全球最大美國(guó)消費(fèi)性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場(chǎng)，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構(gòu)Nehalem、Westmere、以筆記計(jì)算機(jī)為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產(chǎn)品。由于DDR3必須采用高速測(cè)試機(jī)臺(tái)，后段封測(cè)廠亦必須將設(shè)備升級(jí)，目前國(guó)內(nèi)包括力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)都已經(jīng)投入，至于泰林(5466)、日月鴻進(jìn)展速度較慢。

DDR3在今年下半年開(kāi)始，逐漸取代DDR2，掀起市場(chǎng)熱潮。為了因應(yīng)DDR3的需求，國(guó)內(nèi)外DRAM大廠包括三星、海力士、爾必達(dá)、美光以及南科皆積極轉(zhuǎn)換50奈米浸潤(rùn)式制程（immersion）。據(jù)了解，力晶明年上半年也將會(huì)有ASML新設(shè)備進(jìn)廠，將準(zhǔn)備用來(lái)量產(chǎn)DDR3。

后段封測(cè)的部份，由于制程改變，DDR3測(cè)試時(shí)間跟著拉長(zhǎng)，封裝腳數(shù)也變多。封測(cè)業(yè)者說(shuō)，DDR2的測(cè)試秒數(shù)平均約200-300秒，DDR3則拉長(zhǎng)到400秒以上，增加約一倍，因此測(cè)試設(shè)備必須改采高速測(cè)試機(jī)臺(tái)，從過(guò)去的800MHz提升至1066MHz，現(xiàn)階段僅有惠瑞捷2200機(jī)種以及愛(ài)德萬(wàn) 5503機(jī)種用來(lái)專門測(cè)試DDR3。

據(jù)了解，惠瑞捷先推出2200，初期順利拿下不少訂單，不過(guò)愛(ài)德萬(wàn)追上來(lái)推出5503，并強(qiáng)調(diào)以一次可以測(cè)試256顆(DUT)，未來(lái)更可以升級(jí)為 512顆，遠(yuǎn)高于惠瑞捷2200的128顆，而惠瑞捷也不落人后，最新計(jì)劃推出的2300亦將可以達(dá)到測(cè)試256顆的水平。

DDR3除了測(cè)試時(shí)間明顯拉長(zhǎng)之外，封裝的植球腳數(shù)也有所增加，過(guò)去DDR2的植球腳數(shù)為60/84，現(xiàn)在統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格為78/96，隨著腳數(shù)變多所用的封裝打線材料也跟著增加。

封測(cè)業(yè)者表示，整體來(lái)看，DDR3一顆測(cè)試加上封裝的成本價(jià)格約為0.3-0.4美元，較DDR2增加約15-20%，因此若以接單價(jià)格來(lái)看，DDR3也是高過(guò)DDR2，因此DDR3占營(yíng)收比重越高，越有利于營(yíng)收以及毛利率的表現(xiàn)。

觀察國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器封測(cè)廠以力成進(jìn)軍DDR3的速度最快，并已占DRAM營(yíng)收比重的50%，該公司目前擁有10臺(tái)愛(ài)德萬(wàn)5503機(jī)臺(tái)以及惠瑞捷7臺(tái)的高速測(cè)試機(jī)。華東目前DDR3的營(yíng)收比重也堤升至30%，廠內(nèi)已有3臺(tái)愛(ài)德萬(wàn)5503以及4臺(tái)惠瑞捷，預(yù)計(jì)明年將再添購(gòu)3-4臺(tái)愛(ài)德萬(wàn)5503。

臺(tái)塑集團(tuán)的福懋科(8131)因主要客戶南科、華亞科轉(zhuǎn)換50奈米制程較慢，所以在DDR3的量產(chǎn)進(jìn)度上亦較為落后，不過(guò)由于南科即將轉(zhuǎn)換完成，預(yù)期接下來(lái)DDR3的貢獻(xiàn)度亦可增溫。據(jù)悉，福懋科約有1-2臺(tái)的愛(ài)德萬(wàn)5503。

至于泰林(5466)以及日月鴻分別以力晶、瑞晶為主要客戶，由于力晶、瑞晶都還尚未有DDR3產(chǎn)品，因此現(xiàn)階段泰林、日月鴻都不急著投入高速測(cè)試機(jī)臺(tái)。