據韓聯社報道，海力士半導體在世界上率先研發(fā)出了采用54納米技術的2Gb移動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，計劃從明年上半年開始生產。

該產品是世界上首個采用54納米超微工藝的2Gb高容量產品。目前用于多芯片封裝(Multichippackage，MCP)和層疊封裝(PackageonPackage，簡稱PoP)的移動DRAM產品中容量最高為1Gb，而該產品可實現2Gb的容量。

電力消耗也僅為現有存儲器的八分之一，適用于手機、數碼相機、MP3播放器、導航儀等產品。

此外，該產品可在1.2伏超低電壓下啟動，數據傳輸速率最高達到400Mbps，通過32個信息出入口，每秒可處理大約1.6GB的數據。