電子行業(yè)日新月異 成啟制勝三大策略

自進(jìn)入2011年以來，由于日本大地震，泰國(guó)洪災(zāi)及歐洲主權(quán)債務(wù)危機(jī)，對(duì)中國(guó)電子行業(yè)帶來嚴(yán)重沖擊，供求關(guān)系惡化，導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格大幅降低，企業(yè)盈利水平下降，全球電子行業(yè)指數(shù)均出現(xiàn)較大幅度下滑。而2012年我國(guó)電子產(chǎn)業(yè)也是機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，調(diào)結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)方式、增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力是企業(yè)在新的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下采取的重要舉措。成啟半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陳總表示：應(yīng)對(duì)電子行業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）有制勝的三大策略！

一、 不斷提升產(chǎn)品技術(shù)水平
成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）通過和國(guó)外先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)和制造平臺(tái)合作，除了能提供傳統(tǒng)的PLANNAR（平面）工藝MOSFET之外，還可以提供處于世界先進(jìn)水平的0.18微米TRENCH（溝槽）工藝MOSFET。目前HOMSEMI MOSFET的最高耐壓能夠達(dá)到900V，最大電流達(dá)到196A，最小的RDS（ON）能低于2.5mΩ。這些指標(biāo)都處于行業(yè)的領(lǐng)先水平，而且在2012年，成啟半導(dǎo)體還會(huì)進(jìn)一步推出0.13微米的TRENCH 工藝產(chǎn)品，成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)將會(huì)進(jìn)一步體現(xiàn)。

二、 與方案公司合作，提供最佳應(yīng)用方案
POWER MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域比較多，和周邊元件的匹配比較復(fù)雜，影響的因素較多，又要控制好成本和可靠性。為了協(xié)助客戶解決這些問題，成啟半導(dǎo)體和多家領(lǐng)先的方案設(shè)計(jì)公司結(jié)成了合作聯(lián)盟，在：無葉風(fēng)扇、HID、LED、金鹵燈、電焊機(jī)、步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)自行車、航模電機(jī)等行業(yè)推出了先進(jìn)的整體應(yīng)用方案，方案中的MOSFET都針對(duì)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化和匹配，所以能達(dá)到性能、成本、可靠性的最佳平衡。而且，這些設(shè)計(jì)方案成啟半導(dǎo)體都是作為售前服務(wù)提供給客戶的。

成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）的這種和方案公司合作的成功案例很多，例如：在汽車HID安定器這個(gè)行業(yè)，產(chǎn)品應(yīng)用的環(huán)境溫度高達(dá)105℃，而且存在著2萬多伏的高壓放電等一系列的嚴(yán)酷條件。HOMSEMI MOSFET在這種產(chǎn)品使用一年后綜合的不良率低于萬分之一。“請(qǐng)留意，這是根據(jù)客戶產(chǎn)品出廠一年后的返修數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)出的結(jié)果，這個(gè)數(shù)據(jù)是我們產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)最有力的證明。”陳總表示。

三、 嚴(yán)把品質(zhì)關(guān)

成啟半導(dǎo)體的品質(zhì)控制體系除了常規(guī)的CP（芯片中測(cè)）、FT（產(chǎn)品終測(cè)）之外，還專門設(shè)立了可靠性實(shí)驗(yàn)室，使用PCT、TST、HTRB等一系列的技術(shù)手段，對(duì)每一批次的產(chǎn)品進(jìn)行抽樣可靠性測(cè)試。避免產(chǎn)品的批次性問題。

陳總說：“我們對(duì)品質(zhì)的苛求為客戶帶來了實(shí)質(zhì)的價(jià)值。例如：在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用，HOMSEMI MOSFET超低的RDS（ON）使客戶能驅(qū)動(dòng)更大功率的馬達(dá)，同時(shí)HOMSEMI 100%的產(chǎn)品通過焦耳耐受量測(cè)試（EAS），使HOMSEMI MOSFET在馬達(dá)反向電動(dòng)勢(shì)的沖擊下可靠性更高。”

成啟半導(dǎo)體一直專注于發(fā)展HOMSEMI自主品牌的功率半導(dǎo)體，主要的產(chǎn)品是PLANNAR工藝MOSFET和TRENCH工藝MOSFET，為功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。陳總認(rèn)為成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）一直處于優(yōu)勝的地位，有幾大因素：
一，隨著中國(guó)電子產(chǎn)品在國(guó)際市場(chǎng)上的定位不斷提高，HOMSEMI高品質(zhì)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品能夠配合客戶生產(chǎn)出更高品質(zhì)的產(chǎn)品。
二，HOMSEMI在功率半導(dǎo)體的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)，能夠協(xié)助客戶進(jìn)入更高端的領(lǐng)域。
三，為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化，成啟半導(dǎo)體的產(chǎn)品也在不斷的更新，例如，成啟半導(dǎo)體馬上將會(huì)量產(chǎn)IGBT產(chǎn)品，2012年下半年，還將會(huì)推出陶瓷基板的POWER MOSFET。
四，成啟半導(dǎo)體更貼近客戶應(yīng)用的經(jīng)營(yíng)模式使成啟半導(dǎo)體能比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更快覺察需求的變化趨勢(shì)。

最重要的是，雖然電子行業(yè)日新月異，但是對(duì)高品質(zhì)的追求是永恒不變的，所以成啟半導(dǎo)體的戰(zhàn)略對(duì)企業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展很有借鑒意義。