科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。

　　科銳無(wú)線射頻銷售與市場(chǎng)總監(jiān) Tom Dekker 表示：“與同頻率范圍的 GaAs 晶體管相比，科銳0.25微米GaN HEMT裸芯片產(chǎn)品系列擁有更顯著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率的綜合功率方案，從而提升固態(tài)功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能?！?/P>

　　主要的市場(chǎng)應(yīng)用包括航海雷達(dá)、醫(yī)療成像、工業(yè)及衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。與 GaAs 晶體管相比，固態(tài)放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能夠縮小功率放大器和電源的體積。GaN HEMT 功率放大器的高效率能夠有效地降低發(fā)射機(jī)的功率消耗。

　　科銳無(wú)線射頻業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理 Ray PengELly 表示：“科銳0.25微米GaN HEMT產(chǎn)品擁有突破性的性能，效率和帶寬的顯著提高實(shí)現(xiàn)了GaAs晶體管所不能達(dá)到的晶體管性能水平。例如，開關(guān)模式的高功率放大器（HPA）能夠在微波頻率段提供超過80%的功率附加效率。在功率超過10W時(shí)，GaN HEMT HPA 的瞬時(shí)帶寬可達(dá)6至18GHz。0.25微米 GaN 產(chǎn)品所提供的卓越性能使得系統(tǒng)工程師能夠重新設(shè)計(jì) GaAs 晶體管和行波管?！?/P>

　　在40V 漏極電壓和Ku 波段工作頻率范圍內(nèi)，全新 GaN HEMT 裸芯片產(chǎn)品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的額定輸出功率分別為6W、25W 和70W。

　　新型碳化硅襯底氮化鎵裸芯片產(chǎn)品系列采用科銳專利技術(shù)，同時(shí)可擴(kuò)展性的大信號(hào)器件模型能夠與安捷倫公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模擬平臺(tái)相兼容，因此無(wú)線射頻設(shè)計(jì)工程師能夠準(zhǔn)確地模擬先進(jìn)的射頻放大器電路，從而顯著縮短設(shè)計(jì)周期并實(shí)現(xiàn)更高微波頻率。0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 HEMT 工藝具有業(yè)界領(lǐng)先的可靠性，并能夠在 40V 的漏極電壓下工作。當(dāng)通道溫度高達(dá)225 攝氏度時(shí)，平均無(wú)故障運(yùn)行時(shí)間超過一百萬(wàn)小時(shí)。

　　如欲了解更多科銳全新0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 HEMT 裸芯片系列產(chǎn)品詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問：www.cree.com/rf。

　　關(guān)于科銳（CREE）

　　科銳成立于1987年，是美國(guó)上市公司（1993年，納斯達(dá)克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者?？其JLED 照明產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨(dú)一無(wú)二的材料技術(shù)與先進(jìn)的白光技術(shù)，擁有1,300多項(xiàng)美國(guó)專利、2,900多項(xiàng)國(guó)際專利和近390項(xiàng)中國(guó)專利（以上包括已授權(quán)和在審專利），使得科銳LED產(chǎn)品始終處于世界領(lǐng)先水平?？其J照明級(jí)大功率LED，具有光效高、色點(diǎn)穩(wěn)、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)?？其J在向客戶提供高質(zhì)量、高可靠發(fā)光器件產(chǎn)品的同時(shí)也向客戶提供成套的LED照明解決方案?？其J碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)器件（MOSFET Switch）的導(dǎo)通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn)、漏電流低、開關(guān)時(shí)間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（Schottky Power Diode）零反向恢復(fù)電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。