隨著科學技術的發(fā)展，LED技術也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們人類?；?H 橋的 LED 照明新技術 H 橋是一種以用戶定義方式驅動直流電機的經典電路，如正/反方向或通過四個分立/集成開關或機電繼電器的 PWM 輔助控制的 RPM。

它廣泛應用于機器與功率 電子中。本設計實例是該技術的一種全新的實現方法，能以全波限流模式，從交流電源直接驅動白光 LED 陣列，從而實現一種無閃爍、高能效的固態(tài)照明燈。電路會在激勵電壓的正、負偏移期間，采用交替電開關工作方式，將激勵電壓的負半周和正半周內的 LED 激勵電流控制并維持在一個恒定的水平。這種方法可對交流電壓做電流控制的整流，使之成為串聯 LED 的直流供電電壓，有干凈幾乎無紋波的電流，大大改進了功率因數。

原理見圖1，晶體管 Q1、Q3和 Q5與二極管 D4，還有晶體管 Q2、Q4和 Q6與二極管 D3均配置為串聯的壓控電流開關，構成 H 橋的兩個臂;二極管 D1和 D2構成橋的另外兩個臂。 LED 串連接在橋的中點之間，兩個點分別叫 VLED+和 VLEDGND。交流電通過一個限流 PTC 電阻 R5、串聯電容 C4和 C5(構成一只無極性電容 CEFF)，以及電感 L1施加到電路上。同樣，主交流電的中性線通過電感 L2連接到電路的大地。

在正半周內，交流電源總線相對大地為正，晶體管 Q1通過電阻 R1獲得適當的基極偏置。電流流經二極管 D4、晶體管 Q1，以及電阻 R3，如箭頭 A1所示，然后流過由12只中功率 LED(LED1~LED12)構成的 LED 串，通過二極管 D2進入大地，如箭頭 A2所示。同樣，在負半周時，交流電源總線相對大地為負，晶體管 Q2通過電阻 R2獲得基極偏置。電流流經二極管 D3、晶體管 Q2，以及電阻 R4，如箭頭 A3所示，然后流過 LED 串，通過二極管 D1進入交流電 源總線，如箭頭 A4所示。這樣，在一個完整周期內，電流以相同方向流過 LED 串，獲得了一個全波整流橋的效果。不過，電流 ILED 的幅度保持恒定，因為受到了作為壓控電流源的相應開關的調節(jié)。

由于晶體管 Q3和 Q4的基射結分別連接在電流檢測電阻 R3和 R4上，當 R3和 R4上的壓降上升到 Q3和 Q4的基射電壓以上時，兩個晶體管導通。在這個點，Q1和 Q2的基極均被拉低，擾亂了在相應交流電源半周內通過它們的電流。流過晶體管的電流以這種方式保持恒定，永遠不會超過某個閾值，這個閾值通過選擇 R3和 R4的值進行設置。Q5和 Q6將 Q1和 Q2的基極電流限制在一個安全值(大約為 150μA)，確保它們永遠不會過驅。當 Q1和 Q2各自基射電壓超過了分別與 R1和 R2串聯的 R6和 R8上的壓降時，Q1和 Q2基極電流的相當大部分通過 Q5和 Q6，被分流給 R3和 R4。

進入總線的交流電流幅度受到主頻率下 CEFF 電抗(1/2πfCEFF)的限制，可以通過 選擇 C4 和 C5而改變，兩只電容構成一個無極性電容。電路也可以由一個阻性電源驅動，方法是用一個50Ω~200Ω的合適大功率電阻代替 CEFF。這樣有 助于獲得出色的功率因數，但付出的代價是限流電阻有非常大的功耗?？梢愿鶕枰懔魉剑m當選擇 R3和 R4。D5為 LED 串提供高反壓保護，而 R5限制了上電時的浪涌電流。電感 L1和 L2與電容 C1幫助盡量減少 EMI/RFI，同時提高功率因數?？梢耘c交流電源并排插一個金屬氧化物壓敏變阻器，以保護電路不發(fā)生瞬變。

電路中的12只0.5W 的 LED 在120mAdc(135mARMS)下工作，而相應的電流檢測電阻 R3和 R4選為1Ω。不過，LED 的數量可以增加到18 只，只要 LED 串上施加的電壓超過單只 LED 正向電壓之和(白光 LED 的正向電壓在3.3V~4V 范圍內變化)。LED 上的電壓是自限的(本例中，大約是 42V)，不需要任何額外的調節(jié)，因為當工作在正偏模式時，串聯 LED 的行為就像大功率齊納二極管。電路在230V 交流電源下消耗功率為11.5W，功率因數為0.93，LED 上沒有任何閃爍現象。

可以選擇在 VLED+和 VLEDGND 之間連接一只220μF 的電容 C2，進一步抑制紋波，見圖2。另外，可以用六個并聯 LED 串取代現有燈串，每一串上有12只~18只標稱20mA 的高亮度 LED。晶體管 Q1和 Q2必須裝有散熱片，以避免熱失控。相信在未來的科學技術更加發(fā)達的時候，LED會以更加多種類的方式為我們的生活帶來更大的方便，這就需要我們的科研人員更加努力學習知識，這樣才能為科技的發(fā)展貢獻自己的力量。