LED是一個(gè)非線性器件，正向電壓的微小變化會(huì)引起電流的巨大變化；LED是一個(gè)半導(dǎo)體二極管，其伏安特性隨溫度變化而變化(-2mV/℃),假如溫度升高，在恒壓驅(qū)動(dòng)下LED的電流會(huì)增加。長(zhǎng)期超過(guò)額定電流工作，會(huì)大大縮短LED的使用壽命。而LED恒流主要目的是當(dāng)輸入或輸出電壓變化時(shí)，確保其工作電流不變。為了保證LED產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，針對(duì)不同功率段的LED電源，必須選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使LED驅(qū)動(dòng)電源達(dá)到高效率，高可靠性，滿足安規(guī)，EMI相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及低成本要求。對(duì)于15W-90W中小功率LED驅(qū)動(dòng)電源通常選用結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的反激式拓?fù)洹８鶕?jù)EN61000-3-2的C類標(biāo)準(zhǔn)，所有照明產(chǎn)品必須達(dá)到其要求，使得單級(jí)PFC反激架構(gòu)在LED照明市場(chǎng)得到了迅速發(fā)展，由于其功率轉(zhuǎn)換效率高系統(tǒng)成本低，體積小在LED照明領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。

　　1工作原理分析與設(shè)計(jì)

　　1．1TDA4863-2芯片簡(jiǎn)介

　　TDA4863-2是英飛凌半導(dǎo)體公司(Infineon)推出的一款功率因數(shù)校正(PFC)控制器[1]。它工作于準(zhǔn)諧振模式，功率因素可以達(dá)到接近1,啟動(dòng)電流小，內(nèi)部集成圖騰柱可以驅(qū)動(dòng)大電流MOSFET。TDA4863-2嵌入了電流總諧波失真(THD)優(yōu)化電路，在全電壓輸入條件下也可以有效控制AC輸入電流的交越失真和誤差放大器的輸出紋波失真，從而提高功率因數(shù)，降低輸入電流總諧波失真。該芯片主要應(yīng)用于前級(jí)PFC校正電路，本文中將其應(yīng)用于單級(jí)PFC反激架構(gòu)。

　　1．2基于TDA4863-2單級(jí)反激LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)與原理分析

　　TDA4863-2的單級(jí)PFC反激電源原理圖如圖1所示，交流電壓經(jīng)過(guò)EMI和整流單元后流入電容C1，電容C1的容量可以選擇很小的金屬化薄膜電容，使得C1兩端的電壓100Hz/120Hz波形(取決于輸入電壓頻率)，該電壓可近似表示為：

　　其中θ=ωt，VPK為輸入電壓與2的平方根乘積。

　　圖1：臨界模式單級(jí)PFC反激式電路結(jié)構(gòu)圖

　　該電壓經(jīng)過(guò)R5,R6電阻分壓后流入IC的MULT腳，該電壓與COMP腳的信號(hào)的乘積為內(nèi)部乘法器的輸出信號(hào)Vref。乘法器輸出的信號(hào)也是經(jīng)增益系數(shù)變換后的全波整流正弦半波(誤差信號(hào))，而且被用作輸入電流的參考。

　　在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)刻，初級(jí)繞組NP中的電感電流IPKP線性上升，CS引腳檢測(cè)R19電阻電壓，當(dāng)R19兩端電壓Vs上升到Vs=Vref時(shí)，此時(shí)R19兩端電壓Vs=IPKP*R19，GD輸出低電平信號(hào)，使開(kāi)關(guān)管Q4關(guān)斷，則

　　在圖2中的波形，Vref是乘法器輸出信號(hào)，該信號(hào)被送到內(nèi)部比較器同相輸入端，負(fù)相輸入端則連接到CS端，當(dāng)GD輸出高電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通，電感電流斜升，直到信號(hào)達(dá)到Vref的電平。在此點(diǎn)上，內(nèi)部邏輯電路會(huì)改變狀態(tài)并使GD輸出低電平，斷開(kāi)MOSFET，電流斜降直到降為零。ZCD零電流檢測(cè)電路則測(cè)量輔助繞組(Nb)兩端的電壓,當(dāng)它的電壓降到ZCD閾值1.5V時(shí)，在此刻，GD輸出高電平信號(hào)，電流再次斜升。

　　由圖2可以看出，初級(jí)電感電流是三角波變化，峰值電流包絡(luò)為正弦波，整流橋后的電流是整個(gè)開(kāi)關(guān)周期的每個(gè)三角波的平均值，則其大小表示為[2]：

　　設(shè)K=Vpk/VR，D為占空比，VR為反射電壓=匝比(N)*(Vout+VF)

　　由式(3)得知，當(dāng)K為0時(shí)，Iin(wt)為正弦波，但隨著K的增大，Iin(wt)偏離正弦波越嚴(yán)重。反激拓?fù)浼词乖诶硐肭闆r也不可能使功率因素為1，由于K為0，那么反射電壓VR則需要為無(wú)窮大。也可以從式(3)得知，若要得到更高的功率因素，則需要更高的反射電壓VR，即增加變壓器匝數(shù)比N=NP/NS，但由于MOSFET的應(yīng)力問(wèn)題VR的設(shè)計(jì)需要適中,使MOSFET的額定電壓必須高于VDS電壓。本設(shè)計(jì)中匝比n=3.8,反射電壓約為190V，故選擇800V的MOSFET。

　　圖2：臨界模式變壓器中的初級(jí)電流變化

　　2.恒流反饋分析

　　本設(shè)計(jì)中的恒流反饋區(qū)別于常見(jiàn)的恒流反饋，如圖4所示。此反饋設(shè)計(jì)相比傳統(tǒng)使用CV/CCIC設(shè)計(jì)的恒流反饋電路有以下優(yōu)點(diǎn)，其一減少元件器個(gè)數(shù)降低BOM的成本，其二反饋?lái)憫?yīng)時(shí)間快無(wú)過(guò)沖，其三此設(shè)計(jì)具有短路保護(hù)功能，在輸入300VAC時(shí)，若輸出短路，測(cè)得輸入功率小于1.8W，波形如圖3所示。次級(jí)繞組電流升高，電流互感器檢測(cè)此電流高于預(yù)設(shè)定值時(shí)，CT1的Vo端輸出高電平送到IC的INV腳，MOSFET關(guān)斷(見(jiàn)圖3)。其工作原理是使用一個(gè)電流互感器檢測(cè)二次測(cè)繞組的三角波電流，經(jīng)過(guò)整流濾波后送到TDA4863-2的INV引腳進(jìn)行精確的電流控制。

　　圖3：300Vac輸入時(shí)輸出短路保護(hù)波形

　　圖4：輸出整流濾波和恒流反饋電路

　　3.電流互感器設(shè)計(jì)

　　根據(jù)電流互感器特點(diǎn)，一般選擇高?材料的磁芯，使激磁電流盡量小。原邊通常選擇1匝方便作業(yè)，Ns增加，電流互感器誤差減小，取樣電阻的損耗也減小，但隨著Ns地增加，成本也會(huì)增加。

　　已知條件：Vo=2.5V IP=1A

　　設(shè)：NP=1TRo=250歐

　　根據(jù)公式NS=IP*NP/ISIs=Vo/Ro

　　計(jì)算得：Ns=100T　　4.實(shí)驗(yàn)測(cè)試及仿真數(shù)據(jù)

　　本設(shè)計(jì)中的輸入從85Vac到300Vac,輸出功率約48W，工作電壓約為48V，輸出電流約1A。在標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載條件下，如圖5所示可以看出兩者之間是非常近似，且輸入的電流波形是基本呈正弦波。從圖6看到該電源從85V到300V輸入均獲得較高的功率因素且較低的THD以及很高的效率，電流精度誤差小于+/-5%。輸入電壓越低，PF越高，THD越小，與式5理論分析吻合，可以看出越低的輸入電壓，Iinθ越接近正弦,THD越小，PF就越高。

　　圖5：300Vac輸入的電源仿真及實(shí)驗(yàn)測(cè)得波形圖

　　圖6：85VAC-300VAC電壓輸入的電源輸出特性

　　5.結(jié)語(yǔ)

　　本文介紹了基于TDA4863-2為核心的單級(jí)PFC反激架構(gòu)LED驅(qū)動(dòng)電源，并對(duì)其工作原理及如何實(shí)現(xiàn)功率因素進(jìn)行了理論分析，并且以圖1的原理圖創(chuàng)建了一個(gè)基于SIMetrix/SIMPLIS仿真平臺(tái)的模型進(jìn)行了系統(tǒng)仿真。該電源電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，通過(guò)樣機(jī)實(shí)驗(yàn)及仿真分析，驗(yàn)證了該方案在85Vac-300Vac輸入電壓范圍內(nèi)，具有高功率因素、高效率、低THD以及良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，可以很好地滿足EN61000-3-2的電流諧波分量等技術(shù)要求。