據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics) 1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機等，1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè)，歷經(jīng)12年，三星又再度著手進行該事業(yè)。

從數(shù)年前開始，以三星電子綜合技術(shù)院為中心，已展開電力芯片相關(guān)研究，三星更將在2011年內(nèi)架構(gòu)專門研究中心，著手開發(fā)具體商用化技術(shù)。三星每年呈現(xiàn)爆發(fā)性成長，重新進入電力芯片市場，除多元化以存儲器為主的半導(dǎo)體事業(yè)外，另一方面則是計劃培育并發(fā)展集團新子事業(yè)。

據(jù)三星表示，三星綜合技術(shù)院將于2011年內(nèi)設(shè)立電力裝置中心(Power Device Center)，已進行電力芯片相關(guān)新技術(shù)研究及開發(fā)商用化技術(shù)。近來三星綜合技術(shù)院內(nèi)部已成立特別小組籌建研究中心，而該特別小組也將會探討未來在技術(shù)開發(fā)方向、市場性、確保人力方案，以及與三星集團企業(yè)進行連結(jié)等相關(guān)方案。

三星相關(guān)人員表示，電力裝置中心將集中研究絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，并行研究氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)等新素材。氮化鎵和碳化硅等為海外電力芯片業(yè)者爭相確保技術(shù)且競爭激烈的領(lǐng)域，若三星能率先開發(fā)出相關(guān)技術(shù)，將能迅速在該領(lǐng)域確保其競爭力。

氮化鎵可取代矽，大幅縮減耗電量，原料價格近來已下跌，商用化的可能性變高。三星綜合技術(shù)院也投入電力芯片業(yè)界龍頭英飛凌(Infineon)的研究企畫，并與三星康寧精密材料(Samsung Corning Precision Materials)共同開發(fā)氮化鎵原創(chuàng)技術(shù)。此外，更以開發(fā)采用氮化鎵的電力裝置為研究目的，向美國半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者Veeco購買有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD)機臺。

三星除氮化鎵外，也正在開發(fā)使用碳化硅且可取代矽基板的技術(shù)，期望能應(yīng)用在高電壓、大容量次世代電力芯片開發(fā)上。

三星1999年將電力芯片事業(yè)拋售給美商快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)，12年后又計劃再度展開電力芯片事業(yè)，是期望繼存儲器、系統(tǒng)芯片外，在培育新的集團子事業(yè)。尤其太陽能、風力、智能電網(wǎng) (Smart Grid)、電動車等新的綠能產(chǎn)業(yè)迅速成長，電力芯片的需求估計也將會有成長，而外電指出，未來電力芯片產(chǎn)能將會有相當大的比重運用在三星集團的能源、汽車、家電領(lǐng)域。

根據(jù)日本矢野經(jīng)濟研究所(YRI)統(tǒng)計，全球電力芯片市場再2010年約為141億美元、2011年將達到152億美元規(guī)模等，至2015年前將可望維持年平均11.5%高成長率。即使電力芯片市場快速成長，由于確保新技術(shù)較困難，因此市場競爭相對于存儲器業(yè)界較不激烈。