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[導(dǎo)讀]開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵,通過(guò)專(zhuān)業(yè)的電源分析插件,可以快速有效的對(duì)器件的功率損耗進(jìn)行評(píng)估,相對(duì)于手動(dòng)分析來(lái)說(shuō),更加簡(jiǎn)單方便。對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō),I2R的導(dǎo)通損耗計(jì)算公式是最好的選擇。

由于開(kāi)關(guān)管是非理想型器件,其工作過(guò)程可劃分為四種狀態(tài),如圖1所示。“導(dǎo)通狀態(tài)”表示開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài);“關(guān)閉狀態(tài)”表示開(kāi)關(guān)管處于關(guān)閉狀態(tài);“導(dǎo)通過(guò)程”是指開(kāi)關(guān)管從關(guān)閉轉(zhuǎn)換成導(dǎo)通狀態(tài);“關(guān)閉過(guò)程”指開(kāi)關(guān)管從導(dǎo)通轉(zhuǎn)換成關(guān)閉狀態(tài)。一般來(lái)說(shuō),主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”,小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”,而“關(guān)閉狀態(tài)”的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計(jì)。

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圖1 開(kāi)關(guān)管四種狀態(tài)劃分

實(shí)際的測(cè)量波形圖一般如圖2示。

t34.png

圖2 開(kāi)關(guān)管實(shí)際功率損耗測(cè)試

二、導(dǎo)通過(guò)程損耗

晶體管開(kāi)關(guān)電路在轉(zhuǎn)換過(guò)程中消耗的能量通常會(huì)很大,因?yàn)殡娐芳纳盘?hào)會(huì)阻止設(shè)備立即開(kāi)關(guān),該狀態(tài)的電壓與電流處于交變的狀態(tài),因此很難直接計(jì)算功耗,以往的做法,將電壓與電流認(rèn)為是線(xiàn)性的,這樣可以通過(guò)求三角形的面積來(lái)粗略計(jì)算損耗,但這是不夠準(zhǔn)確的。對(duì)于數(shù)字示波器來(lái)說(shuō),通過(guò)都會(huì)提供高級(jí)數(shù)學(xué)運(yùn)算功能,因此可以使用下面的公式計(jì)算導(dǎo)通過(guò)程的損耗。

 

image.png

 

Eon表示導(dǎo)通過(guò)程的損耗能量

Pon表示導(dǎo)通過(guò)程的平均損耗功率(有功功率)

Vds、Id分別表示瞬時(shí)電壓和電流

Ts表示開(kāi)關(guān)周期

t0、t1表示導(dǎo)通過(guò)程的開(kāi)始時(shí)間與結(jié)束時(shí)間

關(guān)閉過(guò)程損耗

關(guān)閉過(guò)程損耗與導(dǎo)通過(guò)程損耗計(jì)算方法相同,區(qū)別是積分的開(kāi)始與結(jié)束時(shí)間不同。

 

image.png

 

Eoff表示關(guān)閉過(guò)程的損耗能量

Poff表示關(guān)閉過(guò)程的平均損耗功率(有功功率)

Vds、Id分別表示瞬時(shí)電壓和電流

Ts表示開(kāi)關(guān)周期

t2、t3表示關(guān)閉過(guò)程的開(kāi)始時(shí)間與結(jié)束時(shí)間

三、導(dǎo)通損耗

導(dǎo)通狀態(tài)下,開(kāi)關(guān)管通常會(huì)流過(guò)很大的電流,但開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通電阻很小,通常是毫歐級(jí)別,所以導(dǎo)通狀態(tài)下?lián)p耗能量相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較少的,但亦不能忽略。使用示波器測(cè)量導(dǎo)通損耗,不建議使用電壓乘電流的積分的來(lái)計(jì)算,因?yàn)槭静ㄆ鳠o(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量導(dǎo)通時(shí)微小電壓。舉個(gè)例子,開(kāi)關(guān)管通常關(guān)閉時(shí)電壓為500V,導(dǎo)通時(shí)為100mV,假設(shè)示波器的精度為±1‰(這是個(gè)非常牛的指標(biāo)),最小測(cè)量精度為±500mV,要準(zhǔn)確測(cè)量100mV是不可能的,甚至有可能測(cè)出來(lái)的電壓是負(fù)的(100mV-500mV)。

由于導(dǎo)通時(shí)的微小電壓,無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量,所以使用電壓乘電流的積分的方法計(jì)算的能量損耗誤差會(huì)很大。相反,導(dǎo)通時(shí)電流是很大的,所以能測(cè)量準(zhǔn)確,因此可以使用電流與導(dǎo)通電阻來(lái)計(jì)算損耗,如下面公式:

 

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Econd表示導(dǎo)通狀態(tài)的損耗能量

Pcond表示導(dǎo)通狀態(tài)的平均損耗功率(有功功率)

Id分別表示瞬時(shí)電流

Rds(on)表示開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通電阻,在開(kāi)關(guān)管會(huì)給出該指標(biāo),如圖3所示

Ts表示開(kāi)關(guān)周期

t1、t2表示導(dǎo)通狀態(tài)的開(kāi)始時(shí)間與結(jié)束時(shí)間

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圖3 導(dǎo)通電阻與電流的關(guān)系

四、開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)損耗指的是總體的能量損耗,由導(dǎo)通過(guò)程損耗、關(guān)閉過(guò)程損耗、導(dǎo)通損耗組成,使用下面公式計(jì)算:

 

image.png

 

五、開(kāi)關(guān)損耗分析插件

高端示波器通常亦集成了開(kāi)關(guān)損耗分析插件,由于導(dǎo)通狀態(tài)電壓測(cè)量不準(zhǔn)確,所以導(dǎo)通狀態(tài)的計(jì)算公式是可以修改的,主要有三種:

● UI,U和I均為測(cè)量值

● I2R,I為測(cè)量值,R為導(dǎo)通電阻,由用戶(hù)輸入Rds(on)

● UceI,I為測(cè)量值,Uce為用戶(hù)輸入的電壓值,用于彌補(bǔ)電壓電壓測(cè)不準(zhǔn)的問(wèn)題。

一般建議使用I2R的公式,下圖是ZDS4000 Plus的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試圖。、

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