因為電容的充電需要一定的時間，所以可以利用電容來實現(xiàn)硬件的延時。

在電容在4.7uF以上，我們通常選用電解電容，特點是精度小，容量大。

小容量電容為瓷片電容，一般為貼片式的，也有插件式的。特點容量小，精度高。一般在電源電路中和點解電容配合使用。

一般情況下，電源負載對后面電路輸送能量時，都接一個儲能電容。

電解電容可以儲能一般濾掉低頻波，對高頻波過濾一般。一般加個瓷片電容濾高頻波。

有極性的電容一定不能接反，否則電容會短路容易發(fā)生爆炸。

C1為無極性電容，C2為極性電容。

瓷片電容沒有極性。特點容量小精度高無極性，多用于濾波電路，長用于震蕩電路中。電容量為幾皮法到幾百納法。如100納法的104電容。可以濾去高dv/dt(在dt時間內(nèi)變化的電壓差，也稱尖峰電壓)。高di/dt(在dt時間內(nèi)變化的電流差，也成浪涌電流)。高dv/dt高di/dt都會對電路負載產(chǎn)生影響。電容容抗xc=1/(2πfc)。頻率越大容抗越小。電容上的電壓是漸變的，不能突變，當遇到尖峰電壓時，電容電壓慢慢上升，消耗尖峰電壓，輸出較為平緩的電壓。也就是濾波。

電容作用：隔直流通交流，整流濾波，充放電，儲能等。

電容單位：法拉(F)，微法(uF)，納法(nF)，皮法(pF)。

單位換算：1法拉=1e6微法=1e9納法=1e12皮法

C=Q(電荷量)/V

Vin*(1-e^(-t/RC))電容充電，電壓函數(shù)(指數(shù)方程)

電容充電時，電壓先快速上升，后逐漸趨于平緩。

(Vin/R)*e^(-t/RC)

電容充電時，電流先快速下降，后逐漸趨于平緩。

電容的容量越大，濾除紋波的效果就越好。

因為電荷量多，所以電容在放電過程中電壓下降的就越慢，因此紋波就越小。

后面輸出電流越大，電壓下降的也就越快，波紋就越大，因此可以用大一點的電容。

波紋大小還與給電容的充電周期有關系，周期越小，頻率(周期的倒數(shù))越快，紋波就小一點。

C=Iout/(△V(紋波電壓變化)*f(頻率))

充電周期越小，頻率越大，同樣的紋波要求，則需要的電容也越小。

半波整流充電電路：只在正半周期對電容充電。

全波整流充電電路：在正負半周期都對電容充電。所以對電容的充電頻率是同樣的半波整流充電電路的2倍。

電解電容內(nèi)有電解液和鋁箔即鋁電解電容，特點，容量大精度小誤差大。電解液會出現(xiàn)泄漏和揮發(fā)，隨著時間的流逝，電容的容量會下降，電容的壽命會降低。長時間滿負荷工作會影響電容的壽命。為了提高電容的使用壽命，會增加電容容量，來降低電容負荷。同樣的電壓滿負荷也會降低電容壽命，通常會選用滿負荷電壓的1.5倍。

一般情況下，電流不超過100-150mA，可以采用220uF或330uF的電容。

電解電容標準：10V,16V,25V,35V,50V,63V,250V,450V等。

電阻分為插件電阻和貼片電阻。

常用的貼片電阻和電容的封裝及對應的功率。

1210--1/2W 1206--1/4W 0805--1/8W 0603--1/10W 0402--1/16W