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[導(dǎo)讀]2.4 晶體管單管放大電路的三種基本接法通過對單管共射放大電路的分析和計算,使得放大電路的組成原則更明確和具體了.放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用.在共射電路中,晶體管的b-e為輸入端,c-e為輸出端,利用iB對iC的控

2.4 晶體管單管放大電路的三種基本接法

通過對單管共射放大電路的分析和計算,使得放大電路的組成原則更明確和具體了.放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用.在共射電路中,晶體管的b-e為輸入端,c-e為輸出端,利用iB對iC的控制作用,實(shí)現(xiàn)了電流放大和電壓放大.有沒有其他的控制關(guān)系呢?比如,能不能用iB去控制iE?用iE去控制iC?用iC去控制iE?在實(shí)現(xiàn)這些控制的過程中,電路能不能得到功率的放大?我們先把這幾種電流控制關(guān)系的示意圖表示在下圖中,以便分析和比較.圖a是iB對iC的控制,是以e極為公共端,這就是前面介紹過的共射接法;圖b是iB對iE的控制,以c極為公共端,稱為共集接法;圖c和圖d是共基接法.下面我們分別分析后兩種接法組成的放大電路.

2.4.1 共集放大電路

一.電路的組成

如前所述,電路要能放大,晶體管應(yīng)工作在放大區(qū),即UBE>0,UBC<0,所以電源和電阻的設(shè)置要滿足這些條件.其基本電路如圖所示.VBB和Rb及Re相配合,給晶體管設(shè)置合適的基極電流;VCC提供了晶體管的集電極電流和輸出電流.交流信號ui從基極輸入,產(chǎn)生變化的基極電流iB,再通過晶體管得到了放大了的iE,而變化的iE流過電阻Re得到了變化的電壓,從發(fā)射極輸出.對于交流信號來說,集電極是公共端,所以是共集放大電路.

二. 靜態(tài)工作點(diǎn)的計算

我們介紹用等效電路的方法來計算電路的靜態(tài)工作點(diǎn).我們先畫出原電路的直流通路,如圖所示,然后再將晶體管用簡化直流模型代替,得到如圖所示的等效電路.根據(jù)圖可以列出方程求解.輸入回路 VBB=IBQ*Rb+Uon+IEQ*Re=IBQ*Rb+Uon+(1+貝塔)*IBQ*ReIBQ=(VBB-Uon)/(Rb+(1+貝塔)*Re)輸出回路 ICQ=貝塔*IBQUCEQ=VCC-IEQ*Re約=VCC-ICQ*Re這樣就很方便地求出靜態(tài)工作點(diǎn)的數(shù)值.

三. 交流性能的計算

如圖為原電路的交流通路,圖b是將圖a的樣子變了一下,使之成為共集的形式.圖c是將圖b中的晶體管用如圖所示的簡化h參數(shù)模型代替后的等效電路.根據(jù)如圖所示的等效電路可算出Au

Au=Uo/Ui=(Ie*Re)/(Ib*(Rb+rbe)+Ie*Re)=(1+貝塔)*Ib*Re/(Ib*(Rb+rbe)+(1+貝塔)*Ib*Re)

=(1+貝塔)*Re/(Rb+rbe+(1+貝塔)*Re)

我們發(fā)現(xiàn):(1)Au是正值.這說明Uo和Ui是同相的;(2)Au是小于1的,但在(1+貝塔)*Re比(Rb+rbe)大得多的情況下,Au將接近于1.雖然Au略小于1,但它的輸出電流Ie比輸入電流Ib要大很多,因此這個電路仍有功率放大作用.由于它的Uo近似等于Ui,二者同相,又因?yàn)槭菑陌l(fā)射極輸出,所以也被稱為射極輸出電路,或稱為射極跟隨器.它的電壓傳輸特性讀者可自行畫出.電路的輸入電阻Ri是

Ri=Ui/Ii=Ui/Ib=(Ib*(Rb+rbe)+(1+貝塔)*Ib*Re)/Ib

Ri=Rb+rbe+(1+貝塔)*Re

可見共集電路的輸入電阻與共射基本電路的輸入電阻相比要大得多.輸出電阻Ro的計算方法同共射放大電路.我們令Ui=0,在輸出端加電壓Uo,通過Io來求Ro.此時的等效電路如

圖所示.從圖中可以看到輸出電阻Ro可以看成是Re和Ro'的并聯(lián).其中Ro'是從Re左邊向左看進(jìn)去的等效電阻.

Ro'=Uo/(-Ie)=Uo/(-(1+貝塔)*Ib)

由于Uo是接在e-c之間的,Rb+rbe也是接在e-c之間,且流過的電流是Ib,按所設(shè)正方向Uo=-(Rb+rbe)*Ib,故

Ro'=(1/(1+貝塔))*(Uo/-Ib)=(1/(1+貝塔))*(Rb+rbe)

因此

Ro=Re//(Rb+rbe)/(1+貝塔)

從上式可以看出,由于發(fā)射極和基極之間有聯(lián)系,Ro不是等于Re而是Re和(Rb+rbe)/(1+貝塔)的并聯(lián).當(dāng)Rb,rbe都比較小而貝塔比較大時,Ro'將要比Re小得多.

例2-6 如圖所示電路中,VBB=7.2v,VCC=12v,Rb=22k,Re=5k,晶體管的rbb'=100,貝塔=50.試計算Q點(diǎn)及Au,Ri和Ro.

解:由前式可得 IBQ=(7.2-0.7)/(22+(50+1)*5)約=0.024mA

ICQ=1.2mA,UCEQ=VCC-IEQ*Re約=6v

rbe=rbb'+(1+貝塔)*UT/IEQ約=1.2k

Au=(1+貝塔)*Re/(Rb+rbe+(1+貝塔)*Re)=0.92

Ri=Rb+rbe+(1+貝塔)*Re=278.2k

Ro=Re||(Rb+rbe)/(1+貝塔)=410.

由于共集放大電路的輸入電阻大,輸出電阻小,所以常用來實(shí)現(xiàn)阻抗的轉(zhuǎn)換.輸入電阻大,可使流過信號的電流減小;輸出電阻小,即帶負(fù)載能力強(qiáng);故常用于多級放大電路的輸入級和輸出級.

2.4.2 共基放大電路

以共基接法組成的放大電路稱為共基放大電路.電路組成原則如前,分析計算方法也如前,故在這里只做簡單的介紹.基本放大電路如圖所示.VEE,VCC的極性保證晶體管處于放大狀態(tài),Re是信號回路的電阻.靜態(tài)工作點(diǎn)可利用直流模型及直流等效電路來計算,這里不再說明,主要介紹交流性能的計算.交流通路和h參數(shù)等效

電路如圖所示.根據(jù)圖可得

Au=Uo/Ui=-貝塔*Ib*Rc/-(Ib*rbe+Io*Re)=貝塔*Re/(rbe+(1+貝塔)*Re)

Ri=Ui/Ii=Ui/-Ie=(-Ie*Re-Ib*rbe)/-Ie=Re+rbe/(1+貝塔)

Ro=Rc||Ro' ,而Ro'=Uo/貝塔*Ib |Ui=0 = 無窮大. 因此

Ro=Rc

例2-7 電路如圖所示.設(shè)Re=1k,Rc=5k,晶體管的貝塔=50,rbe=1.2k.試計算Au,Ri和Ro的值.

解: 利用前式可求出

Au=貝塔*Rc/(rbe+(1+貝塔)*Re)=4.8

Ri=Re+rbe/(1+貝塔)=1k

Ro=Rc=5k

根據(jù)上面的計算,共基電路有這幾個特點(diǎn):(1)當(dāng)Re=0時,電壓放大倍數(shù)和共射放大電路Rb=0時相同(絕對值均為 貝塔*Rc/rbe),而且是正值,表明輸出與輸入信號同相.(2)輸入電阻比共射電路的小.(3)輸出電阻與共射電路一樣.共基電路還有一個優(yōu)點(diǎn),它的頻率響應(yīng)好,在要求頻率特性高的場合多采用共基電路.在如圖所示的電路中,若與前圖相比較,可見發(fā)射極和集電極是對調(diào)了.除了極個別的晶體管具有發(fā)射結(jié)和集電結(jié)對稱的特點(diǎn),因此可以實(shí)現(xiàn)正常的放大作用外,一般的晶體管在這種情況下,它的貝塔值很小,故放大作用很小甚至不能放大.至于另外以基極作為信號輸出端的接法,由于得不到電流放大所以不被采用.

2.4.3 三種接法的比較

利用晶體管的三種接法可以組成三種基本的放大電路.它們的主要特點(diǎn)及應(yīng)用大致歸納如下:

1. 共射電路具有較大的電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù),同時輸入電阻和輸出電阻適中.所以,在一般對輸入電阻,輸出電阻和頻

率響應(yīng)沒有特殊要求的地方,常被采用.例如低頻電壓放大電路的輸入級,中間級或輸出級.

2. 共集電路的特點(diǎn)是:輸入電阻在三種基本電路中最大;輸出電阻則最小;電壓放大倍數(shù)是接近于1而小于1的正數(shù),具有電壓跟

隨的性質(zhì).由于具有這些特點(diǎn),故應(yīng)用很廣泛.常用于放大電路的輸入級,也常用于電路的功率輸出級.

3. 共基電路的主要特點(diǎn)是輸入電阻小,放大倍數(shù)和共射電路差不多,頻率特性好.常用于寬頻放大器。

擴(kuò)展閱讀:CMOS和TTL電路簡單介紹

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