低電平有效復(fù)位電路如下


此復(fù)位電路是針對低電平有效復(fù)位而言的，其中二極管是起著在斷電的情況下能夠很快的將電容兩端的電壓釋放掉，為下次上電復(fù)位準(zhǔn)備。

假設(shè)電容兩端的初始電壓為U0(一般情況下設(shè)為0V)，T時刻電容兩端電壓為UT。3.3V電壓設(shè)為VCC。

由流經(jīng)電容的電流I和電容兩端的電壓變化關(guān)系式：I=C*dUt/dt

可以得到：I*dt=C*dU t

兩邊分別積分可以的得到：I*T=∫(0-1)C*dUt;即I*T=C*Ut−C*U0(其中U0=0V)，

由VCC=UR+UT 可以得到公式：VCC=R1*(C*UT/T)+UT

假設(shè)對電容充電至0.9*VCC時完成復(fù)位，此時可以得出T=9*RC，T就是所需要的復(fù)位時間。

一般芯片的復(fù)位時間是給出的，R,C其中可以自己確定一個值，然后再求出另外一個值。

在看看高電平有效復(fù)位時的RC電路的復(fù)位時間的計(jì)算過程：其對應(yīng)的原理圖如下：


假設(shè)電容兩端的初始電壓為U0(一般情況下設(shè)為0V)，T時刻電容兩端電壓為UT。

電容的充電電流為：

同理可以得到在T時刻的流經(jīng)電阻的電流值為I=C1*VCC/T 電阻兩端的電壓可定:UR=R1*(C1*UT/T)

所以又：VCC=UR+UC1

在T時刻時電容充電為UT ，若UR≥0.9VCC時，高電平復(fù)位有效，則可以有UT=0.1VCC，

故可有：0.9VCC=R1*(C1*0.1*VCC/T),故可以得到：T=(1/9)*R1*C1。

其中T就是所需的復(fù)位時間，原理圖中的電阻電容確定一個值，便可以求出另一個值了。看完全文了嗎？喜歡就一起來點(diǎn)個 贊 吧！