自適應基極-發(fā)射極開關(guān)驅(qū)動技術(shù)支持安全地使用低成本的

雙極結(jié)型晶體管開關(guān)

Power Integrations公司今日發(fā)布LinkSwitch™-4系列恒壓/恒流初級側(cè)調(diào)節(jié)(PSR)開關(guān)IC。LinkSwitch-4產(chǎn)品系列采用高級自適應基極-發(fā)射極開關(guān)驅(qū)動技術(shù)，支持使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)開關(guān)，從而大幅提高電源轉(zhuǎn)換效率并消除次級擊穿產(chǎn)生的可靠性問題。新的系列器件專門適用于要求滿足美國能源部(DoE)和歐盟行為準則(CoC)嚴格的新效率標準的充電器和適配器，這兩項標準均計劃于2016年1月正式生效。DoE新標準即為DoE-6，它要求在充電器USB電纜末端進行效率合規(guī)測量;LinkSwitch-4超出了這項要求，同時使用低復雜度的肖特基二極管次級，甚至可用于1.5A和2A大電流智能手機充電器。

LinkSwitch-4 IC集成了采用準諧振開關(guān)策略的多模式PWM/PFM控制器，可提高效率并滿足<30 mW的空載功耗要求，同時仍能提供快速瞬態(tài)響應。采用65 kHz的高工作頻率可減小變壓器的尺寸，將最低峰值電流固定可提高瞬態(tài)負載響應速度。新器件可對眾多因素進行補償，包括：變壓器電感公差、輸入電壓變化、電纜電壓降以及外圍元件溫度變化。采用獨有的調(diào)整技術(shù)可維持非常精確的IC參數(shù)公差。

Power Integrations產(chǎn)品開發(fā)副總裁Mike Matthews表示：“LinkSwitch-4控制器所采用的自適應基極-發(fā)射極開關(guān)驅(qū)動技術(shù)可提升開關(guān)性能，并提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開關(guān)更高的效率。該技術(shù)還可消除與BJT相關(guān)的次級擊穿，降低對電流增益變化的敏感度，從而允許使用成本極低的BJT。自適應基極-發(fā)射極開關(guān)驅(qū)動技術(shù)不僅通過大幅優(yōu)化BJT開關(guān)特性來提供設(shè)計和制造過程中BJT晶體管的選擇靈活性，而且還可極大提高基于BJT的方案的可靠性。”

LinkSwitch-4 IC適用于手機/無繩電話、PDA、MP3和其他便攜式音頻設(shè)備的充電器及適配器等應用，它提供SOT-23-6和SO-8兩種封裝。該器件基于10,000片的訂貨量單價為每片0.16至0.25美元。