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NANDFlash合約價止跌高容量芯片有漲聲

時間：2010-01-27 13:43:37

關(guān)鍵字： NANDFLASH 芯片 GB TLC

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[導讀]NANDFlash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現(xiàn)，2010年1月下旬NANDFlash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple-LevelCell)成為市場的價格

NANDFlash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現(xiàn)，2010年1月下旬NANDFlash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple-LevelCell)成為市場的價格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當有限，因此2010年NANDFlash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。

近期NANDFlash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NANDFlash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb芯片方面，由于上游NANDFlash大廠的產(chǎn)出有限，因此合約價出現(xiàn)平盤到小漲3%幅度，也預告2010年NANDFlash市場發(fā)展逐漸朝兩極化進行。

NANDFlash業(yè)者指出，農(nóng)歷春節(jié)前的大陸客戶買盤陸續(xù)出籠，針對小型記憶卡等產(chǎn)品進行補貨，期望1月底的補貨效應會更加明顯，但整個市場仍在等待系統(tǒng)大廠的回補行情發(fā)動，尤其是蘋果的補貨效應，以及新產(chǎn)品平板計算機iSlate采用高容量NANDFlash芯片，都令市場期待甚深。

2010年NANDFlash市場進入30奈米制程世代，三星電子(SamsungElectronics)由42奈米進入32奈米制程、海力士(Hynix)由41奈米進入32奈米制程、東芝(Toshiba)由43奈米進入32奈米制程，美光(Micron)和英特爾(Intel)陣營2009年已領(lǐng)先進入30奈米世代，2010年則是要進入20奈米世代，顯示各陣營在制程微縮上相當積極。

模塊廠認為，其實2010年NANDFlash產(chǎn)業(yè)不用擴增產(chǎn)能，但單靠制程微縮技術(shù)，產(chǎn)出即增加不少。

同時，2010年三星和東芝也進入TLC芯片技術(shù)，成本結(jié)構(gòu)大幅下降，但也造成NANDFlash低容量的芯片價格持續(xù)下滑。NANDFlash業(yè)者表示，2010年NANDFlash芯片價格是兩極化發(fā)展，低價芯片在TLC世代下會更便宜，但高階芯片則在系統(tǒng)大廠、手機應用等帶動下，價格會相對持穩(wěn)。

2010年下游廠認為，2009年NANDFlash芯片價格漲上來后，一直維持高檔盤旋，2010年在制程微縮和TLC芯片出籠下，NANDFlash價格波動會較大，尤其傳統(tǒng)淡季和旺季價格會相當明顯，因此在操作上需要更加小心。

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