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美國FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問題，迄今一直難以應用于閃存，而主要用于DRAM檢查。

此次，該公司新開發(fā)出了適用于32nm以后微細工藝多值產(chǎn)品的MEMS探針卡。NAND型閃存的數(shù)據(jù)識別采用電荷量，讀取電荷量作為單元晶體管閾值電壓的變化。隨著NAND型閃存微細化，電荷量減少，并且8～16值等多值產(chǎn)品中進行區(qū)別的電荷量的空白減小。在檢查這種小空白（Margin）時，探測時的接觸電阻存在誤差，難以進行準確測量。而使用該公司此次研制的MEMS探針時，接觸電阻誤差要比現(xiàn)有探針小。基于金屬懸臂梁的MEMS探針，其尖端接觸焊點時，會將布線上焊點（Al）上的絕緣膜（Al2O3）向水平方向拉動。這樣便可在保持低接觸電阻的前提下進行穩(wěn)定探測。為減小檢查時的空白，降低了作為不良處理的合格品的比例。

鑒于以上特性，MEMS探針可以說從原理上適用于微細多值閃存，但客戶對成本和交貨期的要求卻越來越嚴格。該公司此次開發(fā)的產(chǎn)品是設計與DRAM使用的MEMS探針卡大不相同的閃存專用品。降低了探針本身的成本，同時降低了客戶的投資成本，能夠支持引腳少的測試器。另外，為縮短交貨期，與該公司的客戶之間制定了探針芯片等的規(guī)格標準。因此，在量產(chǎn)大容量產(chǎn)品和微細產(chǎn)品時，該公司便可重新利用上代使用的探針的設計資產(chǎn)。

該產(chǎn)品采用了根據(jù)溫度變化補償探針彎曲的結構。因此，能夠實現(xiàn)在晶圓內的任何位置都穩(wěn)定的接觸。此次推出的MEMS探針是該公司與一家存儲器廠商率先開發(fā)的，已應用于量產(chǎn)線。