日本爾必達公司近日宣布，已經(jīng)在其廣島晶圓廠開始批量生產(chǎn)50nm工藝2Gb Mobile RAM存儲顆粒。

超低功耗的Mobile RAM內(nèi)存主要用在手機或掌上影音設(shè)備、移動互聯(lián)網(wǎng)終端中。爾必達的50nm 2Gb Mobile RAM于去年年底開發(fā)完成，采用193nm浸潤式光刻與銅互連技術(shù)制造。相比70nm產(chǎn)品，它的數(shù)據(jù)保持電流和工作電流都是前代的一半，在容量翻倍的情況下并未提高電源需求。

爾必達的2Gb Mobile RAM支持MCP多芯片封裝、PoP層疊封裝等封裝技術(shù)，使用32bit DDR技術(shù)，頻率為200MHz，傳輸傳輸率達到1.6GB/s。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作。