隨著聯(lián)電、中芯等競爭者45納米制程推展進程加快，晶圓代工龍頭臺積電決定擴大投資力道，全面拉開與競爭對手差距，臺積電計劃南、北開攻，啟動新竹、南科12寸晶圓廠全新擴產(chǎn)計畫，總投資額將上看60億美元，預計2010年下半起展開裝機。由于臺積電先進制程擴產(chǎn)及良率將成為2010年重點營運主軸，亦將牽動內(nèi)部人事異動，業(yè)界傳出負責先進制程營運的副總劉德音，極可能擢升為空缺許久的營運長(COO)。不過，臺積電26日并未證實上述說法。

半導體業(yè)者表示，中芯在上海技術論壇宣布45納米制程近日即將投產(chǎn)，加上聯(lián)電擴大布建新加坡生產(chǎn)基地Fab 12i在45／40納米制程產(chǎn)能，迫使向來在先進制程領先的臺積電，不得不擴大投資力道，以保持在產(chǎn)能與技術領先，并穩(wěn)住晶圓代工一哥地位。因此，臺積電本周將登場的法說會上，預料將宣布對2010年資本支出走向看法，其中，12寸廠擴建將是眾所矚目焦點，且預料臺積電11月董事會亦將針對擴產(chǎn)及資本預算進行討論。

半導體設備業(yè)者指出，臺積電2010年資本支出將達30億美元，其中有部分資金將投入新一波12寸廠擴產(chǎn)計畫，臺積電整個12寸晶圓廠擴產(chǎn)計畫規(guī)模相當驚人，將同時啟動新竹、南科12寸廠超大晶圓廠(GigaFab)擴產(chǎn)，包括新竹Fab 12第5期，以及南科Fab 14第4期，總投資金額估計可能上看60億美元。

半導體業(yè)者指出，近期臺積電Fab 12第5期已悄悄完成整地，預計2010年起開始興建廠房，待廠辦與無塵室工程完成后，2010年10月可望進行裝機；至于南科12寸廠Fab 14第4期亦預計在2010年底導入機器設備，預計2座廠產(chǎn)能各約單月3.5萬片，并將投入45／40納米以下制程技術研發(fā)及生產(chǎn)。

事實上，聯(lián)電自2009年第3季起于臺南12寸廠Fab 12A展開45／40納米制程投片，為大客戶賽靈思(Xilinx)代工可程序邏輯閘陣列(FPGA)芯片，聯(lián)電為擴大產(chǎn)能，并搶攻市場占有率，亦將在新加坡生產(chǎn)基地Fab 12i積極啟動擴產(chǎn)計畫。設備業(yè)者表示，目前包括德儀(TI)、恩威迪亞(NVIDIA)、超微(AMD)都有相關合作案，手機芯片大廠英飛凌 (Infineon)及聯(lián)發(fā)科亦有進入45／40納米制程計畫，這讓臺積電必須得加速先進制程擴產(chǎn)腳步。