三星開始量產(chǎn)60nm工藝的512Mbit PRAM
[導讀]韓國三星電子（Samsung Electronics）開始量產(chǎn)新一代非易失性內(nèi)存PRAM（Phase Change RAM）。此次量產(chǎn)的是采用60nm左右工藝的512Mbit產(chǎn)品。主要面向智能手機等便攜產(chǎn)品。
通過配備PRAM，除了可將便攜產(chǎn)品的電池壽命
韓國三星電子（Samsung Electronics）開始量產(chǎn)新一代非易失性內(nèi)存PRAM（Phase Change RAM）。此次量產(chǎn)的是采用60nm左右工藝的512Mbit產(chǎn)品。主要面向智能手機等便攜產(chǎn)品。
通過配備PRAM，除了可將便攜產(chǎn)品的電池壽命延長20％以上外，還能夠以約為NOR型閃存7倍的高速度改寫數(shù)據(jù)。今后，三星電子將進一步推進PRAM的細微化。
三星電子的Sei-Jin Kim（移動內(nèi)存規(guī)劃與推廣事業(yè)部內(nèi)存部門副總裁）在此次的新聞發(fā)布會上表示，“將來，PRAM將成為本公司的核心內(nèi)存產(chǎn)品之一”。
下載文檔
