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  • 譯碼器的簡介

    譯碼器(decoder)是一類多輸入多輸出組合邏輯電路器件，其可以分為：變量譯碼和顯示譯碼兩類。 變量譯碼器一般是一種較少輸入變?yōu)檩^多輸出的器件，常見的有n線-2^n線譯碼和8421BCD碼譯碼兩類;顯示譯碼器用來將二進制數(shù)轉換成對應的七段碼，一般其可分為驅動LED和驅動LCD兩類。

  • 視頻控制器概述

    視頻控制器一般由顯卡驅動程序或DirectX中自帶 視頻控制器模塊是芯片與顯示平臺的數(shù)據(jù)接口，對檢驗芯片設計是否成功起著重要的作用，有必要把它單獨劃分為一個子模塊。為了提高設計的成功率，在設計初期采用了基于FPGA的原型驗證。整個系統(tǒng)的FPGA原型驗證平臺分為2個部分，硬件設計和基于RISC CPU的軟件解碼，兩部分協(xié)同工作，既可以驗證軟件和硬件的解碼結果，又可以加速整個解碼過程。

  • 網(wǎng)絡接口概述

    網(wǎng)絡接口指的網(wǎng)絡設備的各種接口，我們現(xiàn)今正在使用的網(wǎng)絡接口都為以太網(wǎng)接口。常見的以太網(wǎng)接口類型有RJ-45接口，RJ-11接口，SC光纖接口，F(xiàn)DDI接口，AUI接口，BNC接口，Console接口。

  • VESA總線概述

    VESA總線是1991年由視頻電子標準協(xié)會推出的32位總線，它是一種局部總線(local bus)，是針對視頻顯示的高數(shù)據(jù)傳輸率要求而產(chǎn)生的，因此又叫做視頻局部總線(VL bus)，簡稱VL總線。

  • PCI總線特點及設備

    在PCI總線中有三類設備，PCI主設備、PCI從設備和橋設備。其中PCI從設備只能被動地接收來自HOST主橋，或者其他PCI設備的讀寫請求;而PCI主設備可以通過總線仲裁獲得PCI總線的使用權，主動地向其他PCI設備或者主存儲器發(fā)起存儲器讀寫請求。而橋設備的主要作用是管理下游的PCI總線，并轉發(fā)上下游總線之間的總線事務。

  • PCI總線結構

    PCI是Peripheral Component Interconnect(外設部件互連標準)的縮寫，它是目前個人電腦中使用最為廣泛的接口，幾乎所有的主板產(chǎn)品上都帶有這種插槽。PCI插槽也是主板帶有最多數(shù)量的插槽類型，在目前流行的臺式機主板上，ATX結構的主板一般帶有5～6個PCI插槽，而小一點的MATX主板也都帶有2～3個PCI插槽，可見其應用的廣泛性。

  • 南橋芯片特點

    高性能的磁盤系統(tǒng)除了需要高速硬盤、高級磁盤控制器以外，還需要出色的南北橋連接帶寬。

  • 南橋芯片

    南橋(英語：Southbridge)是基于個人計算機主板芯片組架構中的其中一枚芯片。南橋設計用來處理低速信號，通過北橋與中央處理器聯(lián)系。各芯片組廠商的南橋名稱都有所不同，例如英特爾稱之為輸出/輸入控制器中心(Input/Output Controller Hub，ICH)，NVIDIA的稱為MCP，ATI的稱為IXP/SB，AMD也開始納入Fusion APU，并給予FCH這個標記，或稱Fusion控制器中心，代表其南橋芯片。

  • 主控芯片簡介

    主控芯片是主板或者硬盤的核心組成部分，是聯(lián)系各個設備之間的橋梁，也是控制設備運行工作的大腦。在主板中，兩大芯片是最重要的，一個是南橋芯片，它控制著擴展槽，USB接口，串口，并口，1394接口，VGA接口，等，它主要負責外部接口和內(nèi)部cpu的聯(lián)系，而另一個是北橋芯片，它控制著CPU的類型，型號，主板的總線頻率，內(nèi)存類型，容量，顯卡，等。

  • 固態(tài)硬盤的分類

    因為臺灣英語里把固體電容稱為Solid而得名。SSD由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上基本與普通硬盤一致(新興的U.2，M.2等形式的固態(tài)硬盤尺寸和外形與SATA機械硬盤完全不同)。

  • 二極管

    發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光，氮化鎵二極管發(fā)藍光。因化學性質又分有機發(fā)光二極管OLED和無機發(fā)光二極管LED。

  • 寬帶隙半導體

    室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導體材料歸類于寬帶隙半導體，寬帶隙半導體在藍、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發(fā)射器件方面應用廣泛。

  • 化合物半導體

    化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。包括晶態(tài)無機化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態(tài)無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體。

  • 固態(tài)電子器件概述

    在室溫下，就導電性能來說，固體可分為絕緣體、半導體和導體三類。絕緣體內(nèi)部自由電子非常少，電阻率在1022 ～1010歐·厘米范圍內(nèi)。導體內(nèi)部的自由電子密度不僅很大，而且不受環(huán)境溫度的影響。半導體內(nèi)部的自由載流子密度受外界環(huán)境的影響很大，電阻率介于絕緣體和導體之間。

  • DRAM概述

    動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。

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