近日，電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)公布，第46屆PVSC光伏專家大會(huì)授予漢能美國(guó)子公司Alta Devices聯(lián)合創(chuàng)始人、漢能集團(tuán)科學(xué)家Harry Atwater教授“William R.Cherry光伏榮譽(yù)獎(jiǎng)”。

William R.Cherry是光伏界的創(chuàng)始人之一，以他的名字設(shè)立的William R.Cherry獎(jiǎng)創(chuàng)建于1980年，是業(yè)內(nèi)最高級(jí)別學(xué)術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)旨在表彰投身并致力于在提高光伏能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域、做出重大科技貢獻(xiàn)并極力倡導(dǎo)推廣相關(guān)科技的工程師或科學(xué)家個(gè)人。

這也是繼2017年Alta Devices聯(lián)合創(chuàng)始人、集團(tuán)資深專家Eli Yablonovitch教授因?qū)μ柲茈姵仄骷锢砜茖W(xué)與技術(shù)領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)，在第44屆PVSC大會(huì)上捧得William R.Cherry大獎(jiǎng)之后，漢能科學(xué)家再獲國(guó)際殊榮。一個(gè)團(tuán)隊(duì)兩位重量級(jí)專家相繼獲得PV領(lǐng)域的權(quán)威大獎(jiǎng)，充分證明了漢能Alta Devices在該領(lǐng)域的全球技術(shù)領(lǐng)先地位。

此次被提名的Harry Atwater是加州理工學(xué)院應(yīng)用物理和材料科學(xué)霍華德·修斯教授(Howard Hughes Professor)，是位于加州圣克拉拉的太陽能公司Alta Devices的聯(lián)合創(chuàng)建人之一。而Yablonovitch教授還憑借杰出的科研成就當(dāng)選為美國(guó)國(guó)家工程院、國(guó)家科學(xué)院、美國(guó)藝術(shù)與科學(xué)院院士，是倫敦皇家學(xué)會(huì)的外籍成員，并獲得了其他多項(xiàng)著名獎(jiǎng)項(xiàng)。他與Harry Atwater教授等聯(lián)合創(chuàng)建了Alta Devices公司，致力于探索薄膜太陽能技術(shù)的科研與應(yīng)用。

2014年，漢能全資并購(gòu)了位于美國(guó)加州的Alta Devices，后者成為漢能旗下子公司。漢能Alta Devices致力于砷化鎵(GaAs)移動(dòng)能源技術(shù)，具有高轉(zhuǎn)換效率，配以輕、薄、柔的特性，使薄膜太陽能芯片能夠在不影響設(shè)計(jì)外觀的情況下，廣泛應(yīng)用于汽車、無人機(jī)、無人駕駛系統(tǒng)、衛(wèi)星、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、傳感器、遠(yuǎn)程探測(cè)等各類應(yīng)用領(lǐng)域。

如今，漢能Alta Devices研發(fā)的高轉(zhuǎn)換率砷化鎵薄膜太陽能電池已被波音公司、美國(guó)宇航局等先后應(yīng)用于平流層永飛無人機(jī)以及國(guó)際空間站太陽能利用測(cè)試，這一技術(shù)路線的商業(yè)化潛力備受矚目。隨著技術(shù)研發(fā)的持續(xù)突破以及商用產(chǎn)業(yè)化的不斷探索，Alta Devices也將為漢能在全球范圍內(nèi)推廣薄膜太陽能技術(shù)、推動(dòng)移動(dòng)能源革命，提供更強(qiáng)大的技術(shù)支撐，奠定更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

至此，漢能砷化鎵雙結(jié)太陽能電池轉(zhuǎn)換率最高達(dá)到31.6%，并同時(shí)擁有砷化鎵單結(jié)太陽能電池效率29.1%和組件效率25.1%兩項(xiàng)世界紀(jì)錄，其中單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率的世界紀(jì)錄在2010 年被Alta Devices突破，并連續(xù)6次被其團(tuán)隊(duì)刷新，進(jìn)一步奠定了漢能在高效太陽能薄膜電池領(lǐng)域的絕對(duì)領(lǐng)先地位。

自2009年進(jìn)入薄膜太陽能領(lǐng)域以來，漢能就一直專注于核心技術(shù)的突破。漢能創(chuàng)始人李河君認(rèn)識(shí)到，未來能源的競(jìng)爭(zhēng)是核心技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)，誰掌握了核心技術(shù)，誰就掌握了能源。通過消化整合和自主創(chuàng)新，獨(dú)占技術(shù)鰲頭的漢能牢牢掌握了薄膜太陽能的科技話語權(quán)。此外，漢能還擁有包括優(yōu)秀科學(xué)家在內(nèi)的全球薄膜太陽能技術(shù)人員超過2000名，其中包括一大批國(guó)內(nèi)外先進(jìn)半導(dǎo)體和太陽能領(lǐng)域的科學(xué)家。

此次，漢能Alta Devices資深專家再次獲業(yè)內(nèi)最高級(jí)別獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)漢能薄膜太陽能技術(shù)全球領(lǐng)先性的充分肯定，漢能已經(jīng)成為全球薄膜太陽能行業(yè)引領(lǐng)者，其不僅在技術(shù)上引領(lǐng)行業(yè)變革，還在技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用上也達(dá)到了世界級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。未來漢能將繼續(xù)以薄膜太陽能技術(shù)為核心，用更多元化創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品引領(lǐng)一場(chǎng)全球范圍內(nèi)的能源利用革命。