇正確的功率開關(guān)元件，它由被驅(qū)動(dòng)電機(jī)的額定功率來決定。一個(gè)需要考慮的重要參數(shù)是啟動(dòng)電流值，它的值最高可以達(dá)到穩(wěn)態(tài)工作電流值的3倍。

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，主要有兩種功率開關(guān)元件可供選擇——MOSFET和IGBT。如果選擇MOSFET，那么就可以得出柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中MOSFET驅(qū)動(dòng)器的額定功率。

如圖1所示，器件的輸入級(jí)把輸入的低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化成電壓覆蓋全范圍（GND到Vdd）的信號(hào)。MOSFET Q1和Q2代表的是MOSFET驅(qū)動(dòng)器的上拉和下拉輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)。將MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)看作MOSFET的一個(gè)推挽對，就容易理解它是如何工作的。

圖1 MOSFET驅(qū)動(dòng)器示例的電路框圖

對于同相驅(qū)動(dòng)器，當(dāng)輸入信號(hào)變?yōu)楦邞B(tài)時(shí)，Q1和Q2共同的柵極信號(hào)被拉低。該柵極節(jié)點(diǎn)的電壓從Vdd轉(zhuǎn)變到GND所需的時(shí)間通常少于10ns。這種快速轉(zhuǎn)變抑制了在Q1和Q2之間產(chǎn)生交越導(dǎo)通的時(shí)間，并且使Q1迅速地達(dá)到其完全增強(qiáng)態(tài)，以盡快實(shí)現(xiàn)峰值電流。除圖1的示例外，還有其他的MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路結(jié)構(gòu)。

當(dāng)電機(jī)被驅(qū)動(dòng)時(shí)，功率開關(guān)元件和柵極驅(qū)動(dòng)電路是已知的，可以根據(jù)上面的公式(4)或公式(5)來選擇MOSFET。

使用電子數(shù)據(jù)表選擇MOSFET驅(qū)動(dòng)器
當(dāng)選定MOSFET后，可以使用由供應(yīng)商提供的電子數(shù)據(jù)表來選擇一個(gè)合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，這種便于使用的工具能快速地確定MOSFET驅(qū)動(dòng)器所需峰值電流。

首先，選擇一個(gè)MOSFET，并將它的數(shù)據(jù)手冊放在手邊?，F(xiàn)在，在正確的框中填入輸入條件的值，例如MOSFET的源漏電壓（Vds）、MOSFET的柵源電壓（Vgs）、MOSFET驅(qū)動(dòng)器電壓（Vdd）、開關(guān)頻率、占空比、預(yù)估的上升時(shí)間（tr）和柵極總電荷（QG）。于是就能計(jì)算出MOSFET驅(qū)動(dòng)器的峰值輸出電流IPK。根據(jù)IPK的值就能確定合適的、具有成本效益的MOSFET驅(qū)動(dòng)器。選定MOSFET驅(qū)動(dòng)器后，工具能夠計(jì)算出器件的功耗和允許的最大工作環(huán)境溫度，此處假定熱損耗不計(jì)。