[導讀]在半導體內存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka
在半導體內存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPackage，多芯片封裝）乃至相變內存（PCM），變身為業(yè)內的“全能選手（All-aroundPlayer）”。在半導體內存業(yè)務方面，該公司一直保持著微細化領跑者的優(yōu)勢。該公司與英特爾合作開發(fā)的NAND閃存目前已開始樣品供貨25nm工藝產品（參閱本站報道）。本站記者就NAND閃存業(yè)務戰(zhàn)略采訪了美光科技NAND產品部門戰(zhàn)略市場營銷總監(jiān)KevinKilbuck。（采訪人：大下淳一）
——在NAND閃存微細化競爭中貴公司一直在采取攻勢。能否談談具體情況？
與英特爾合資成立的NAND閃存制造公司（IMFlashTechnologies）后，我們第一個量產的是70nm工藝產品。在該工藝領域，我們處于微細化的最后尾。之后，我們跳過6Xnm工藝向50nm工藝推進微細化，進入了中間一級梯隊。接著，又跳過4Xnm工藝向34nm工藝推進，從而邁進了微細化的前列。為了在更加微細化的工藝上也能夠保持領先地位，我們還將在2010年6月之前量產25nm工藝產品。屆時將量產基于2bit/單元多值技術的64Gbit產品。一般而言，在工藝上跨級推進微細化通常伴有風險，但我們仍然甘冒這個風險。
——在3bit/單元以上的“超多值技術”方面，貴公司的量產進程一直落后于其他公司。原因是什么？
我們將超多值技術視為微細化步幅減緩時的一種“保險”。換句話說，當微細化開發(fā)因某種原因而停滯時，這種大容量化技術才發(fā)揮替代作用。事實上，早在2009年10～12月時我們就已能夠量產34nm工藝的3bit/單元產品了。不過，我們在25nm工藝的微細化開發(fā)上進展順利，因此目前優(yōu)先考慮的是盡快量產25nm產品。這樣，便放棄了量產34nm工藝3bit/單元產品的想法。而在25nm工藝方面，我們打算在2010年內量產3bit/單元產品。因為要使25nm以后的工藝實現量產，還需要等待很長一段時間。
——貴公司25nm以后的工藝何時能夠實現量產？另外，這一工藝將采用什么樣的單元技術？
估計要等到2011年下半年～2012年初。除了現有的浮游柵技術之外，目前我們還在研究電荷捕獲技術等多項單元技術。對于電荷捕獲技術這樣的新技術，要確定其生命力能夠延續(xù)到的工藝程度，這十分重要。
——盡管貴公司是微細化的領跑者，但在可謂NAND閃存主戰(zhàn)場的便攜音樂播放器及智能電話等領域，貴公司的應用業(yè)績卻似乎一直落后于其他公司。
我們寄望于今后的發(fā)展。相信這一狀況會徹底改變。為了借助新一代便攜終端架構在Design-in方面勝出，我們正在推進與芯片組裝廠商等的合作。此外，我們還將提供“EZ-NAND”等解決方案，以降低NAND閃存的運行控制芯片（控制器）給終端（主機）造成的負荷。
——按金額計算，貴公司在NAND閃存市場上的份額目前在10％左右。今后計劃提高到什么程度？
最低也要達到15～20％。與我們的合資業(yè)務伙伴，也就是英特爾進行合計的話，目前份額已經達到了約15％。在收購恒憶之后，估計業(yè)務規(guī)模會進一步擴大。
——IMFlashTechnologies公司的旗艦工廠即新加坡工廠的啟動進程緩慢。該工廠何時開始量產？
新加坡工廠的投資問題，的確是我們尚未落實的重大事項。雖然清潔室的建設已于2009年完工，但即使馬上安裝制造設備，早快也要到2011年才能開始量產。我們將根據市場的動向，在確信需求呈擴大趨勢時，再著手向該工廠進行設備投資。
——在NAND閃存微細化競爭中貴公司一直在采取攻勢。能否談談具體情況？
與英特爾合資成立的NAND閃存制造公司（IMFlashTechnologies）后，我們第一個量產的是70nm工藝產品。在該工藝領域，我們處于微細化的最后尾。之后，我們跳過6Xnm工藝向50nm工藝推進微細化，進入了中間一級梯隊。接著，又跳過4Xnm工藝向34nm工藝推進，從而邁進了微細化的前列。為了在更加微細化的工藝上也能夠保持領先地位，我們還將在2010年6月之前量產25nm工藝產品。屆時將量產基于2bit/單元多值技術的64Gbit產品。一般而言，在工藝上跨級推進微細化通常伴有風險，但我們仍然甘冒這個風險。
——在3bit/單元以上的“超多值技術”方面，貴公司的量產進程一直落后于其他公司。原因是什么？
我們將超多值技術視為微細化步幅減緩時的一種“保險”。換句話說，當微細化開發(fā)因某種原因而停滯時，這種大容量化技術才發(fā)揮替代作用。事實上，早在2009年10～12月時我們就已能夠量產34nm工藝的3bit/單元產品了。不過，我們在25nm工藝的微細化開發(fā)上進展順利，因此目前優(yōu)先考慮的是盡快量產25nm產品。這樣，便放棄了量產34nm工藝3bit/單元產品的想法。而在25nm工藝方面，我們打算在2010年內量產3bit/單元產品。因為要使25nm以后的工藝實現量產，還需要等待很長一段時間。
——貴公司25nm以后的工藝何時能夠實現量產？另外，這一工藝將采用什么樣的單元技術？
估計要等到2011年下半年～2012年初。除了現有的浮游柵技術之外，目前我們還在研究電荷捕獲技術等多項單元技術。對于電荷捕獲技術這樣的新技術，要確定其生命力能夠延續(xù)到的工藝程度，這十分重要。
——盡管貴公司是微細化的領跑者，但在可謂NAND閃存主戰(zhàn)場的便攜音樂播放器及智能電話等領域，貴公司的應用業(yè)績卻似乎一直落后于其他公司。
我們寄望于今后的發(fā)展。相信這一狀況會徹底改變。為了借助新一代便攜終端架構在Design-in方面勝出，我們正在推進與芯片組裝廠商等的合作。此外，我們還將提供“EZ-NAND”等解決方案，以降低NAND閃存的運行控制芯片（控制器）給終端（主機）造成的負荷。
——按金額計算，貴公司在NAND閃存市場上的份額目前在10％左右。今后計劃提高到什么程度？
最低也要達到15～20％。與我們的合資業(yè)務伙伴，也就是英特爾進行合計的話，目前份額已經達到了約15％。在收購恒憶之后，估計業(yè)務規(guī)模會進一步擴大。
——IMFlashTechnologies公司的旗艦工廠即新加坡工廠的啟動進程緩慢。該工廠何時開始量產？
新加坡工廠的投資問題，的確是我們尚未落實的重大事項。雖然清潔室的建設已于2009年完工，但即使馬上安裝制造設備，早快也要到2011年才能開始量產。我們將根據市場的動向，在確信需求呈擴大趨勢時，再著手向該工廠進行設備投資。
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關鍵字： NAND NAND Flash 三星 SK海力士
