隨著科學技術的發(fā)展，LED技術也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所和東北大學于2019年7月宣布，他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們試做的GaN Micro LED尺寸僅為6μm見方，如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話，就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。

本次研究中，產(chǎn)總研致力于研究通過中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術制作具有GaN納米結構的LED;日本東北大學開發(fā)了對半導體材料幾乎不會產(chǎn)生損傷的中性粒子光束蝕刻技術(Beam Etching)。兩家單位通過合作，共同開發(fā)了GaN Micro LED。

該研究小組此次采用了中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術和傳統(tǒng)的ICP蝕刻(Etching)技術，分別制作了4種不同尺寸(40μm見方、20μm見方、10μm見方、6μm見方)的GaN Micro LED。

關于6μm的Micro LED，當電流密度為5A/cm2時，比較了采用兩種技術后的發(fā)光效率。結果，利用中性粒子光束蝕刻技術試做的產(chǎn)品的發(fā)光效率幾乎是ICP蝕刻技術的5倍。

使用6μm的Micro LED，顯示屏的分辨率就會超過2000像素(Pixel)/英寸，那么就可以應用于虛擬現(xiàn)實(AR)、擴展現(xiàn)實(XR)的頭戴式顯示屏(Head Mount Display)等用途。雖然LED在生活中處處可見，但是LED也還有一些不足需要我們的設計人員擁有更加專業(yè)的知識儲備，這樣才能設計出更加符合生活所需的產(chǎn)品。