LED電源的EMC設(shè)計(jì)在整個(gè)產(chǎn)品研發(fā)過(guò)程中都是非常重要的一環(huán)，這種電磁兼容性研究涵蓋了電磁干擾和敏LED電源敏感性測(cè)試兩個(gè)方面的要求。那么，哪些因素會(huì)對(duì)LED電源的電磁兼容性能產(chǎn)生影響呢?在今天的文章中，我們將會(huì)為大家總結(jié)一些能夠影響電磁兼容性能的因素，大家一起來(lái)看看吧。

驅(qū)動(dòng)電源的電路結(jié)構(gòu)

LED電源的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是對(duì)EMC電磁兼容性影響最大的因素之一，不同結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電源，其電磁兼容性的優(yōu)劣也是不一樣的。線性電源在工作時(shí)會(huì)以發(fā)熱的形式損耗大量能量。線性電源的工作方式，使他從高壓變低壓必須有將壓裝置，一般的都是變壓器，再經(jīng)過(guò)整流輸出直流電壓，不僅笨重，發(fā)熱量也非常大，優(yōu)點(diǎn)是對(duì)外干擾小，電磁干擾小，也容易解決?，F(xiàn)在使用比較多的LED開(kāi)關(guān)電源，都是以PWM形式的LED驅(qū)動(dòng)電源是讓功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。在導(dǎo)通時(shí)，電壓低電流大，關(guān)斷時(shí)，電壓高電流小，因此功率半導(dǎo)體器件上所產(chǎn)生的損耗也很小。缺點(diǎn)比較明顯的是，電磁干擾(EMI)也更嚴(yán)重。

開(kāi)關(guān)頻率

LED電源的電磁兼容性還會(huì)受到一個(gè)因素的影響，那就是開(kāi)關(guān)頻率問(wèn)題。一旦出現(xiàn)電磁兼容故障，那么這種情況一般會(huì)發(fā)生在開(kāi)關(guān)電路的電源中。而開(kāi)關(guān)電路是開(kāi)關(guān)電源的主要干擾源之一。

作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電源的核心，目前所用到的電源開(kāi)關(guān)電路主要由開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器組成。在工作中，它所產(chǎn)生的du/dt具有較大幅度的脈沖，頻帶較寬且諧波豐富。之所以驅(qū)動(dòng)電源會(huì)產(chǎn)生這種高頻脈沖干擾，其原因就在于開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)管負(fù)載為高頻變壓器初級(jí)線圈，是一種感性負(fù)載。在開(kāi)關(guān)電源導(dǎo)通的瞬間，LED驅(qū)動(dòng)電源內(nèi)部的初級(jí)線圈產(chǎn)生很大的涌流，并在初級(jí)線圈的兩端出現(xiàn)較高的浪涌尖峰電壓;斷開(kāi)瞬間，由于初級(jí)線圈的漏磁通，致使部分能量沒(méi)有從一次線圈傳輸?shù)蕉?strong>線圈，電路中形成帶有尖峰的衰減振蕩，疊加在關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰。高頻脈沖產(chǎn)生更多的發(fā)射，周期性信號(hào)產(chǎn)生更多的發(fā)射。在LED電源系統(tǒng)中，開(kāi)關(guān)電路產(chǎn)生電流尖峰信號(hào)，而當(dāng)負(fù)載電流變化時(shí)也會(huì)產(chǎn)生電流尖峰信號(hào)。這就電磁干擾根源之一。

接地

在所有EMC問(wèn)題當(dāng)中，有近一半的問(wèn)題是LED電源的不適當(dāng)接地而引起的。目前常用的信號(hào)接地方法有三種，分別是單點(diǎn)、多點(diǎn)和混合。在開(kāi)關(guān)電路頻率低于1MHz時(shí)，可采用單點(diǎn)接地方法，但不適宜高頻。在高頻應(yīng)用中，最好采用多點(diǎn)接地?；旌辖拥厥堑皖l用單點(diǎn)接地，而高頻用多點(diǎn)接地的方法。地線布局是關(guān)鍵，高頻數(shù)字電路和低電平模擬電路的接地電路盡不能混合。