我們在實(shí)際電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)調(diào)試過程中，經(jīng)常會(huì)有這樣的疑問，MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?

其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。

靜電擊穿有兩種方式;

一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;

二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。

現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護(hù)。vmos柵極電容大，感應(yīng)不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環(huán)試試，基本上摸一個(gè)掛一個(gè)。

與干燥的北方不同，南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。還有就是現(xiàn)在大多數(shù)CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口保護(hù)。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習(xí)慣。至少使管腳可焊性變差。

擴(kuò)展閱讀：集成電路靜電放電（ESD）損傷