韓國存儲器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM，工作頻寬為7Gbps，32位元I/O通道，數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s，電壓為1。35V。

新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造，體積小，功耗比50納米制程產(chǎn)品下降20%。海力士預(yù)計在2010年下半開始量產(chǎn)新款GDDR5DRAM。