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[導(dǎo)讀]二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode),另外,還有早期的真空電子二極管;它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性

二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode),另外,還有早期的真空電子二極管;它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。一般來講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。

1.結(jié)構(gòu)

在PN結(jié)上加上引線和封裝,就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。

(1) 點(diǎn)接觸型二極管--PN結(jié)面積小,結(jié)電容小,用于檢波和變頻等高頻電路。

(2) 面接觸型二極管--PN結(jié)面積大,用于工頻大電流整流電路。

(3) 平面型二極管-往往用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小,用于高頻整流和開關(guān)電路中。

2. 伏安特性及主要參數(shù)

(1)伏安特性曲線

P半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線如圖4-10所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線,處于第三象限的是反向伏安特性曲線。

圖4-.10 二極管的伏安特性曲線

● 正向特性

當(dāng)U>0,即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段:

當(dāng)0

當(dāng)U>Uth時(shí),開始出現(xiàn)正向電流,并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。

硅二極管的死區(qū)電壓Uth=0.5 V左右, 鍺二極管的死區(qū)電壓Uth=0.1 V左右。

● 反向特性

當(dāng)U<0時(shí),即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域:

當(dāng)UBR

(2)主要參數(shù)

① 最大整流電流ID:二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí),允許通過二極管的最大正向平均電流。

② 反向工作峰值電壓URWN:保證二極管不被反向擊穿而規(guī)定的電壓。在實(shí)際工作時(shí),定為反向擊穿電壓的一半。

③ 反向峰值電流IRM:是二極管加上反向工作峰值時(shí)的反向飽和電流。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級(jí);鍺二極管在微安(mA)級(jí)。

4.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)類型

在PN結(jié)上加上引線和封裝,就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。它們的結(jié)構(gòu)示意圖如圖01.11(a)、(b)、(c)所示。

(1) 點(diǎn)接觸型二極管&mdash;—PN結(jié)面積小,結(jié)電容小,用于檢波和變頻等高頻電路。

(2) 面接觸型二極管——PN結(jié)面積大,用于工頻大電流整流電路。

(3) 平面型二極管—往往用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小,用于高頻整流和開關(guān)電路中。

圖01.11 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖

4.3.2 半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線

半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線如圖01.12所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線,處于第三象限的是反向伏安特性曲線。根據(jù)理論推導(dǎo),二極管的伏安特性曲線可用下式表示

式中IS 為反向飽和電流,V 為二極管兩端的電壓降,VT =kT/q 稱為溫度的電壓當(dāng)量,k為玻耳茲曼常數(shù),q 為電子電荷量,T 為熱力學(xué)溫度。對(duì)于室溫(相當(dāng)T=300 K),則有VT=26 mV。

圖01.12 二極管的伏安特性曲線

(1) 正向特性

當(dāng)V>0,即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段:

當(dāng)0

當(dāng)V>Vth時(shí),開始出現(xiàn)正向電流,并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。

硅二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5 V左右,

鍺二極管的死區(qū)電壓Vth=0.1 V左右。

(2) 反向特性

當(dāng)V<0時(shí),即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域:

當(dāng)VBR

當(dāng)V≥VBR時(shí),反向電流急劇增加,VBR稱為反向擊穿電壓。

在反向區(qū),硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也很小;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過渡比較圓滑,反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看,硅二極管若|VBR|≥7 V時(shí),主要是雪崩擊穿;若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿,當(dāng)在4 V~7 V之間兩種擊穿都有,有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。

1.3.3 半導(dǎo)體二極管的參數(shù)

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)包括最大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、最大反向工作電壓VRM、反向電流IR、最高工作頻率fmax和結(jié)電容Cj等。幾個(gè)主要的參數(shù)介紹如下:

(1) 最大整流電流IF——二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí),允許通過二極管的最大整流電流的平均值。

(2) 反向擊穿電壓VBR和最大反向工作電壓VRM——二極管反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓VBR。為安全計(jì),在實(shí)際工作時(shí),最大反向工作電壓VRM一般只按反向擊穿電壓VBR的一半計(jì)算。

(3) 反向電流IR——在室溫下,在規(guī)定的反向電壓下,一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級(jí);鍺二極管在微安(uA)級(jí)。

(4) 正向壓降VF——在規(guī)定的正向電流下,二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下,約0.6~0.8 V;鍺二極管約0.2~0.3 V。

(5)動(dòng)態(tài)電阻rd——反映了二極管正向特性曲線斜率的倒數(shù)。顯然, rd與工作電流的大小有關(guān),即

rd =△VF /△IF

1.3.4 半導(dǎo)體二極管的溫度特性

溫度對(duì)二極管的性能有較大的影響,溫度升高時(shí),反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加,如硅二極管溫度每增加8℃,反向電流將約增加一倍;鍺二極管溫度每增加12℃,反向電流大約增加一倍。另外,溫度升高時(shí),二極管的正向壓降將減小,每增加1℃,正向壓降VF(Vd)大約減小2 mV,即具有負(fù)的溫度系數(shù)。這些可以從圖01.13所示二極管的伏安特性曲線上看出。

 

 

圖01.13 溫度對(duì)二極管伏安特性曲線的影響

4.3.5 半導(dǎo)體二極管的型號(hào)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下:

 

 

4.3.6 穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線與硅二極管的伏安特性曲線完全一樣,穩(wěn)壓二極管伏安特性曲線的反向區(qū)、符號(hào)和典型應(yīng)用電路如圖01.14所示。

 

 

(a) 符號(hào) (b) 伏安特性 (c) 應(yīng)用電路

圖01.14 穩(wěn)壓二極管的伏安特性

從穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線上可以確定穩(wěn)壓二極管的參數(shù)。

(1) 穩(wěn)定電壓VZ ——在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下,所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。

(2)動(dòng)態(tài)電阻rZ——其概念與一般二極管的動(dòng)態(tài)電阻相同,只不過穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻是從它的反向特性上求取的。 RZ愈小,反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。

rz =△VZ /△IZ

(3)最大耗散功率 PZM ——穩(wěn)壓管的最大功率損耗取決于PN結(jié)的面積和散熱等條件。反向工作時(shí),PN結(jié)的功率損耗為 PZ= VZ IZ,由 PZM和VZ可以決定IZmax。

(4)最大穩(wěn)定工作電流IZMAX 和最小穩(wěn)定工作電流IZMIN ——穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定工作電流取決于最大耗散功率,即PZmax =VZIZmax 。而Izmin對(duì)應(yīng)VZmin。 若IZ

(5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) —&mdash;溫度的變化將使VZ改變,在穩(wěn)壓管中,當(dāng)丨VZ丨 >7 V時(shí),VZ具有正溫度系數(shù),反向擊穿是雪崩擊穿。

當(dāng)丨VZ丨<4 V時(shí), VZ具有負(fù)溫度系數(shù),反向擊穿是齊納擊穿。

當(dāng)4 V<丨VZ丨 <7 V時(shí),穩(wěn)壓管可以獲得接近零的溫度系數(shù)。這樣的穩(wěn)壓二極管可以作為標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓管使用。

穩(wěn)壓二極管在工作時(shí)應(yīng)反接,并串入一只電阻。

電阻的作用一是起限流作用,以保護(hù)穩(wěn)壓管;其次是當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時(shí),通過該電阻上電壓降的變化,取出誤差信號(hào)以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流,從而起到穩(wěn)壓作用。

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