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[導讀]圖中C1上的電壓為經過橋式整流后的電壓,Rs1采樣流過MOS管的電流,進行逐周期限電流控制,使MOS管的電流峰值不至于太大,確保負載短路時變壓器不發(fā)生磁飽和。利用輔助繞組完

圖中C1上的電壓為經過橋式整流后的電壓,Rs1采樣流過MOS管的電流,進行逐周期限電流控制,使MOS管的電流峰值不至于太大,確保負載短路時變壓器不發(fā)生磁飽和。利用輔助繞組完成變壓器一次繞組的電流過零檢測(APFC變壓器去磁),控制功率開關管Q2重新開始下一個開關導通工作周期的工作,FAN7527B的Idet引腳外接的電阻R4阻值在幾十千歐的范圍內,使電路工作于“準零電壓導通”的工作方式。R4電阻值取值和變壓器的一次繞組的電感量和功率開關管MOSFET的輸出電容有關,具體電阻值可以通過實驗來確定,本電路中取值為33K。Rs2采樣負載LED電流信號,R7、R8構成分壓網絡對LED上的電壓進行采樣。Rs2采樣LED上的電流與TM101上的基準信號CVin進行比較,經誤差經放大器對輸出進行恒流控制,LED的亮度和流過LED的電流大小基本成正比的,只要控制流過LED的電流大小就可以調節(jié)LED的亮度。R7、R8采樣LED上的電壓與TM101上的基準信號CVin進行比較,經誤差放大器對輸出電壓控制,送入TM101的這兩路信號相“與”后通過光耦送入控制芯片FAN7527B的誤差放大器進入乘法器。乘法器另一路是通過R13、R19、R23和R27采樣經全波整流后的市電信號,這兩路信號的乘積就是乘法器輸出,該輸出信號使得電感電流跟蹤乘法器的輸出波形信號,產生的PWM脈沖控制MOS管Q1的開關,實現對負載電流和輸入電流的控制,完成LED實現對LED的恒流限壓控制和輸入功率因數的校正。采用反激式拓撲的LED驅動電源電路圖:

 

采用反激式拓撲的LED驅動電源電路圖
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