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[導(dǎo)讀]封裝集成電路的熱阻反映的是參與到散熱過(guò)程中的所有部分在該幾何和物理組合下的特性。以薄膜集成電路為例,其發(fā)熱部分是由結(jié)、連線和半導(dǎo)體極化物形成的薄膜層;從這一層到封裝外表面或者外部的空氣,參與導(dǎo)熱的部分

封裝集成電路的熱阻反映的是參與到散熱過(guò)程中的所有部分在該幾何和物理組合下的特性。以薄膜集成電路為例,其發(fā)熱部分是由結(jié)、連線和半導(dǎo)體極化物形成的薄膜層;從這一層到封裝外表面或者外部的空氣,參與導(dǎo)熱的部分包括承載這層薄膜的基底硅片、粘接劑、金屬引線、填料、金屬托架、引腳和封殼等等。

熱阻參數(shù)一般包括結(jié)到空氣、結(jié)到外殼和結(jié)到基板三個(gè)熱阻θja、θjc和θjb¹。

θjc和θjb是針對(duì)以外殼為主散熱面和以基板為散熱面加裝散熱器的封裝的;例如頂面壓裝散熱器的BGA封裝和底面壓接散熱器的TO220封裝。利用在散熱面(封裝頂面或底面)上加裝高導(dǎo)熱散熱器形成恒溫面和利用絕熱材料限制其它方向的散熱,可保證θjc和θjb測(cè)定的一致性。θja測(cè)定不能人為采取措施限制熱流導(dǎo)向,同時(shí)溫度梯度變化較大的發(fā)熱點(diǎn)附近的微小差異都會(huì)影響熱流的分配、不容易保證一致性。

θja是在開(kāi)放空間內(nèi)弱自然對(duì)流或風(fēng)洞強(qiáng)制氣流兩種情況下測(cè)定;如果不加以說(shuō)明,則指開(kāi)放空間內(nèi)弱自然對(duì)流條件下測(cè)定的參數(shù)。其公式表達(dá)為:

θja=(Тj-Тa)/Pd

公式中Тj為芯片的結(jié)溫,Тa為環(huán)境溫度,Pd為在結(jié)區(qū)的發(fā)熱功率。高功率密度或者特別關(guān)注工作溫度的集成電路²一般是利用設(shè)計(jì)、制作在其上的二極管直接測(cè)量結(jié)溫³、進(jìn)而測(cè)定θja。一般集成電路采用熱測(cè)試片芯取代實(shí)際的片芯測(cè)定⁴。測(cè)定時(shí)熱測(cè)試芯片要模仿實(shí)際片芯的情況安裝。θja的測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)⁵給出了兩類(lèi)測(cè)試板,分別對(duì)應(yīng)高覆銅率和低覆銅率印制板的典型情況。包括外露托架在內(nèi)的焊盤(pán)如何處理則是因器件和廠家而不同的,而焊盤(pán)導(dǎo)熱路徑是無(wú)散熱器封裝集成電路的主要散熱熱流路徑,也是封裝創(chuàng)新的主要著手點(diǎn);其不同處理導(dǎo)致θja的測(cè)定值不同。


S為SGM2019,L為L(zhǎng)P5951
圖1.類(lèi)似器件不同θja標(biāo)稱散熱熱像對(duì)比

SGM2019和LP5951是封裝、制程、片芯尺寸和外部電路相同的兩個(gè)LDO芯片,其標(biāo)稱θja相應(yīng)為分別為260℃/W和220℃/W⁶。為了理解這一差異,設(shè)計(jì)了元件位置和測(cè)試放置全部交錯(cuò)2個(gè)實(shí)驗(yàn)板以對(duì)比其散熱特性。圖1是這兩個(gè)實(shí)驗(yàn)板的穩(wěn)定熱像。試驗(yàn)中的8個(gè)芯片的發(fā)熱功率完全一致;熱像上溫度較低芯片的托架引腳連接的焊盤(pán)是在大面積覆銅上鏤出的,散熱面積大??梢?jiàn)單個(gè)引腳的焊盤(pán)設(shè)計(jì)差異就足以引起顯著的表面溫度差異。進(jìn)一步詳細(xì)觀察可以看到器件位置的靠里、靠外也使得溫度有所不同;同時(shí),標(biāo)稱散熱較差的SGM2019的表面溫度反而更低一些⁷。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)看,這兩個(gè)芯片的散熱能力是非常接近,并沒(méi)有如其標(biāo)稱熱阻所反映的差異;標(biāo)稱差異只能來(lái)源于其測(cè)定板焊接部分的設(shè)計(jì)差異。

1網(wǎng)上可方便找到有關(guān)封裝集成電路熱阻及其測(cè)量的文章,大多包括對(duì)SEMI320-96、JEDECJESD51-4以及MIL883等標(biāo)準(zhǔn)引用可供參考。

2例如在大規(guī)模ASIC、FPGA、CPU和高可靠功率器件中。

3對(duì)二極管施加恒流偏置時(shí),其正向壓降與其結(jié)溫有明確的、本征性的線性關(guān)系。通過(guò)預(yù)先刻度,可以準(zhǔn)確確定特定恒流偏置時(shí)壓降和溫度的關(guān)系。

4更多介紹參考http://www.ieechina.com/upload/books/IC.pdf,劉君愷,《IC封裝熱阻的定義及測(cè)量技術(shù)》。

5即SEMI320-96、JEDECJESD51-4以及MIL883等標(biāo)準(zhǔn)。

6參數(shù)引用自SGM2019和LP5951的公開(kāi)數(shù)據(jù)表。

7圣邦微電子公司并不因此測(cè)試調(diào)整其數(shù)據(jù)表參數(shù)。

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