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[導讀]21ic訊 針對晶體硅太陽能電池片的生產(chǎn)工藝,島津制作所即將展開減反射膜成膜裝置“MCXS”以及檢查裝置“SCI”系列2種機型的銷售。目前,中國正在從確保

21ic訊 針對晶體硅太陽能電池片的生產(chǎn)工藝,島津制作所即將展開減反射膜成膜裝置“MCXS”以及檢查裝置“SCI”系列2種機型的銷售。

目前,中國正在從確保需求和扶持本地企業(yè)等觀點出發(fā)導入太陽能優(yōu)惠政策,而美國和印度則已經(jīng)具備了太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的良好條件,同時在日本,已經(jīng)開始啟動可再生能源的固定價格購買機制,在上述國家和地區(qū),太陽能電池市場正在逐步擴大。此外,從長遠觀點來看,伴隨著發(fā)展中國家的經(jīng)濟增長和生活水平的提高,能源需求正在急劇增加,特別是具備良好日照條件的非洲、中東、南美、東南亞等地區(qū),估計這種需求會進一步擴大,預計到2030年,輸出發(fā)電量將為 2012年的3.2倍,即,128,600 MW*1。

在此情況下,可以進一步降低制造成本,并且具備更高耐性、以期能夠解決目前造成大型太陽能發(fā)電站等太陽能光伏系統(tǒng)全體輸出降低的重大問題PID(Potential Induced Degradation:電壓誘發(fā)輸出衰減)的太陽能電池需求更加突出。

而作為能夠?qū)崿F(xiàn)減少太陽光反射、提高能量吸收,有助于提高發(fā)電效率的減反射膜及其成膜裝置,更應該以此需求為課題,不斷追求更高標準性能和生產(chǎn)效率。

為此,島津公司通過采用新開發(fā)的中空陰極等離子源和直接等離子法,成功開發(fā)出具備高產(chǎn)能、低運行成本,且具有更高PID耐性的減反射膜成膜裝置(CVD)“MCXS”。本裝置,通過高密度等離子修復硅片表面和內(nèi)部存在的結(jié)晶缺陷,改善太陽能電池多的特性,進而提高轉(zhuǎn)換效率。

此外,因采用低頻、高密度等離子進行高速成膜,使用“MCXS”生產(chǎn)的晶體硅太陽能電池組件具備高PID耐性,該特性已經(jīng)獲得了日本獨立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)主辦的“第二期高可靠性太陽能電池模塊開發(fā)、評價聯(lián)盟”的驗證結(jié)果證實。本成果,亦于2013年3月28日在“第60屆應用物理學會春季學術(shù)講演會”上發(fā)表。

而另一方面,太陽能電池的品質(zhì)競爭也更加激烈。生產(chǎn)效率在不斷提高,品質(zhì)管理更加嚴格,目前在太陽能電池板的生產(chǎn)工序中以人工檢查為主的現(xiàn)狀,迫切需要升級為自動化檢查方式。

針對上述需求,島津新近開發(fā)了可以以1臺設(shè)備同時檢查硅片微裂隱裂和外觀的復合檢查裝置“SCI-8SM”和業(yè)內(nèi)最小尺寸*2的外觀檢查裝置“SCI-8S”。

此檢查裝置,對于防止因生產(chǎn)線停止造成的長時間生產(chǎn)中斷和提高成品率具有顯著效果。

我公司希望通過向日益擴大的太陽能電池市場提供上述3個產(chǎn)品,為普及環(huán)保型可再生能源做出貢獻。

《MCXS的特長》

1. 高PID耐性獲得實證

這次在AIST進行的試驗,在攝氏25℃、組件表面玻璃處于浸水狀態(tài)、施加電壓1000 V的條件下,持續(xù)實施168小時。其結(jié)果,使用我公司成膜裝置制作而成的太陽能電池組件,未發(fā)生輸出降低現(xiàn)象。

本產(chǎn)品,顯然對提供高可靠性太陽能電池有所幫助。

2. 為提高太陽能電池生產(chǎn)能力做出貢獻

新開發(fā)了可以生成高密度等離子的中空陰極等離子源,通過提高原料特氣的分解效率,實現(xiàn)了采用直接等離子方式的業(yè)內(nèi)最高成膜速度(100 nm/min以上)。此外,通過在線式高速搬運機構(gòu),與同級別原有產(chǎn)品相比,最高水準可實現(xiàn)每小時1,700枚的高產(chǎn)能,為提高整個生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力做出貢獻。

3. 實現(xiàn)低成本

除采用高速成膜、立式基板配置實現(xiàn)了裝置小型化外,還通過延長維護周期,將消耗電量減至我公司原有機種1/3,運行成本減至1/2,降低了維持費和維護費。換而言之,本產(chǎn)品在太陽能電池制造過程中,降低了能源成本,提高了原料氣體的使用效率,是采用了節(jié)能設(shè)計的制造裝置。

《SCI-8SM的特長》

1. 同時對微裂隱裂和晶圓外觀進行高速檢查

對轉(zhuǎn)換效率以及對生產(chǎn)過程中的破損率會造成不良影響的微隱裂(晶圓內(nèi)部的細微裂紋)檢查,對硅片外形的裂紋或凹凸、減反射膜上的顆粒、膜厚及分布測定等晶圓外觀檢查,過去需使用不同檢查裝置進行檢查,而現(xiàn)在通過一臺設(shè)備即可全部實現(xiàn)高速檢測,計測時間為1秒/枚以下。

2. 縮短膜厚測定時間

傳統(tǒng)裝置需要使用多個標準樣品進行膜厚測定,為制作標準曲線等,在檢查前需要5個小時以上的準備時間。本裝置通過可見光的反射強度,基于光學理論、獨家開發(fā)的測定原理對膜厚進行高速計算,無需準備時間,可即刻開始進行測定。

《SCI-8S的特長》

業(yè)內(nèi)最小尺寸

通過使用獨家開發(fā)、可將偏差減至最小的光學系統(tǒng),在保持SCI-8SM同等高功能的同時,與同級別原有產(chǎn)品相比體積縮小15%,成為業(yè)內(nèi)最小尺寸的外觀檢查裝置。

本產(chǎn)品不僅可用于新設(shè)生產(chǎn)線,也可在現(xiàn)有生產(chǎn)線的有限空間進行追加改造,為提高電池片質(zhì)量做出貢獻。

名稱:

晶體硅太陽能電池用減反射膜成膜等離子CVD裝置“MCXS”

晶體硅太陽能電池用復合檢查裝置“SCI-8SM”

晶體硅太陽能電池用外觀檢查裝置“SCI-8S”

系統(tǒng)價格:

MCXS 1億7千萬日元(包含自動傳送機,不含稅)

SCI-8SM 1千萬日元(包含照明電源,不含稅)

SCI-8S 5百萬日元(包含照明電源,不含稅)

尺寸:

MCXS 4000 (W) × 7500 (D) × 2500 (H) mm(裝置主體、包含自動傳送機)

SCI-8SM 306 (W) × 310 (D) × 951 (H) mm(裝置主體、包含照明電源)

SCI-8S 193 (W) × 193 (D) × 315 (H) mm(裝置主體、不含照明電源)

銷售計劃:

MCXS 20臺(第一年度)

SCI-8SM 15臺(第一年度)

SCI-8S 20臺(第一年度)

 

照片:防反射膜成膜用等離子CVD裝置“MCXS”

 

照片:復合檢查裝置“SCI-8SM”(左)、外觀檢查裝置“SCI-8S”(右)

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